高抗撕裂硅橡胶复合材料的制备.pdf

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1、力口工·应用合CH成IN橡【A胶工SY业NT,2H0E1T5I—C03R—U15BB,3E8R(2)IN:1D4U1S~T1R4Y4高抗撕裂硅橡胶复合材料的制备李智敏,吴友平(北京化工大学北京市新型高分子材料制备与成型加工重点实验室/北京市先进弹性体工程技术研究中心,北京100029)摘要:研究了羟基硅油和四甲基四乙烯基环四硅氧烷(V4)对气相法白炭黑增强甲基乙烯基硅橡胶(VMQ)复合材料性能的影响。结果表明,在VMQ用量为100份、气相法白炭黑用量为40份时,加入羟基硅油可明显降低混炼胶的Payne

2、效应,有效改善白炭黑的分散性;当其用量为5份时,复合材料的综合力学性能最优。在添加5份羟基硅油的基础上,加入V4可显著提高VMQ复合材料的撕裂强度,其用量为4份时,撕裂强度可达42.2kN/m。关键词:甲基乙烯基硅橡胶;羟基硅油;四甲基四乙烯基环四硅氧烷;白炭黑;撕裂强度中图分类号:TQ333.93文献标志码:B文章编号:1000一l255(2015)02—0141一O4硅橡胶作为特种橡胶,其电绝缘性、耐高低温(V4)一般用于开环聚合制备甲基乙烯基硅橡胶性、耐老化性、生物惰性以及光学性能等都具有突(V

3、MQ)H-1,但由于v4具有4个乙烯基,且为出的表现,使其在医疗、化工、航空航天等各方面规整的环状分子结构,可在VMQ中形成集中交得到广泛应用¨。在电子、航空工业领域中,大联点结构,因此本研究探讨了V4对气相法白炭量结构复杂的小型零件属于硅橡胶制品,要求硅黑增强VMQ复合材料性能的影响。橡胶在低硬度下具有较高的撕裂强度,因此提高硅橡胶的撕裂强度成为研究重点。气相法白炭1实验部分黑是硅橡胶主要的增强填料,人们对白炭黑增1.1主要原材料强硅橡胶的机理也已有深刻认识。改善硅橡VMQ,牌号l10—2,四川晨光

4、化工研究院生胶撕裂强度的分子设计方法主要是在合成过程中产;气相法白炭黑,牌号AEROSIL200,德国改变硅橡胶分子链的结构,如合成具有特定分子Degussa公司生产;羟基硅油,牌号GY209—3,四结构的高相对分子质量嵌段聚(二甲基一甲基乙川晨光化工研究院生产;V4,工业级,上海多林化烯基一b一二苯基一b一二甲基一甲基乙烯基)硅工科技有限公司生产;2,5一双(叔丁基过氧氧烷。共混填充改性也能提高硅橡胶的抗化)一2,5一二甲基己烷(DBPMH),市售工业品。1.2试样制备撕裂能力。多项研究对不同乙烯基

5、含量硅橡胶共混提高硅橡胶的撕裂强度进行了探讨;采用基本配方(质量份):VMQ100,气相法自炭黑40,羟基硅油0~10,V40~8,DBPMH0.8。不同种类的硅烷偶联剂改性白炭黑¨后填充增将VMQ加入上海机械一厂生产的XK一160强硅橡胶,添加具有一定结构的添加剂作为集中型开炼机,依次加入气相法白炭黑、结构化控制剂交联剂参与硫化交联过程,其中添加剂主要为高羟基硅油、V4及硫化剂DBPMH,制备混炼胶。乙烯基含量的硅油,也有对其他结构的添加剂进采用北京环峰仪器有限公司生产的MR—C3硫行的研究,如含巯

6、基的聚硅氧烷¨、含乙烯基的化仪在170oC下测定正硫化时间(t。),采用上海硅树脂¨等。硅橡胶的抗撕裂增强机理可以用适度集中交联理论来解释。集中交联剂作为集中交联中心参与硅橡胶的交联过程,从而形成非均收稿日期:2014—03—13;修订日期:2015—01—16。作者简介:李智敏(1987一),女,河北保定人,硕士研究生。匀的交联网络结构,撕裂过程中使应力通过集中主要从事橡胶复合材料方面的研究,已发表论文1篇。交联点均匀分散到周围的分子上,使撕裂强度得基金项目:国家自然科学基金资助项目(5133300

7、4)。到较大提高⋯。四甲基四乙烯基环四硅氧烷通讯联系人。合成橡胶工业第38卷第一橡胶机械厂生产的XOLB一350型平板硫化2.1.2力学性能机硫化试样,硫化条件为170℃×t。。由表I可以看出,加入羟基硅油后,硫化胶的1.3分析与测试硬度明显降低,扯断伸长率明显升高,这主要是由采用北京环峰仪器有限公司生产的MR—C于羟基硅油明显抑制了胶料中白炭黑的结构化,3型硫化仪测定胶料的硫化特性。采用深圳新三削弱了白炭黑网络结构的缘故,这与RPA的测试思材料检测有限公司生产的CMT4104型拉力结果一致。另外,随

8、着羟基硅油用量的增加,机,分别按照GB/T528—1998、GB/T529—1999100%和300%定伸应力明显降低,拉伸强度及撕测定硫化胶的拉伸强度和撕裂强度;测试撕裂强裂强度也有所降低。综合RPA和力学性能的结度时,记录撕裂过程中的力一位移曲线,同时用数果来看,作为结构控制剂,羟基硅油用量5份码相机拍摄撕裂试样的撕裂形貌。采用营口市材为宜。料试验机厂生产的XSH型邵尔A型硬度计,按照GB/T531—1999测定邵尔A硬度。采用美国Table1Mec

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