时效态C17200合金的组织与性能.pdf

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1、第23卷第6期中国有色金属学报2013年6月Vb1-23No．6TheChineseJournalofNonferrousMetalsJune20l3文章编号：1004—0609f2013)06—1516—07时效态C17200合金的组织与性能彭丽军，熊柏青，解国良，洪松柏2解浩峰f1．北京有色金属研究总院有色金属材料制备加工国家重点实验室，北京100088；2．鹰潭兴业电子金属材料有限公司，鹰潭335000)摘要：采用x射线衍射(XgD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨电子显微镜(HRTEM)等分析手段研究C17200合金时效过程中微观组织演变，测试不同

2、时效工艺处理后合金的硬度和电导率等性能。结果表明：合金经320℃时效1h后，基体(200)主峰的左侧出现比较明显的低角度边带峰，即合金发生调幅分解，使得在基体的(1OO)面上形成圆盘状结构的GP区。合金在时效过程中存在两种析出方式：晶界不连续析出和晶内连续析出，且连续析出序列为a过饱和固溶体--~GP区一y，一y。调幅分解和y相析出是C17200合金在时效过程中硬度升高并达到峰值的主要原因。关键词：C17200合金；时效处理；调幅分解；微观组织中图分类号：TG1l1．5文献标志码：AMicrostructureandpropertiesofagingC172

3、00alloyPENGLi-jun，XIONGBai．qing，XIEGuo—liang，HONGSong．bai2，XIEHao-feng(1．StateKeyLaboratoryofNonferrousMetalsandProcess，GeneralResearchInstituteforNonferrousMetals，Beijing100088，China；2．YintanShineElectricMetalMaterialCo．，Ltd．，Yintan335000，China)Abstract：Themicrostructureevolutiono

4、fC17200alloywasstudiedintheprecipitationprocessbyX—raydifractometry,transmissionelectronmicroscopyandhigh-resolutiontransmissionelectronmicroscopy．Thehardnessandelectricalconductivityofthisalloyaftervariousagingprocesseswerealsotested．Theresultsshowthatafterthealloywasagedat320℃for

5、1h，lowangleside—bandpeakisobservedattheleftsideof(200)peakofthematrix，anddisk-likeGPzonesformon(100)planesofthematrixbyspinodaldecomposition．Bothdiscontinuousprecipitationandcontinuousprecipitationarefoundintheagingprocessofthealloyandtheprecipitationsequenceofthecontinuousprecipit

6、ationis6csupersaturatedsolidsolution---~GPzones---,7y．Makingthehardnessincreaseandreachthepeakvaluearemainlyattributedtospinodaldecompositionandyprecipitationduringtheagingprocess．Keywords：C17200alloy；agingprocess；spinodaldecomposition；microstructureC17200高铍铜合金是一种典型的析出强化型铜的组织演变过程及析

7、出相的结构进行了广泛深入的研合金，具有高强度、高弹性、耐蚀性、耐磨性、抗应究，认为其时效析出过程为固溶体---~GP区一()，”)一y'--+y[]力松弛性、抗疲劳性等诸多优良性能，被广泛地应用。在时效初期，GP区的形成会对后续亚稳相、于电子电器、航天航空和机械制造等领]。平衡析出相的析出和合金的强化起到重要作用，特别国内外学者对Cu—Be合金时效过程中的连续析出还会引起合金的性能变化。因此，BONFIELD等【运基金项目：北京市科技项目(10231103)收稿日期：2012．09—05；修订日期：2013-03—10通信作者：熊柏青，研究员；电话：010-

8、82241172；E-mail：Xiongbq@gr