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时间:2020-06-03
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1、中国、日本、美国和国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法2008-03-2613:33一、中国半导体分立器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分:用汉语拼音字母表
2、示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管二、日本半导体分立器件型号命名方法由五至七部分组成。通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类
3、型。0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位
4、以上的整数-从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号;不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号;数字越大,越是近期产品。第五部分:用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。三、美国半导体分立器件型号命名方法美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下:第一部分:用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、(无)-非军用品。第二部分:用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-
5、n个pn结器件。第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如:JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管,JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。四、国际电子联合会半导体分立器件型号的命名法德国,法国,意大利,荷兰和比利时等参加欧洲共同市场的国家以及匈牙利,南斯拉夫,罗马利亚,波兰等东欧国家
6、,都采用 国际电子联合会晶体管型号命名法。其型号的组成部分的符号及意义:国际电子联合会半导体分立器件型号的组成部分及其意义A锗材料A检波开关和混频二极管M封闭磁路中的霍尔器件三位数字通用半导体器件的登记序号(同一类型器件使用同一 登记号)A同一型号器件按某一参数进行分档的标志B变容二极管P光敏器件B硅材料C低频小功率二极管Q发光器件D低频大功率二极管R小功率可控硅C砷化镓E隧道三极管S小功率开关管F高频小功率三极管T大功率可控硅一个字母加三位数字专用半导体器件的登记序号(同一类型器件使用同一登记号)D锑化铟G复合器件及其他器件U大功率开关管H磁敏二极管X倍增二极管R复
7、合材料K开放磁路中的霍尔器件Y整流二极管L高频大功率三极管Z稳压(齐纳)二极管在上表中所列的四个基本部分后面,有时还加后缀,以区别特性或进一步分类。常见的后缀有如下几类:(1)稳压二极管型号的后缀其后缀的第一部分是一个英文字母,表示稳压电压值的允许范围。其字母意义如下:符号:ABCDE允许误差:+/-1+/-2+/-5+/-10+/-15其后缀第二部分是数字,表示标称稳定电压的整数数值;后缀的第三部分是字母V,是小数点的代号;后缀的第四部分是数字,表示标称稳定电压的小数数值。(2)整流二极管型号的后缀是用数字表示反向峰值耐压值和最大反向开路电压值。对
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