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《基于串行FRAM的固态存储器构建.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、第41卷第3期计算机工程2015年3月Vo1.4lNo.3ComputerEngineeringMarch2015·体系结构与软件技术·文章编号:1000-3428(2015)03.0064.07文献标识码:A中图分类号:TP333基于串行FRAM的固态存储器构建张小呜,宋磊(常州大学信息科学与工程学院,江苏常州213164)摘要:为简化嵌入式系统利用NAND闪存保存大容量数据的设计复杂性,提出一种利用铁电随机存储器(FRAM)构建固态存储器实现快速高效存取的方法。制定串行FRAM与RAM相结合的最优存储协议,给出查询存储器块的概念和串行FRAM存储
2、数据的快速查询算法,介绍串行FRAM与RAM相结合的存储协议和FM24W256的块读写算法。51单片机的电机驱动总成载重测试仪设计与工业性实验结果表明,利用FRAM设计的固态存储器,具有软硬件开销小、存取速度快、实现简单可靠的特点,能满足嵌入式系统长期存储的要求。关键词:固态存储器;铁电随机存储器;存储协议;I2C总线;数据查询;块读/写中文引用格式:张小呜,宋磊.基于串行FRAM的固态存储器构建[J].计算机工程,2015,41(3):64—7O.英文引用格式:ZhangXiaoming,SongLei.ConstructionofSolid—st
3、ateMemoryBasedonSerialFRAM[J].ComputerEngineering,2015,41(3):64-70.ConstructionofSolid.stateMemoryBasedonSerialFRAMZHANGXiaoming,SONGLei(CollegeofInformationScienceandEngineering,ChangzhouUniversity,Changzhou213164,China)【Abstract】InordertosimplifythedesigncomplexityofusingNAND
4、flashstoragetosavemassdatainembeddedsystems,amethodofconstructingsolidstatememoryusingFerroelectricRandomAccessMemory(FRAM)toachievefastandefficientaccessispresented.TheoptimalprotocolofthecombinationofserialFRAMandRAMisdeveloped.Theconceptofmemoryblockqueryandfastqueryalgorith
5、mofserialFRAMdatastorageareproposed.ThestorageprotocolofthecombinationofserialFRAMandRAMandthealgorithmofblockread/writeareintroduced.Thedesignofmotordrivesystemloadtesterbasedon51singlechipmicrocomputerandindustrialtestsshowthatthesolidstatememorydesignedbyferroelectricmemoryh
6、assmallersoftwareandhardwareoverhead,fasteraccessspeed,therealizationofsimpleandreliable.Itmeetsthelong—termstoragerequirementsofembeddedsystems.【Keywords】solidstatememory;FerroelectricRandomAccessMemory(FRAM);storageprotocol;I2Cbus;dataquery;blockread/writeDOI:10.3969/j.issn.1
7、000—3428.2015.03.012擦写有限次(约100万次),容量兆比特级,适合大数1概述据量的快速、频繁存储。铁电存储器(Ferroelectric目前嵌入式系统扩展固态(不易失)存储器的类RandomAccessMemory,FRAM)是一种兼备随机存型主要有3种:EEPROM存储器,NANDFLASH存储器和非易失性存储器特性的高性能不易失存储储器,FRAM存储器。这3种固态存储器各有优缺器,字节存取速度快(串行FRAM为微妙级~毫秒点,应用场合不尽相同。EEPROM的字节存取速度级,并行FRAM为纳秒级),功耗极低(微安级),可慢(毫秒
8、级),写入一般需要5ms~10ms的等待数擦写无限次(100兆以上,即10次),容量千比特级,据写入时间,功
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