嵌入式电子琴.doc

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1、桂林电子科技大学实训说明书用纸第0页共1页ARM7的设计精髓是结构简单。ARM7内核采用了精简指令集计算机（RISC）设计思想，所用逻辑门数较少，硅片面积小，但具有高性能、低功耗的特点，这使得ARM7成为嵌入式系统的理想选择。ARM7内核包括ARM7TDMI（-S）、ARM720T等，ARM7TDMI处理器内核已经许可给许多世界顶级半导体公司，它是第一个包括Thumb指令集、快速乘法指令和嵌入式ICE调试技术的内核。本论文主要介绍利用213X系列最小系统板，完成一个高级电子琴的设计，需要设置琴键输入以及LM386的功率放大驱动喇叭，主要功能通过程序编译来完成。引言11

2、213X系列最小系统板介绍11.1最小系统板结构21.2片内FLASH程序储存器21.3片内静态RAM31.4存储器映射概念和操作方式31.5系统控制模块42琴键键盘52.1行列式键盘工作原理52.2键盘识别原理62.3键盘电路介绍63LM386与蜂鸣器介绍73.1LM386介绍73.2特性介绍73.3蜂鸣器简介83.4蜂鸣器驱动电路分析84电路板的制作及调试104.1电路图的绘画104.2电路板的制作10桂林电子科技大学实训说明书用纸第13页共18页1213X系列最小系统板介绍LPC2131/2132/2138是基于一个支持实时仿真和嵌入式跟踪的32/16ARM7T

3、DMI-STMCPU的微控制器，并带有32kB、64kB、512kB的嵌入的高速Flash存储器。128位宽度的存储器接口和独特的加速结构使32位代码能够在最大时钟速率下运行。对代码规模有严格控制的应用可使用16位Thumb®模式将代码规模降低超过30%，而性能的损失却很小。较小的封装和极低的功耗使LPC2131/2132/2138可理想地用于小型系统中，如访问控制和POS机。宽范围的串行通信接口和片内8/16/32kB的SRAM使LPC2131/2132/2138非常适用于通信网关、协议转换器、软modem、声音辨别和低端成像，为它们提供巨大的缓冲区空间和强大的处理

4、功能。多个32位定时器、1个或2个10位8路ADC、10位DAC、PWM通道和47个GPIO以及多达9个边沿或电平触发的外部中断使它们特别适用于工业控制和医疗系统。1.1最小系统板结构LPC2131/2132/2138包含一个支持仿真的ARM7TDMI-SCPU、与片内存储器控制器接口的ARM7局部总线、与中断控制器接口的AMBA高性能总线（AHB）和连接片内外设功能的VLSI外设总线（VPB，ARMAMBA总线的兼容超集）。LPC2131/2132/2138将ARM7TDMI-S配置为小端（little-endian）字节顺序。AHB外设分配了2M字节的地址范围，它

5、位于4G字节ARM存储器空间的最顶端。每个AHB外设都分配了16k字节的地址空间。LPC2131/2132/2138的外设功能（中断控制器除外）都连接到VPB总线。AHB到VPB的桥将VPB总线与AHB总线相连。VPB外设也分配了2M字节的地址范围，从3.5GB地址点开始。每个VPB外设在VPB地址空间内都分配了16k字节地址空间。片内外设与器件管脚的连接由管脚连接模块控制。该模块必须由软件进行控制以符合外设功能与管脚在特定应用中的需求。表1：LPC2131/2132/2138器件信息器件管脚数片内RAM片内FLASH10位A/D通道数10位D/A通道数LPC2131

6、648KB32KB8-LPC21326416KB16KB8-LPC21386432KB512KB16-1.2片内FLASH程序储存器LPC2131/2132/2138分别含有32kB、64kB和512kB的FLASH桂林电子科技大学实训说明书用纸第13页共18页存储器系统。该存储器可用作代码和数据的存储。对FLASH存储器的编程可通过几种方法来实现：通过内置的串行JTAG接口，通过在系统编程（ISP）和UART0，或通过在应用编程（IAP）。使用在应用编程的应用程序也可以在应用程序运行时对FLAH进行擦除和/或编程，这样就为数据存储和现场固件的升级都带来了极大的灵活性

7、。如果LPC2131/2132/2138使用了片内引导装载程序（bootloader），32/64/512kB的Flash存储器就可用来存放用户代码。LPC2131/2132/2138的Flash存储器至少可擦除/编程10,000次，保存数据的时间长达10年。1.3片内静态RAM片内静态RAM（SRAM）可用作代码和/或数据的存储，支持8位、16位和32位的访问。LPC2131/2132/2138含有8/16/32kB的静态RAM。LPC2131/2132/2138SRAM是一个字节寻址的存储器。对存储器进行字和半字访问时将忽略地址对准，访问被寻址的