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时间:2020-06-09
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1、5场效应管放大电路场效应管是什么?—场效应管的结构、工作原理、特性、参数(5.1、5.3.1、5.3.2、5.5.1)场效应管有什么作用?—场效应管的使用、选用、应用(5.1.5、5.2、5.3.3、5.5.2)5场效应管放大电路5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管5.2MOSFET放大电路5.3结型场效应管(JFET)*5.4砷化镓金属-半导体场效应管5.5各种放大器件电路性能比较5场效应管放大电路本章内容1.了解MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应管)的结构和工作原理,掌握其符号、特性曲线、特
2、性方程、参数和应用。2.熟悉MOSFET放大电路的组成和工作原理,掌握其静态分析和动态分析。5场效应管放大电路本章要求3.了解JFET(结型场效应管)的结构和工作原理,掌握其符号、特性曲线、特性方程、参数和应用,熟悉其放大电路的组成和工作原理,掌握静态分析和动态分析。4.了解砷化镓金属-半导体场效应管的特点。5.掌握各种FET(场效应管)的特性及区别、各种放大器件电路性能及区别,熟悉场效应管使用注意事项。5场效应管放大电路重点难点重点:各种场效应管的符号、特性曲线、特性方程、参数、使用和应用;场效应管放大电路
3、的静态分析、动态分析和性能特点。难点:场效应管的结构、工作原理、特性曲线和特性方程,场效应管放大电路的工作原理、静态分析和动态分析。5.1.3P沟道MOSFET★1.P沟道增强型MOSFET★2.P沟道耗尽型MOSFET5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管本节内容5.1.1N沟道增强型MOSFET1.结构与符号2.工作原理3.V-I特性曲线及大信号特性方程5.1.2N沟道耗尽型MOSFET1.结构、符号和工作原理简述2.V-I特性曲线及大信号特性方程☆3.N沟道增强型、耗尽型管比较5.1金属-氧化物-
4、半导体(MOS)场效应管5.1.4沟道长度调制效应★1.理想饱和区特性★2.实际饱和区特性5.1.5MOSFET的主要参数一、直流参数二、交流参数三、极限参数☆3.四种MOS管汇总☻5.1.6MOSFET的特点与命名1.几点结论2.MOSFET特点3.与BJT比较5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管4.场效应管命名5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管本节要求1.了解N沟道增强型MOSFET的结构和工作原理,掌握其符号、特性曲线、特性方程和参数。2.了解N沟道耗尽型MOSFET的结构和工作原理,
5、掌握其符号、特性曲线、特性方程和参数。3.了解P沟道增强型、耗尽型MOSFET的结构和工作原理,掌握其符号、特性曲线、特性方程和参数。4.了解沟道长度调制效应。5.掌握MOSFET的主要参数。6.掌握MOSFET的特点,熟悉场效应管命名方法。5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管重点难点重点:N沟道增强型、耗尽型,P沟道增强型、耗尽型MOSFET的符号、特性曲线、特性方程和参数。难点:N沟道增强型、耗尽型,P沟道增强型、耗尽型MOSFET的结构和工作原理,特性曲线和特性方程。5.1金属-氧化物-半导体(
6、MOS)场效应管场效应管(FET)是什么?1.场效应管(FET)2.场效应管(FET)的分类场效应管(FieldEffectTransistor,简称FET):是一种利用输入电压(栅-源电压)vGS产生的电场效应来改变导电沟道的厚度,控制导电沟道的导电能力,从而达到用输入电压vGS控制输出电流(漏极电流)iD的半导体器件。5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管1.场效应管(FET)场效应:利用与半导体表面垂直的电场控制半导体的电导率或半导体中的电流。电压控制电流源器件iD=f(vGS)5.1金属-氧化物
7、-半导体(MOS)场效应管2.场效应管(FET)的分类1)按结构来划分(1)绝缘栅型场效应管(InsulatedGateFieldEffectTransister,IGFET)绝缘栅型场效应管也称金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管(MetalOxideSemiconductorFET,MOSFET)(2)结型场效应管(JunctiontypeFieldEffectTran-sister,JFET)2)按导电载流子来划分(1)N(电子)型沟道场效应管(2)P(空穴)型沟道场效应管场效应管种类多,可按不同角的
8、分类。5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管3)按工作原理来划分(1)增强(Enhancement)型(E型)场效应管(2)耗尽(Depletion)型(D型)场效应管场效应管绝缘栅型结型(属耗尽型)增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道N沟道P沟道5.1.1N沟道增强型MOSFETN沟道增强型MOSFET是怎样的?1.结构与符号2.工作原理3.V-I特性曲线及大信号特性方程5.1.1N沟道增强
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