模电练习题整理.doc

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1、1．8图P1.8所示电路中，设ui=1.5sinωt(V)，二极管具有理想特性，试分别画出开关S处于A、B、C时，输出电压uo的波形。2.1图P2.1所示电路中的三极管为硅管，试判断其工作状态。解：（a）UBE=0.7－0V=0.7V，UBC=0.7V－3V<0，故该NPN管发射结正偏，集电结反偏，工作在放大状态。（b）UBE=2V－3V<0，UBC=2V－5V<0，故该NPN管发射结与集电结均反偏，工作在截止状态。（c）UBE=3V－2.3V=0.7V，UBC=3V－2.6=0.4V，故该NPN管发射结与集电结均正偏，工作在饱和状态。（d）UBE=

2、－2.7V－（－2V）=－0.7V，UBC=－2.7－(－5V)>0，故该PNP管发射结正偏，集电结反偏，工作在放大状态。（e）UBE=－3.7V－（－5V）>0，UBC=－3.7V－（－3V）=－0.7V，故该PNP管发射结反偏，集电结正偏，工作在倒置状态。2.3对图P2.3所示各三极管，试判别其三个电极，并说明它是NPN管还是PNP管，估算β值。解：（a）因为iB

3、，电容对交流信号的容抗近似为零，us=sinωt(mV)，三极管参数为β=80，UBE（ON）=0.7V，rbb′=200Ω，试分析：（1）计算静态工作点参数IBQ、ICQ、UCEQ；（2）画出交流通路和小信号等效电路；（3）求uBE、iB、iC、uCE。解：（1）计算电路的静态工作点（2）画出放大电路的交流通路和小信号等效电路如图解P2.7（a）、（b）所示（3）动态分析，求交流量ube、ib、ic、uc由于IEQ≈1.92mA，故可求得2.11场效应管的转移特性曲线如图P2.11所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出UGS（

4、off）、IDSS；对于增强型管求出UGS（th）。解：（a）由于uGS可为正、负、零、故为耗尽型MOS管；由于uGS（off）=－8<0，故为N沟道耗尽型MOS管，其电路符号如图解P2.11（a）所示。由图P2.11(a)可得IDSS=4mA。（b）由于uGS≤0，故为N沟道结型场效应管，其电路符号如图解P2.11（b）所示。由图P2.11（b）可得UGS（off）=－5V，IDSS=5mA。（c）由于uGS可为正、负、零，且UGS（off）=2V，故为耗尽型PMOS管，电路符号如图解P2.11（c）所示。由图P2.11（c）可得UGS（off）=

5、2V,IDSS=2mA.（d）由于uGS>0，故为增强型NMOS管，电路符号如图解P2.11（d）所示，由图P2.11（c）可得UGS(th)=1V。2.12场效应管的输出特性曲线如图P2.12所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出UGS（off）、IDSS；对于增强型管求出UGS（th）。解：（a）由于uGS可为正、负、零，UGS（off）=－1.5V，故为耗尽型NMOS管，电路符号如图解P2.12（a）所示。由图P2.12(a)可得，uGS=0V时的漏极饱和电流值为IDSS≈0.8mA.(b)由于uGS>0，故为增强型NMO

6、S管，电路符号如图解P2.12（b）所示。由图P2.12（b）可得UGS（th）=2V（C）由于UGS≤0，故为N沟道结型场效应管，电路符号如图解P2.12（c）所示。由图2.12(c)可得UGS（Off）=－4V，IDSS=4mA(d)由于uGS＜0，故为增强型PMOS管，电路符号如解图P2.12（d）所示。由图2.12(d)可得UGS（th）=-1V。3.2放大电路如图P3.2所示，已知三极管β=100，rbb′=200Ω，UBEQ=0.7V，试（1）计算静态工作点ICQ、UCＥQ、IBQ；（2）画出H参数小信号等效电路，求Au、Ri、Ro；（3

7、）求源电压增益Aus。解：（1）求静态工作点3.4放大电路如图P3.4所示，已知三极管的β=100，rbb’=200Ω，UBEQ=0.7V，试：（1）求静态工作点ICQ、UCEQ；（2）画出H参数小信号等效电路，求Au、Ri、Ro；（3）求源电压增益Aus。3.10共集电极放大电路如图P3.10所示，已知β=100,rbb’=200Ω，UBEQ=0.7V。试：（1）估算静态工作点ICQ、UCEQ；（2）求Au=uo/ui和输入电阻Ri、输出电阻Ro。解：（1）估算静态工作点由图可得3.31电路如图P3.31所示，UCES≤2V，试回答下列问题：（1）

8、ui=0时，流过RL的电流有多大？（2）R1、R2、V3、V4各起什么作用？（3）为保证输出波形不失真，输入