钨酸锰的一步溶剂热法合成及其电容性能.pdf

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1、第31卷第2期湖北民族学院学报(自然科学版)V0】．31No．22013年6月JournalofHubeiUniversityforNationalities(NaturalScienceEdition)Jun．2013钨酸锰的一步溶剂热法合成及其电容性能黄猛，胡卫兵(1．湖北民族学院化学与环境工程学院，湖北恩施445000；2．湖北省生物资源保护与利用重点实验室(湖北民族学院)，湖北恩施445000)摘要：通过一步溶剂热法合成了MnWO纳米材料，用电镜(SEM，TEM)和x射线衍射(XRD)对MnWO纳米材料进行表征．结

2、果表明：MnWO纳米材料为长约为300nm，直径约为120nm的形貌似蚕茧状的晶体颗粒．将纳米蚕茧制备成电极，对其电化学测试表现出赝电容性能，"3-电流密度为0．1A·g时，比电容为13．9F·g～．关键词：钨酸锰；溶剂热法；纳米蚕茧；电容性能中图分类号：TB34文献标志码：A文章编号：1008—8423(2013)02—0121-04One—stepSolvothermalSynthesisofMnWO4andElectrochemical——capacityHUANGMeng．HUWei—bing’(1．Schoolo

3、fChemieMandEnvironmentalEngineering，HubeiUniversityforNationalities，Enshi445000，China；2．KeyLaboratoryofBiologicalResourcesProtectionandUtilizationofHubeiProvince，HubeiUniversityforNationalities，Enshi445000，China)Abstract：MnWO4nanomaterialswassuccessfulsynthesizedb

4、yone—stepsolvothermalmethod．Thesam-piewascharacterizedusingscanningelectronmicroscopy(SEM)，transmissionelectronmicroscope(TEM)andX—raydiffraction(XRD)．Itobtainedcocoon—likenanomaterialsofstableMnWO4phasewhichisabout120nmindiameterand300nminlength．Theresultsofelect

5、rochemicaltestsshowedtheconstraintcapacityperformance．Whentheamperedensitywas0．1A·g～，thespecificcapacitancewas13．9F·g～．Keywords：MnWO4；solvothermalmethod；nano—cocoon；capacitanceperformance半导体纳米材料在电学、光学及磁学等方面表现出良好的特性⋯．例如在光致发光、光纤、闪烁晶体、湿度传感器和磁性材料等领域，金属钨酸盐都有着潜在的应用[2-3]

6、，因而它们在近年来已经成为关注的焦点．MnWO粉体已经作为反铁磁材料、湿度传感器和铁电材料得到了广泛的研究j．然而对其是否具有电容性能研究较少．近年来，电化学电容器作为一类介于传统电容器和电池之间的新型储能器件，因具有优良的脉冲充放电性能以及传统物理电容所不具有的大容量储能性能、优良的可逆性及长循环寿命、质量轻等优点而被人们广泛的研究．锰常作为超级电容器储电的研究对象，因此选择钨酸锰测其电容性能是有必要的．本文通过一步溶剂热法"合成了蚕茧状纳米钨酸锰，并制备成电极对其进行电容性能测试．发现其亦具有一定的储电能力，与Sara

7、nya等报道比较来看，虽然合成方法和得到的形貌不一样，但是其测试结果相似．1实验部分1．1试剂六氯化钨(WC1)(AR)，环己醇(AR)，无水乙醇(AR)，二氯化锰(AR，无水)，丙酮(AR)，硫酸钠，聚偏收稿日期：2013—03—20．基金项目：国家自然科学基金项目(20871044)；黄冈师范学院重点实验室开放课题资助(2011BLKF54)；湖北民族学院博士启动资金项目(MY2009BO07)．作者简介：黄猛(1989一)，男，硕士生，主要从事纳米材料科学与应用方向研究；通信作者：胡卫兵(1956一)，男，博士，教授

8、，主要从事纳米材料和有机发光材料的制备及其应用研究．第2期黄猛等：钨酸锰的一步溶剂热法合成及其电容性能l232．3电容特性测试2．3．1循环伏安测试图4为MnWO电极在1MNaSO溶液中不同扫描速率下的循环伏安曲线．可以看出在循环伏安充放电过程中，有微弱的氧化还原峰．说明所制备的电极材料具有一定赝电容性