光伏生产安全知识

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1、行政安全管理生产基础安全知识电池片生产工艺过程：酸槽7水槽5.6碱槽4水槽2.3原硅片酸槽1水槽8.9扩散刻蚀酸槽镀膜水槽成品硅片检测烧结丝印1.制绒面：目前广泛使用的酸腐蚀溶液是以HF．HN03为基础的水溶液体系，其基理为HN03给硅表面提供空穴，打破了硅表面的Si2H键，使Si氧化为Si02，然后HF溶解Si02，并生成络合物H2SiF6。从而导致硅表面发生各向同性非均匀性腐蚀，形成的粗糙的多孔硅层，有利于减少光反射，增强光吸收表面。制绒的化学反应原理：Si+2HN03=Si02+H20+NOxSi02+6HF=H2[SiF6]+2H2碱洗槽利用KOH溶液洗除多孔硅酸腐蚀易在

2、多晶硅表面形成一层彩色均匀的多孔硅膜。这个多孔硅膜具有极低的反射系数，但是，它不利于p-n结的形成和印刷电极，所以，一般使用稀释的KOH溶液来去除这个多孔硅膜。酸洗槽利用HCl和HF洗除杂质金属离子和进一步去除硅表面残留的二氧化硅HF酸去除SiO2层在前序的清洗过程中硅片表面不可避免的形成了一层很薄的SiO2层，用HF酸把这层SiO2去除掉。　　　　      SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2OHCl酸去除一些金属离子，盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与Pt2+、Au3+、Ag+、Cu+、Cd2+、Hg2+等金属离子形成可溶于水的络合物。2.扩散工艺扩散过程中磷硅

3、玻璃的形成：　　　　　　　　Si+O2＝SiO2           5POCl3＝3PCl5+P2O5（600℃）三氯氧磷分解时的副产物PCl5，不容易分解的，对硅片有腐蚀作用，但是在有O2的条件下，可发生以下反应：　　　　　４PCl5+5O2＝2P2O5+10Cl2↑(高温条件下)4行政安全管理磷硅玻璃的主要组成：小部分P2O5，其他是２SiO2·P2O5或SiO2·P2O5。这三种成分分散在二氧化硅中。在较高温度的时候，P2O5作为磷源和Si反应生成磷，反应如下：2P2O5+5Si=5SiO2+4P             3．等离子刻蚀工艺在我们的工艺中，是用CF4来刻蚀

4、扩散后的硅片，其刻蚀原理如下：          CF4 ＝CFx* +(4-x)F* (x≤3)          Si+4F*   ＝   SiF4↑          SiO2+4F*  ＝   SiF4+O2↑Si和SiO2在CF4等离子体中的刻蚀速率是很低的，因为在纯的CF4等离子体中，这些过程的刻蚀速率受制于较低的F*浓度，因此刻蚀效率较低，如果在其中加入O2，Si和SiO2的刻蚀速率会增加，加入O2之后，反应室中产生了COF2，CO及CO2而消耗了CFx*自由基，于是减少了F*消耗量，结果F*浓度增大，相应的刻蚀速率也增大。选择适当的CF4和O2的比例，会得到良好的

5、刻蚀效果。4．二次清洗工艺由于在扩散以后在硅片表面形成了一层磷硅玻璃，主要成分还是二氧化硅。因此为了形成良好的欧姆接触，减少光的反射，在沉积减反射膜后续工艺之前，必须用HF酸把磷硅玻璃腐蚀掉。                    SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O5.PECVD工艺为了进一步减少入射光的损失，在硅片上沉积一层氮化硅薄膜。       3SiH4+4NH3＝  Si3N4+12H2        3SiH4+2N2＝  Si3N4+6H26.丝印丝网印刷是采用压印的方式将预定的图形印刷在基板上，该设备由电池背面银铝浆印刷、电池背面铝浆印刷和电池正面银浆印

6、刷三部分组成。其工作原理为：利用丝网图形部分网孔透过浆料，用刮刀在丝网的浆料部位施加一定压力，同时朝丝网另一端移动。油墨在移动中被刮刀从图形部分的网孔中挤压到基片上。由于浆料的粘性作用使印迹固着在一定范围内，印刷中刮板始终与丝网印版和基片呈线性接触，接触线随刮刀移动而移动，从而完成印刷行程7.烧结工艺经过丝网印刷后的硅片，不能直接使用，需经烧结炉快速烧结，将有机树脂粘合剂燃烧掉，剩下几乎纯粹的、由于玻璃质作用而密合在硅片上的银电极。半导体厂常见的潜在危害可分为三大类：(一).化学物质危害半导体工艺非常繁杂，使用的危险化学品也相当多，包括强酸、强碱、腐蚀性有机溶剂、有毒气体、自燃气

7、体、或窒息气体等，如果这些危险化学物质泄漏出来，接触到人体会造成很大的伤害；也有可能因为这些物质产生化学变化，造成火灾爆炸等重大意外事故。危害性气体4行政安全管理根据危害特征，半导体工艺中使用的气体分为以下四类：有毒、易腐蚀、易燃和自然性气体，有毒气体是指对人体生命有危害的气体，腐蚀性气体接触时会损毁生命组织和设备，易燃气体则为暴露于火星、明火和其他燃烧源时易被引燃的气体，如氢气。54℃以下在空气中易自然的物质为自然性气体。危害性气体的毒性等级是以规定的时间内人体暴露在其中却不会