三极管雪崩窄脉冲电路设计.doc

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1、三极管雪崩窄脉冲电路设计窄脉冲发射机主要是产生经过调制后的窄脉冲并将信号从天线发射出去，其中关键的是如何产生需要的窄脉冲信号，本文在参考探地雷达脉冲和IR-UWB产生的基础上，根据现有的和实际的情况，选择了适合的发射电路。§1.1雪崩三极管窄脉冲产生原理雪崩晶体三极管是可以用来产生比较高速、大功率窄脉冲的器件，它价格便宜、使用方便，因此得到广泛运用。图1.1共发射极输出特性曲线从图1.1中可以看出，按照晶体管的工作情况，可以把共发射极接法的输出特性曲线分为四个区域：截止区、放大区、饱和区和击穿区。当发射结反向运用，集电结也反向运用时，晶体管处于截止区。当发射结

2、正向运用，集电结反向运用时，晶体管处于放大区。当发射结和集电结都处于正向运用状态时，晶体管处于饱和区。在放大区工作时，如果将集电极和发射极间的电压增加到一定程度，就会使集电结发生雪崩击穿，雪崩击穿电压较高，一般6伏，击穿后集电极电流急剧上升。下面分析晶体三极管发生雪崩效应的过程。集电结反向偏压很大，集电结空间电荷区内电场强度达到发生雪崩倍增效应时，电流通过集电结空间电荷区，由于雪崩倍增，电流增大，因此引进倍增因子为电流增大的倍速，定义为雪崩区内集电结电流与基结电流的比值，数值上等效于雪崩区域内电流放大系数与正常工作区域内电流放大系数的比值。图1.2测量原理电路

3、图图1.3测量原理电路图在基极开路的共发射极电路中，外加电压比较小而没有发生雪崩倍增情况下，电路电流关系为：(1-1)若外加电压较高，集电结发生雪崩倍增效应，这时的电流放大系数为，基区的电流为，电路电流关系变为：(1-2)当，时，晶体管发生了击穿，当时，间所加的反向电压就是。实验表明，倍增因子与外加反向电压的关系为：(1-3)其中为集电结雪崩击穿电压，对于基极开路的情况，近似等于，为常数，与晶体管的结构和材料有关[8]，具体取值如表1.1：表1.1的数值导体材料集电结掺杂区为N型集电结掺杂区为P型硅42锗36对于不同的值，应用值表达式可以仿真出外加电压倍增因子

4、与，三者之间的关系，仿真图如下：图1.4倍增因子与，关系从图1.4中可以看出，在一定的时候，越大，则值越小；当外加电压一定时，越小，则雪崩电流增加得越大；当一定的情况下，只有增大外加电压的值，值才会变大，雪崩电流才会显著增加，所以在观察晶体管的雪崩现象时，外加电压要有一定的要求，否则雪崩现象就不会明显[9]。因此在选择雪崩晶体管时，雪崩击穿电压是一个比较重要的标准。在集电结为雪崩击穿的情况下，设，代入值表达式，在晶体管发生了雪崩击穿时，，=，于是有：(1-4)由化简得（为大电流直流放大系数）(1-5)由于一般情况下大于1，因此总是大于，在知道和后可以近似估算出

5、，可以看出越大，与的差值就越大，这在给选择雪崩三极管提供了一个重要的依据。§1.2基于三极管雪崩效应的大幅度脉冲电路设计与测试应用单个晶体三极管可以构成一个基本的雪崩电路，其原理如图1.5所示：图1.5晶体管雪崩效应窄脉冲形成电路从电路图1.5中可以看出，晶体管雪崩电路图与基本的三极管开关电路一样，都是通过三极管结间导通截止从而形成输出波形，所不同的是三极管开关电路工作在饱和、截止区，而雪崩电路工作在雪崩区，两者之间的差别在于所加的电源电压不同，工作点不同。其实从本质上来说，雪崩电路也是一种开关电路，只不过这种电路工作在雪崩区，开关速度非常快，这是由于在导通时

6、电流是雪崩式地成倍增长而流过的缘故。基于图1.5电路，三极管型号为S8085D331，当所加电源低于雪崩电压VCC=24V时，输出脉冲幅度为4.32V，脉冲宽度为60ns，测量到的脉冲波形如下：图1.6三极管工作在开关状态输出波形图1.7开关管输出波形从测量的波形可以看出，由于输入端有=100p电容和=1kΩ构成了微分电路，输入到三极管基极的100kHz，幅度为2V的方波被微分了，在上升沿和下降沿形成了脉冲，从图上可以看出，输出的波形为反相的开关电路。在本次制作中，根据图1.2和图1.3测量了型号为S8085D331、S9014C331、S9013H311、2

7、N3094四种常见三极管的和，实际测量值如表1.2所示：表1.2三极管型号（）S8085D331（254）100V34.2VS9013H311（194）103.6V37.2VS9014C331（329）121V75V2N3094（200）>120V61.4V应用四种三极管在图1.5中分别做了测试，其中=100p，=1kΩ，=10kΩ，=100p，=61.5Ω输入外部触发脉冲为100kHz,幅度2V的方波，改变VCC值，示波器为泰克TDS2024，采样率为2GS/S，带宽200MHz，探头为200MHz，得到的测试数据如表1.3所示：表1.3三极管型号雪崩前雪崩

8、后电源幅度脉冲幅度脉冲宽度电源幅度脉冲