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时间:2020-05-21
《英飞凌功率器件的新技术在开关电源中的应用深圳.ppt》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在PPT专区-天天文库。
1、功率器件的新技术在开关电源中的应用王志力2013.7开关电源系统解决方案背景英飞凌提高PFC效率方案英飞凌提高LLC效率方案低待机功耗CoolSET总结开关电源未来发展方向到目前…效率未来趋势…效率&功率密度5年前现在201510W/inch³40W/inch³50W/inch³主功率部分ICE2HS01G开关电源系统解决方案推荐的白金电源系统架构600VCoolMOSTMCP/P6/C7IPP60R250CP600VCoolMOSTMP6/CFDIPA60R600P6SiCDiodeGen5IDH0
2、6G65C5PFC部分ICE3PCS01G辅助和待机部分ICE3AR2280JZ20W~25WICE2QR2280Z20W~25WBSC039N06NSICE3AR10080CJZSiCDiodeGen5CoolMOSTMP6/CFDCoolMOSTMCP/P6/C7新的OptiMOSTM开关电源系统解决方案背景英飞凌提高PFC效率方案英飞凌提高LLC效率方案低待机功耗CoolSET总结负载轻载半载满载效率96.99%97.05%96.53%开关电源系统解决方案PFC部分ICE3PCS01G英飞
3、凌在PFC部分的产品CoolMOSTM碳化硅二极管开关电源系统解决方案PFC部分MOSFET/SiC英飞凌第五代碳化硅介绍(600-650V):产品定义和市场定位价格性格(效率,密度)SiG2其它品牌2005G32009SoftsolderingDiffusionsolderingG52012第五代主要特征:Vbr=650V(G2,G3是600V)IF最大到40AVf=1.5V(所有电流)通态损耗≤G2&4、化硅二极管和热特性降低热阻:更好的散热结构更低的芯片结温更低的通态损耗热仿真:在TO-220封装等效的尺寸,损耗功率=75WImprovedSold.ImprovedSold.+Thin-WaferG5G3G2Rth=2.0K/WRth=1.5K/WRth=1.2K/W-Vbr=650V全部的五代产品-英飞凌提供市场上在650V最宽范围的碳化硅二极管IDxxxSG6xC5InfineonDiodePackagetypeCurrentrateSiC(omittedinG5)Diffusionsolder5、ingX10isVbrvoltageSurgecurrentcapabilityExplicitreferencetoG5-最大电流等级从16A到40A-共五种封装;其中三个新封装NomenclatureTO220R2LTO247D2PAKR2LThinPAK8x82AIDH02G65C5IDK02G65C5IDL02G65C53AIDH03G65C5IDK03G65C54AIDH04G65C5IDK04G65C5IDL04G65C55AIDH05G65C5IDK05G65C56AIDH06G65C56、IDK06G65C5IDL06G65C58AIDH08G65C5IDK08G65C5IDL08G65C59AIDH09G65C5IDK09G65C510AIDH10G65C5IDW10G65C5IDK10G65C5IDL10G65C512AIDH12G65C5IDW12G65C5IDK12G65C5IDL12G65C516AIDH16G65C5IDW16G65C520AIDH20G65C5IDW20G65C530AIDW30G65C540AIDW40G65C5开关电源系统解决方案PFC部分第五代碳化7、硅二极管产品目录英飞凌在PFC部分的产品CoolMOSTM碳化硅二极管开关电源系统解决方案PFC部分MOSFET/SiCCoolMOSTM系列在硬开关和软开关的应用推荐650VC7最低的导通电阻最低的FOM[RDS(on)×Qg]最快的开关性能较CP系列更容易使用适合高效率要求的升压变换BestinClass:IPW65R019C7IPP65R045C7开关电源系统解决方案PFC部分CoolMOSTM600VP6低Qg和相对C6/E6系列更小的内部驱动电阻为软开关拓扑优化开启电压体内二极管耐用性好8、更高的dv/dt适合优化性价比的升压变换BestinClass:IPW60R041P6MeasureCPC7ImprovementCoss[pF]1606560%Eoss@400V[µJ]231250%Qg1549340%dv/dtlimit50100100%650VCoolMOS™C7C7和CP性能对比-45mOhmMeasureCPC7ImprovementCoss[pF]1606560%Eoss@400V[µJ]231250%Qg1549340%
4、化硅二极管和热特性降低热阻:更好的散热结构更低的芯片结温更低的通态损耗热仿真:在TO-220封装等效的尺寸,损耗功率=75WImprovedSold.ImprovedSold.+Thin-WaferG5G3G2Rth=2.0K/WRth=1.5K/WRth=1.2K/W-Vbr=650V全部的五代产品-英飞凌提供市场上在650V最宽范围的碳化硅二极管IDxxxSG6xC5InfineonDiodePackagetypeCurrentrateSiC(omittedinG5)Diffusionsolder
5、ingX10isVbrvoltageSurgecurrentcapabilityExplicitreferencetoG5-最大电流等级从16A到40A-共五种封装;其中三个新封装NomenclatureTO220R2LTO247D2PAKR2LThinPAK8x82AIDH02G65C5IDK02G65C5IDL02G65C53AIDH03G65C5IDK03G65C54AIDH04G65C5IDK04G65C5IDL04G65C55AIDH05G65C5IDK05G65C56AIDH06G65C5
6、IDK06G65C5IDL06G65C58AIDH08G65C5IDK08G65C5IDL08G65C59AIDH09G65C5IDK09G65C510AIDH10G65C5IDW10G65C5IDK10G65C5IDL10G65C512AIDH12G65C5IDW12G65C5IDK12G65C5IDL12G65C516AIDH16G65C5IDW16G65C520AIDH20G65C5IDW20G65C530AIDW30G65C540AIDW40G65C5开关电源系统解决方案PFC部分第五代碳化
7、硅二极管产品目录英飞凌在PFC部分的产品CoolMOSTM碳化硅二极管开关电源系统解决方案PFC部分MOSFET/SiCCoolMOSTM系列在硬开关和软开关的应用推荐650VC7最低的导通电阻最低的FOM[RDS(on)×Qg]最快的开关性能较CP系列更容易使用适合高效率要求的升压变换BestinClass:IPW65R019C7IPP65R045C7开关电源系统解决方案PFC部分CoolMOSTM600VP6低Qg和相对C6/E6系列更小的内部驱动电阻为软开关拓扑优化开启电压体内二极管耐用性好
8、更高的dv/dt适合优化性价比的升压变换BestinClass:IPW60R041P6MeasureCPC7ImprovementCoss[pF]1606560%Eoss@400V[µJ]231250%Qg1549340%dv/dtlimit50100100%650VCoolMOS™C7C7和CP性能对比-45mOhmMeasureCPC7ImprovementCoss[pF]1606560%Eoss@400V[µJ]231250%Qg1549340%
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