电工电子技术下册习题库.doc

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1、第九章一、填空题1、本征半导体自由电子浓度空穴浓度；N型半导体的自由电子浓度空穴浓度；P型半导体的自由电子浓度空穴浓度（大于；小于；等于）。2、P型半导体中空穴为________载流子，自由电子为________载流子。3、二极管最主要的电特性是，在常温下，硅二极管正向导通压降约为；锗二极管正向导通压降约为。4、下图所示各电路中二极管为理想二极管，则VD，（导通；截止），UAB=。5、如图电路中，D1为硅二极管，D2为锗二极管，则D1处于状态，D2处于状态。6、若稳压二极管V1和V2的稳定电压分别为5V和9V，求图示电路的输出电压uO（忽略二极管正向导通电压）。图

2、a，u0=图b，u0=图c，u0=7、判断下图所示各电路中二极管是导通还是截止，并求UAB（设二极管均为理想二极管）图a：VD______，UAB=____。图b：VD______，UAB=______。二、选择题1、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于。A、反向偏置击穿状态B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态D、正向偏置未导通状态2、杂质半导体中的少数载流子浓度取决于_________。 A掺杂浓度B工艺C温度D晶体缺陷3、在单相桥式整流电路中，所用整流二极管的数量是。A、一个B、二个C、四个D、六个4、整流的目的是。。A、将交流变为直流B、将高频变为低

3、频C、将正弦波变为方波D、将直流变为交流三、计算题1、如图所示桥式整流电路，若u的波形是正弦波，试说明该电路的工作原理，并画出uo的波形。解：u正半周，Va>Vb，二极管1、3导通，2、4截止，uo=u；u负半周，Va8V，二极管导通，可看作短路，uo=8Vui<8V，二极管截止，可看作开路uo=ui第十章一、填空题BCE1、该符号表示（PNP、NPN）型晶体管。其中C为，B为，E为。2、三极管的三个工作区域是、、。3、当三极管作为开关使用

4、时，其工作在区和区。若半导体三极管发射结正偏，集电结反偏，则该三极管工作在区。4、晶体管工作在区时,相当于闭合的开关;工作在时,相当于断开的开关。5、NPN型晶体管处在放大状态时，三个电极以电位高，电位最低。6、某晶体管的管压降UCE不变，基极电流为30uA时，集电极电流等于3mA；这时这只晶体管的β=。7、三极管出现饱和失真是由于静态工作点设置偏；出现截止失真是由于静态工作点设置偏；解决截至失真的办法是将RB调。二、选择题1、射极跟随器具有_________特点。A、电流放大倍数高　B、电压放大倍数高　C、电压放大倍数近似于１且小于１输入电阻高，输出电阻低D、电

5、流放大倍数近似于１且小于１输入电阻高，输出电阻低2、某NPN型三极管的输出特性如图所示，当Uce=6V时，其电流放大系数β为。A、β=25B、β=50C、β=100D、β=1503、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V，则此三极管为。A、PNP型锗三极管B、NPN型锗三极管C、PNP型硅三极管D、NPN型硅三极管4、PNP型晶体三极管处于放大状态时,各级电位关系正确的是______。A、<>D、<<5、在图示电路中,设C1、C2对交流信号的影响可以忽略不计,当输入f=1KHz的正弦电压信号后,用示波器观察和,则二者的相位关系为

6、_______。A、相差90ºB、相差45ºC、相同D、相差180º6、上图共发射极电路中，电容C1，C1的作用为_______。A、隔直流通交流B、隔交流通直流C、保证三极管工作在放大状态D、没有作用7、三极管工作于饱和状态的条件是。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏8、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（）。A、(E、B、C)B、(B、C、E)C、(B、E、C)D、(C、B、E)9、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）。A、都为0B、相等C、小D

7、、大10、二极管两端电压大于()电压时，二极管才导通。A、击穿电压B、死区C、饱和D、导通11、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为()。A、正、反向电阻相等B、正向电阻大，反向电阻小C、反向电阻比正向电阻大很多倍D、正、反向电阻都等于无穷大12、共射放大电路，输出电压与输入电压相位相差()度。A、0B、90C、180D、27013、当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为UC()UB。A、>B、

8、15、在直