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时间:2020-06-07
《江苏韦达半导体有限公司半导体分立器件制造项目环境影响报告表.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、建设项目环境影响报告表(公示稿)项目名称:半导体分立器件制造项目建设单位(盖章):江苏韦达半导体有限公司编制日期:2018年6月19日江苏省环境保护厅制《建设项目环境影响报告表》编制说明《建设项目环境影响报告表》由具有从事环境影响评价工作资质的单位编制。1、项目名称——指项目立项批复时的名称,应不超过30个字(两个英文字段作一个汉字)。2、建设地点——指项目所在地详细地址,公路、铁路应填写起止地点。3、行业类别——按国标填写。4、总投资——指项目投资总额。5、主要环境保护目标——指项目区周围一定范围内集中居民住宅区、学校、医院、保护文物、风景名胜区、水源地和生态敏
2、感点等,应尽可能给出保护目标、性质、规模和距厂界距离等。6、结论与建议——给出本项目清洁生产、达标排放和总量控制的分析结论,确定污染防治措施的有效性,说明本项目对环境造成的影响,给出建设项目环境可行性的明确结论。同时提出减少环境影响的其他建议。7、预审意见——由行业主管部门填写答复意见,无主管部门项目,可不填。8、审批意见——由负责审批该项目的环境保护行政主管部门批复。1建设项目基本情况项目名称半导体分立器件制造项目建设单位江苏韦达半导体有限公司法人代表纪纲联系人刘宏通讯地址扬州维扬经济开发区拓展区科技园路8号8联系电话传真—邮政编码225000建设地点维扬经济开
3、发区生态科技园8幢厂房(一层和二层)扬州市邗江区发展和改革立项审批部门项目代码2018-321003-39-03-517452委员会建设性质新建行业类别及代码C3972半导体分立器件制造占地面积(平方米)3537绿化面积(平方米)—其中:环保投资环保投资占总投资(万元)60002173.6%(万元)总投资比例评价经费(万元)—预期投产日期2018年12月原辅材料(包括名称、用量)及主要设施规格、数量(包括锅炉、发电机等)原辅材料:硅片28万片/年、三氯乙烯3.5t/a、无水乙醇10t/a、氢氟酸8t/a、氨水12t/a、盐酸25t/a、过氧化氢45t/a、光刻胶1
4、3t/a、显影液35t/a、漂洗液20t/a、硫酸15t/a、混合酸17.5t/a等;主要设备:曝光机5台、匀胶机4台、显影机2台、扩散炉10组、合金炉1台、粘片机3台、塑封机4台等。(详见工程分析)水及能源消耗量名称消耗量名称消耗量水(吨/年)64275.7燃油(吨/年)—电(千瓦时/年)300万燃气(立方/年)—燃煤(吨/年)—其它—废水(工业废水√、生活污水√)排水量及排放去向本项目废水主要为生活污水和生产废水,接管量约28061.708m3/a,生活污水依托生态科技园现有化粪池预处理,食堂废水依托生态科技园现有隔油池预处理,生产废水接入厂区与处理装置处理后
5、,接入新谊路市政污水管网,最终由扬州市汤汪污水处理厂集中处理,尾水排入京杭大运河。放射性同位素和伴有电磁辐射的设施的使用情况:本报告不涉及放射性同位素和电磁辐射评价。1工程内容及规模:(不够时可附另页)1、项目基本情况江苏韦达半导体有限公司成立于2018年1月,公司位于扬州维扬经济开发区拓展区科技园路8号8,经营范围有半导体放电管、可控硅器件、瞬态抑制二极管芯片研发、生产、销售。江苏韦达半导体有限公司拟投资6000万元,租用维扬经济开发区生态科技园第8幢厂房一层和二层,占地约3537平方米,建设面积约5777平方米,购置各类生产检测动力设备261台(套)。项目建成
6、达产后,可实现年产可控硅芯片12万片、瞬态抑制二极管(TVS)6万片、半导体放电管6万片以及可控硅成管1.8亿只的生产能力。企业发展规划本项目为过渡期项目,建设运行期计划两到三年,后期将重新选址建设。江苏韦达半导体有限公司位于维扬经济开发区生态科技园八号厂房,生态科技园东侧为空地,南侧为科技园路,西侧为新谊路,北侧为扬州中天利新材料股份有限公司(在建)(见附图5-建设项目周围概况图)。2、项目工程内容江苏韦达半导体有限公司半导体分立器件制造项目,一楼布置成管封装生产线,二楼布置4英寸分立器件芯片生产线,购置各类生产检测动力设备261台(套),最终年产可控硅芯片12
7、万片、瞬态抑制二极管(TVS)6万片、半导体放电管6万片以及可控硅成管1.8亿只的生产能力。拟建项目主体工程及产品方案见下表。本项目主体工程及产品方案一览表工程名称序运行(车间产品名称产品规格、型号设计能力号时数或生产线)单向可控硅:WC090W、WC107W、WC139W、WC170W、WC235Q、WC290Q4英寸可控硅芯片等;双向可控硅:WT107A、WT122A、12万片/年7200h分立器WT166A、WT210A、WT235A、WT252C、1件芯片WT280C、WT320C等生产线WSA89A(离子注入工艺)、WSC31B、半导体放电管芯片6万片/
8、年7200
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