多弧离子镀制备TiAlN涂层的工艺研究.pdf

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1、机械工程师MECHANICALENG}NEER多弧离子镀制备T.AIN涂层的工艺研究李相阳南华大学机械工程学院,湖南衡阳421001)摘要:介绍了TiAIN涂层和多弧离子镀的特点及应用。总结了多弧离子镀的主要工艺参数及其他影响因素对TiAIN涂层性能的影响规律,为TiAIN涂层的工艺设计提供参考。最后分析和展望7TiAIN涂层的发展方向。关键词:TiAIN涂层;多弧离子镀;工艺参数:其他因素中图分类号:TB43文献标志码:A文章编号:1002—2333(2016)12—0095—02StudyontheTechnologyofTiAINCoatingPreparedbyMu

2、ltiArcIonPlatingLIXiangyang(SchoolofMechanicalEngineering,UniversityofSouthChina,Hengyan9421001,China)Abstract:ThecharacteristicsandapplicationsofTiAlNcoatingandmultiarcionplatingareintroduced.InordertoprovidereferenceforprocessdesignofTiAlNcoating,thispapersummarizestheinfluenceofmaintech

3、nologicalparametersofmultiarcionplatingandotherfactorsonthepropertiesofTiAINcoating.ThedevelopmenttrendofTiAlNbasedcoatingisanalyzedandprospected.Keywords:TiAlNcoating;muhiarcionplating;technologicalparameters;otherfactors0引言TiN涂层被广泛运用到工业、商业领域,但该涂层在温度超过600℃时便被氧化,出现涂层剥落、硬度下降等现象。而TiAlN涂层的耐高温

4、氧化温度达到800℃以上,且具有膜基结合强度高、导热率低、摩擦因数小、耐腐蚀等特点,因此TiAlN涂层将成为TiN涂层的替代材料,具有较高的研究价值和潜力㈣。多弧离子镀技术具有离化率高、沉积速率快、膜基结合强度高等优点,在工具、模具的超硬镀膜、装饰镀膜等领域应用广泛[oq。本文总结了多弧离子镀技术的主要工艺参数以及其他影响因素对TiAlN涂层性能的影响规律,为多弧离子镀制备TiAlN涂层工艺的设计提供参考。1影响TiAlN涂层的工艺,.J基体负偏压的影响多弧离子镀制备TiAlN涂层发现,基体负偏压过小或者过大都会导致涂层的表面质量下降,单位面积上的颗粒尺寸大、密度大等现象州

5、11;孔隙率随着基体负偏压的升高而降低睁“1;随着基体负偏压的增大,沉积速率[9-tO,121、硬度卜班蛳膜基结合强度I”1q均呈现先上升后降低的趋势。,.2靶电流的影响靶电流越低,TiAlN涂层单位面积上颗粒的尺寸和密度越小、色泽越均匀、膜层结合强度越高、致密度也越高,但靶电流过小时沉积速率明显降低,甚至出现灭弧现象。研究发现随着靶材电流的增大,涂层的膜基结合强度逐渐增强㈣,显微硬度则呈先升高后降低趋势陋”。,一氮气分压的影响文献[15一181指出氮分压在一定范围内增加,制备的TiAlN涂层表面更加致密平整,晶粒更加细小且均匀;涂层的硬度和弹性模量呈先增大后减小的趋势,而

6、膜基结合强度则呈现先降低后上升的趋势。张飞等【19]研究B.Y.Shew的文章发现,在保持真空度不变情况下,当氮流量为1secm时,涂层为非晶结构,当氮流量小于6sccm时,TiAlN晶面择优取向为(111),当氮流量大于6sccm时,TiAlN晶面择优取向为(200)。1.4镀膜温度的影响镀膜温度的高低影响基体的硬度、涂层的硬度及膜基结合强度等性能指标。通过吉布斯的吸附原理可推断出镀膜温度越高,基体对气体杂质的吸附就越少[20-2”。文献[16】指出镀膜温度过低,易得到疏松的锥状晶,而镀膜温度过高又易得到粗大柱状晶,只有适宜的镀膜温度才能获得致密柱状晶。同时温度过高由于涂

7、层与基体的热膨胀系数不同,使得涂层与基体间不能一致地伸缩,会产生热应力,导致涂层出现开裂或脱落等现象。温度过高还会使得基体出现回火软化现象,因此对刀具进行镀膜时,为提高膜基结合强度及涂层的质量,需在一定的温度环境下才开始镀膜,如高速钢刀具镀膜的镀膜温度一般为500℃左右,而硬质合金刀具的镀膜温度则一般在90∞C左右阱气,.5其他因素的影响文献[241发现,随着Al含量的增加,导致纤锌矿结构研究[J].汽轮机技术,2012,54(1):26—28.[5]张婷婷,王克明,孙阳,等.温度场对双转子系统动力特性影响的分析[

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