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时间:2020-05-21
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1、单晶硅常见图片分析及运南海之恋热场直拉单晶炉的热系统,也就是所谓的热场,是指为了熔化硅料,并使单晶生长保持在一定温度下进行的整个系统。热场一般包括压环、保温盖、上中下保温罩、石墨坩埚(三瓣埚)、坩埚托杆、坩埚托盘、电极、加热器、导流筒、石墨螺栓,且为了防止漏硅,炉底、金属电极、托杆、都设置了保护板、保护套。加热器底盘及配件石墨件附属热场正确安装顺序安装电极→炉底碳毡→反射底板→下保温罩→石墨环、石英环→加热器→中保温罩→石墨托杆→石墨托盘→装三瓣埚→下降主炉室→上保温罩→导气孔→保温盖板→装导流筒→压环热场煅烧工艺煅烧新的热场需要在真空下煅烧,煅烧时间约10小
2、时左右,煅烧3~5次,方能投入使用。使用后,每拉晶4~8炉后也要煅烧一次。煅烧功率,不同的热场不一样,一般要比引晶温度高,CZ1#炉子煅烧最高功率一般在110KW。直拉单晶硅工艺流程拆炉→清炉→装炉/装料→抽空→检漏→熔料→引晶→放肩→转肩→等径→收尾→停炉拆炉-安全生产基础拆炉的目的是为了取出晶体,清除炉膛内的挥发物,清除电极及加热器、导流筒、保温盖等石墨件上的附着物、石英碎片、石墨颗粒、碳毡尘埃等杂物。拆炉过程中要注意不要带入新的杂物。为了防止烫伤,要戴好高温防护手套。拆炉时取出炉内的部件,一般是按由上而下的顺序。取晶体:拧副室和炉盖处的螺丝时用力要均匀,
3、同时要确保晶体不要来回摆动。取出的晶体较烫,要放在晶棒筐里自然冷却,切记不能放在铁板上或晶体直接靠金属,否则会由于局部接触面传热太快产生热应力,造成后面切片加工过程中出现裂纹和碎片。导流筒、封气环、上防护板、导流筒定位环、导流筒定位盘一起取出。一定要注意要用力抓紧,而且注意不要碰到炉筒上缘。安全、仔细安全、规范、认真取石英坩埚:用钳子夹住石英坩埚上沿提起取出,切记不要用钳子等异物橇/敲三瓣埚,否则会影响三瓣埚的使用寿命。取三瓣埚及托杆:拿第一瓣时不容易拿,注意不要太用力碰到加热器,尽力向上提,这样拿可以减小对加热器的碰撞。再是手臂尽量垂直拿,以防碰到加热器,烫
4、伤手臂。取保温系统及加热系统:从上而下一件一件的取出放在不绣钢台车上。拿加热器时,两个人用力要一致,而且要确保抬加热器的工具处于安全状态。安全、规范、认真清扫的内容:石墨件、炉筒、炉盖、副室、排气管道等。检查石墨中轴螺丝、加热器螺丝、检查籽晶是否破损(剪籽晶时小心弹力过大)等。打磨重锤(用1000#的砂纸)清扫的目的是将拉晶或煅烧过程中产生的挥发物和粉尘用打磨、擦拭或吸除等方法清扫干净。注意在清扫的过程中不要引起尘埃飞扬,不然会污染工作现场,同时有害身体健康。清扫的工作都要在石墨清扫房进行,不允许在车间里进行。进入车间的石墨件要确保直接装炉,不允许再次清扫。安
5、全、规范、认真清扫排气管道:由于大量的氩气由机械泵排出,挥发出来的粉尘就会带入机械泵,直接影响它的使用寿命,因此在过滤罐里加了过滤网,过滤网将大部分粉尘阻挡下来,因此要每炉清罐,特别是要将过滤网清干净,否则影响抽空和排气,甚至在拉晶中发生断棱等现象。知识----在单晶生长过程中,硅熔液和石英坩埚等炉内物件会由于高温产生大量硅氧化物(主要成分是SiO,呈黄色烟尘状)、杂质挥发物以及挥发性气体。这些气尘粒子飘浮在单晶生长界面周围。当减小氩气流量时,能明显看到硅熔液上方有烟尘翻腾,俗称“冒烟”。氩气由上至下穿过单晶生长区域,带走气尘杂质。有时,SiO粒子可能会被吸附
6、到单晶生长界面上,造成正在生长的单晶的原子晶向发生位错,使单晶生长失败,俗称“断苞”,降低了成晶率。装炉-生产的保障组装加热系统和保温系统是和取出的顺序相反,后取的先装,先取的后装,是从下而上,按取出的相反顺序逐渐完成的。注意:装炉时要操作熟练,精力集中,避免中途发现漏装或错装。特别是大清更要多加注意。炉底部件:要确保下保、防漏底盘、防漏底板、反射板、反射板支座及其碳毡、电极柱等位置准确,防止加热后发生打火等现象。托杆、加热器:要确保托杆的稳固,加热器螺丝是否松动,加热器脚与反射板的距离不要太近,最好隔热板加上马蹄型的支架,防止反射板碳毡与加热器脚打火。合炉前
7、一定要测下加热器的电阻(其电阻率要大于30).保温系统:要确认好保温筒(上、中、下)、四瓣埚和加热器是否同心,若偏离太多,找出原因,重新安装。还应注意到光孔的位置要对正,否则测温不准影响拉晶。装完石墨件,确认无误后电脑方可初始化(此时籽晶、挂臂取下来且要确保无晶转/埚转等),然后可以装料。装料的规范装料时要轻放、慎重作业、不要使硅料掉在保温材料和加热器之间的缝隙。在埚底平铺一层粉、小型硅料,然后将大型硅料放在上面,大型硅料之间的间隙里填充粉、小型硅料,不要使大料架空。在装料到石英坩埚上层时,硅块靠坩埚壁尽量以点接触,避免面接触,造成挂边;最后将硅料堆成金字塔形
8、状,料的重心在石英坩埚中心,上部装料时
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