固体与半导体物理思考题与习题(2012年)

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1、7．散射的原因是什么？1．半导体呈本征型的条件？2．什么是非简并半导体？什么是简并半导体？3．n型和p型半导体在平衡状态下的载流子浓度公式？4．非简并半导体的费米能级随温度和杂质浓度的变化？5.半导体在室温全电离下的电中性条件？6.简并半导体形成杂质能带，能带结构有什么变化？10．多子的准费米能级偏离平衡费米能级与少子的偏离有什么不同？8．载流子的迁移率和电导率公式？9．什么是准费米能级？P320,p321p319p311p327P327,p331p335p336P341p343p352p353半导体物理

2、一.思考题18．在考虑表面态的情况下，怎样形成欧姆接触？11.爱因斯坦关系式？12．什么是p-n结的空间电荷区？自建场是怎样建立起来的？13．平衡P-N结和非平衡P-N结的能带图？15．什么是功函数？什么是电子亲和能？16．金属-半导体接触的四种类型？17．金属-半导体整流接触特性的定性解释？p366p370P371p376p37714.雪崩击穿和隧道击穿的机理。P382~p383p388p390p391p393试求时施主的浓度。1.某掺施主杂质的非简并Si样品，2.一p型半导体掺杂浓度，少子寿命，在均匀

3、光照下产生非平衡载流子，其产生率，试计算室温时光照情况下的费米能级并和原来无光照时的费米能级比较。设本征载流子浓度。二.习题3.某一P型硅，受主浓度，试求：（1）室温下费米能级的位置和功函数；（3）若形成阻挡层，求肖特基势垒高度已知：（2）不考虑表面态的影响，该p型硅分别与铂和银接触后，是否形成阻挡层？11.7大晶系是什么?固体物理1.什么是布拉菲格子？P2442.布拉菲格子与晶体结构之间的关系？3.什么是复式格子？复式格子是怎么构成的？P2444.原胞和晶胞是怎样选取的？它们各自有什么特点？P2455.

4、如何在复式格子中找到布拉菲格子？6.复式格子是如何选取原胞和晶胞的？7.金刚石结构是怎样构成的？P2498.氯化钠、氯化铯的布拉菲格子是什么结构?P248-2499.密堆积有几种密积结构?它们是布拉菲格子还是复式格子?P25010.8种独立的基本对称操作是什么?P254P251一.思考题21.驻波边界条件与行波边界条件下的状态密度分别怎么表示?12.怎样确定晶列指数和晶面指数？P255-25613.晶面指数与晶面在三坐标轴上的截距之间的关系？14.通过原点的晶面如何求出其晶面指数？15.倒格子的定义？正倒

5、格子之间的关系？P257-25916.一维单原子晶格的色散关系？色散关系周期性的物理意义？P266-26817.一维双原子晶格的色散关系?P26918.同一原胞内两种原子有什么振动特点？P270-27219.晶格振动的波矢数、格波支数及格波数是如何确定的？P27320.声子这个概念是怎样引出的？32.空穴的定义和性质？22.一维、二维、三维晶格的能级密度如何求出？23.在什么情况下电子的费米统计可用玻尔兹曼分布来描述？P28424.布洛赫定理的内容是什么?25.布洛赫波函数的形式？26.禁带出现的位置和禁

6、带宽度与什么有关?27.每个能带能容纳的电子数与什么有关？28.如何运用紧束缚近似下得出的能量公式？29.布洛赫电子的速度和有效质量公式？30.有效质量为负值的含义？31.绝缘体、半导体、导体的能带结构及电子填充情况有什么不同？P286-288P286P294P295P296，P298P298P300P301-3021.A、B两种原子组成的二维晶体，其原子排列(1)画出布拉菲格子(2)画出原胞和晶胞(1)(2)原胞晶胞二.习题2.(1)用简单立方晶胞画出晶列和晶面(2)求晶面指数3.一个由同一种元素的原子

7、组成的二维晶体，试问晶格振动有几支声学支？几支光学支？4.设有两块原子数同为N，体积分别为和的体心立方结构和面心立方结构的金属样品，求：（2）倒格子晶胞边长之比（3）晶格振动的格波波矢数是多少？（1）两块样品的晶胞边长之比（4）晶格振动的模式数是多少？5.（12.9）如果基矢构成简单正交系，证明晶面族的面间距为：6.如图所示的倒格子点阵画出第一、二、三布区。7.对于二维正方晶格（晶格常数为a），采用紧束缚近似证明在布区边界电子的速度平行于边界。