电磁炉用功率管参数及代换.doc

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1、电磁炉用功率管参数及代换　绝缘栅双极晶体管(IusulatedGateBipolarTransistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。

2、技术交流

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6、wO/R;r5y3_H目前有用不同材料及工艺制作的IGBT,但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。

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10、维修者的技术平台yBh^&qG.@IGBT有三个电极(见上图),分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C

11、(亦称漏极)及发射极E(也称源极)。pkQ(g$T2MzANG从IGBT的下述特点中可看出,它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷,就是于高压大电流工作时,导通电阻大,器件发热严重,输出效率下降。【维修者之家】技术论坛'

12、1{9v"o$~lat?X　p)e/WcS'FXLD*y[

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16、维修者的技术平台　IGBT的特点:

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20、维修者的技术平台K$zR$g&s}}U7oY(E1.电流密度大,是MOSFET的数十倍。

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27、维修者的技术平台2.输入阻抗高,栅驱动功率极小,驱动电路简单。2q,X!f'oojQ$`-K

28、L$}?7?$mn3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下,其导通电阻Rce(on)不大于MOSFET的Rds(on)的10%。4.击穿电压高,安全工作区大,在瞬态功率较高时不会受损坏。"lM#`v`(v    dK`jssq.edu.topzj.com7Gx[M,Q4y6

29、cMjssq.edu.topzj.com5.开关速度快,关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1.2us、600

30、V级的约0.2us,约为GTR的10%,接近于功率MOSFET,开关频　　率直达100KHz,开关损耗仅为GTR的30%。

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34、维修者的技术平台V?B`4wvW%o{
O%R(Ca"Y【维修者之家】技术论坛　IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体,是极佳的高速高压半导体功率器件。

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38、维修者的技术平台6tw6DMI
](1)SGW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须　　

39、配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SKW25N120。z*X5l"c?$_!

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44、维修者的技术平台【维修者之家】技术论坛)jtkTUq3

45、P*zfI(2)SKW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120,代用时将原配套SGW25N120的D11快速恢复二极管拆除不装。【维修者之家】技术论坛![2Y}M1Q2_M%z

46、bZ

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50、维修者的技术平台(3)GT40Q321----东芝公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时42A,100℃时23A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120,代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。jssq.edu.topzj.comN;d(nj%J:v[0sW`Qh

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54、维修者的技术平台(4)GT40T101----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A,内部不带阻尼二极

55、管,所以应用时须配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321,配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用GT40T301。【维修者之家】技术论坛M:}]`4I

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59、维修者的技术平台tt_v(j    K(5)GT40T301----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120、S

60、KW25N120、GT40Q321、GT40T101,代用SGW25N120和GT40T101时请将原配套该