模拟电子技术作业复习题答案.doc

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1、第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b)10、(b)11、(c)12、(a)13、(a)14、(b)15、(a)16、(c)17、(b)8、(a)19、(a)20、(b)21、(c)22、(c)三、解：UO1≈1.3V，UO2＝0，UO3≈－1.3V，UO4≈2V，UO5≈1.3V，UO6≈－2V。四、解：UO1＝6V，UO2＝5V。五、解：图(a)：D截止，UAB=－12V；图(b)：D导通，UAB=15V；图(c)：D1导通、D2截止，UAB=0V；图(

2、d)：D1截止、D2导通，UAB=－15V。六、解：ui和uo的波形如题6解图所示。题6解图题6解图七、解：ui和uo的波形如题7解图所示。题7解图八、解设D1、D2导通时的电压降为UD1、UD2。图(a)UAB=UZ1+UZ2=6+8=14V；图（b)UAB=UZ1=6V；图(c)UAB=UZ1+UD2=6+0.7=6.7V；图(d)UAB=UD1=0.7V。九、解：稳压管的最大稳定电流IZM＝PZM/UZ＝25mA电阻R的电流为IZM～IZmin，所以其取值围为十、解：1、当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故

3、当UI＝15V时，稳压管中的电流大于最小稳定电流IZmin，所以UO＝UZ＝6V同理，当UI＝35V时，UO＝UZ＝6V。2、29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。十一、解设流过D1、D2、R1、R2的电流分别为iD1、iD2、i1、i2，它们的规定正方向如题11解图(a)所示。当D1、D2均导通时，iD2=i2=iD1=－(i1+iD2)=可见，D1导通的条件是＞12V，D2导通的条件是＜18V。故≤12V时，D1截止、D2导通，uO=6+；12V＜＜18V时，D1、D2均导通，uO=；≥18V时，D1导通、D2截止，uO=18V。由此可作出电压传输特性曲线如

4、题11解图(b)所示。题11解图十二、解：波形如题12解图所示。题12解图第二章参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√10、×11、√12、×13、×二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b)10、(c)11、(b)12、(a)13、(c)14、(b)15、(c)16、(b)17、(b)18、(c)19、(b)20、(a)21、(c)22、(a)23、(c)24、(c)25、(a)26、(c)27、(c)28、(c)29、(a)30、(b)31、(c)32、(b)33、(b)34、(a

5、)(a)(a)35、(c)36、(a)37、(c)38、(c)39、(b)40、(c)41、(c)42、(b)43、(b)44、(c)45、(c)46、(b)47、(b)48、(b)49、(a)50、(a)51、(c)52、(c)33、(c)(c)54、(c)(a)二、填空题1、NPN,PNP；硅，锗；电子和空穴。2、P区和N区的位置不同。3、，小。4、集电极。5、1，99。6、共射极、共集电极，共基极接法。7、降低，增大，增大。8、，。9、0.5V，0.1V。0.7V，0.2V。10、减小。11、发射极，集电极，基极，PNP，锗。12、线性放大，，、。13、管子的结温允许值的

6、大小。14、15mA,100mA,30V。15、电压。16、饱和，截止，①静态工作点不合适，太高或太低；②输入信号幅值太大。17、饱和，截止。18、饱和，截止。19、；。小了。20、温度变化引起元、器件参数变化，直流负反馈。21、。22、共集电极，共基极，共射极。共基极，共集电极，功率。23、直接耦合，变压器耦合，阻容耦合。24、零点漂移，静态工作点相互影响。25、输入信号为零时，输出信号缓慢的无规则的变化。26、80，。27、线性失真，频率失真。28、幅度，相位。29、频域法和时域法，或稳态法和瞬态法。30、耦合电容和旁路电容；结电容，分布电容。31、共基极。32、3，。33

7、、降低；升高。34、①不变，减小，不变。②减小，不变，增大。③不变，不变，减小。四、解：根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将各点连接成曲线，即为临界过损耗线，如题4解图所示。临界过损耗线的左边为过损耗区。题4解图五、解：（1）Rb＝50kΩ时，基极电流、集电极电流和管压降分别为μA所以输出电压UO＝UCE＝2V。（2）设临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以六、答案