台北市高氯离子混凝土建筑物鉴定手册 草案 .doc

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1、臺北市高氯離子混凝土建築物鑑定手冊一、適用範圍本鑑定手冊參考經濟部標準檢驗局於83年7月22日修訂之CNS3090A2042(預拌混凝土)，及87年6月25日修訂之CNS3090A2042(預拌混凝土)等國家標準，訂定本鑑定手冊之適用範圍如下：1、建築物結構體之硬固結構混凝土中最大水溶性氯離子含量超過0.6kg/m3。2、建築物結構體之硬固結構混凝土中最大水溶性氯離子含量介於0.3kg/m3至0.6kg/m3之間，且有明顯之「高氯離子混凝土建築物」相關之損害現象或不符原設計安全需求者。若鑑定標的物屬「高氯離子混

2、凝土建築物」，其後續處理有向主管機關申請加勁補強補助費或放寬重建容積率比例等需求者，尚須符合下列法規之規定：1、台北巿高氯離子混凝土建築物善後處理自治條例。2、臺北市政府辦理高氯離子混凝土建築物善後處理準則。二、鑑定依據1.“結構混凝土設計規範”，內政部民國91年6月27日台內營字第0910084633號令訂定，民國92年1月1日實施。2.“結構混凝土施工規範”，內政部民國91年7月8日第0910084735號令訂定，民國92年1月1日實施。3.“混凝土工程施工規範與解說”(土木402-96a)第17.5.5節

3、，中國土木水利工程學會，2007年10月。4.國家標準“CNS3090A2042(預拌混凝土)”第19節(新拌混凝土中最大水溶性氯離子含量規定)表10，民國83年7月22日修訂。5.國家標準“CNS3090A2042(預拌混凝土)”第19節(新拌混凝土中最大水溶性氯離子含量規定)表10，民國87年6月25日修訂。6.國家地震工程研究中心『鋼筋混凝土建築物耐震能力詳細評估分析方法(NCREE)』(推垮分析)。7.內政部建築研究所『鋼筋混凝土建築物耐震能力評估系統(SERCB)』(推垮分析)』。三、鑑定工作內容及方

4、法鑑定機關(構)受託辦理高氯離子混凝土建築物鑑定時，所作之試驗工作須委由經「財團法人全國認證基金會」(TAF)認證合格之機構為之。其鑑定內容應符合下列鑑定原則：1.各樓層混凝土檢測取樣數至少每200平方公尺一個，每樓層不得少於3個。2.損害調查：(1)損害現況紀錄及照相。(2)裂縫量測：含裂損狀況、裂縫寬度及長度。3.檢測項目應包括下列事項：(1)鋼筋檢測：目視檢測或斷面量測為主，必要時增加腐蝕速率檢測。(2)混凝土檢測：抗壓強度、氯離子含量、中性化深度及鋼筋保護層厚度檢測。3.1損害調查將各樓層之白華、析晶、

5、混凝土剝離或剝落、裂損狀況(註明裂縫寬度、長度)及鋼筋銹蝕狀況等損害現象，以損害現況調查表、照片及平面、立面(視需要)位置圖等逐項記載標示，作為損害狀況分佈位置及損害等級研判之依據。於進行結構安全評估、修復補強設計，及耐震能力詳細評估作業時，應分層分區研判裂損狀況對耐久性及安全性之折減係數。3.2鋼筋檢測鋼筋檢測項目包含目視檢測及斷面量測，必要時增加腐蝕速率檢測。鋼筋檢測之目的係為了解鋼筋剩餘有效斷面積及鋼筋握裹應力之折減係數之判斷依據。鑑定標的物經由鋼筋剩餘斷面積量測，及目視檢測觀察鋼筋保護層爆裂剝落、鋼筋腐

6、蝕外露、順筋向裂縫等現象，研判鋼筋腐蝕狀況。鋼筋剩餘有效斷面積量測，在安全評估之應用時，得採板、梁及柱等構材，分別分層、分區或分構材估計足以代表該區構材之折減係數應用之。3.2.1目視檢測目視檢測除觀察鋼筋保護層爆裂、剝落、鋼筋腐蝕外露、順筋向裂縫等現象之位置及數量，研判鋼筋腐蝕狀況外，若混凝土表面外觀無明顯異常時，可以小鐵錘輕敲混凝土表面，藉由聲音判斷鋼筋保護層是否有剝離狀況。3.2.2鋼筋斷面積量測鋼筋剩餘斷面積量測，其目的係為了解鋼筋剩餘有效斷面積，作為修復補強或耐震能力詳細評估之參考。量測時須局部打除鋼

7、筋周邊混凝土，以便正確判斷鋼筋剩餘斷面積。量測所得之鋼筋剩餘斷面積尚須扣除表層已銹蝕無效之部份。於進行結構安全評估、修復補強設計，及耐震能力詳細評估作業時，鋼筋有效斷面積折減係數得依不同構件，分層分區作判定。3.2.3鋼筋腐蝕電位及腐蝕速率檢測因高氯離子混凝土建築物均係已有產生明顯之損害現象，因此再作鋼筋腐蝕電位及腐蝕速率檢測項目，未必比目視檢測結果準確。因此若經由鋼筋剩餘斷面積量測，及目視檢測所觀察到之鋼筋保護層爆裂剝落、鋼筋腐蝕外露、順筋向裂縫等現象，已足夠研判鋼筋腐蝕狀況之等級時，則鋼筋腐蝕速率檢測項目可

8、免作；若上述鋼筋剩餘斷面積量測，及目視檢測結果不足以研判鋼筋腐蝕狀況之等級時，則視需要增作腐蝕速率檢測項目。鋼筋腐蝕電位檢測結果依據ASTMC-876之建議，參考電極以銅/硫酸銅(Cu/CuSO4)作為電解液來量測。鋼筋腐蝕機率檢測結果應依腐蝕狀況，依不同構件分層分區作判定。腐蝕電位(mV)對腐蝕速率的簡易判定表(ASTMC876-91)如下：銅／硫酸銅（Cu/CuSO4）(電位)mV