基础电子技术.pdf

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1、1.完全纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。2.杂质浓度，温度。3.少数载流子，(内)电场力。4.单向导电性，正向导通压降UF和反向饱和电流IS。5.反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（UZ），工作电流（IEmin），最大管耗（PZmax）和动态电阻（rZ）6.增大;7.NPN，PNP，自由电子，空穴(多子，少子)。8.结型，绝缘栅型，多数，单极型。9.电压，电流。10.变大，变大，变小。11.各管脚对地电压;12.发射结正偏，集电结反偏；发射结正偏，集电结正偏；发射结反偏，集电结反偏。13.左移，上移，增大.。【1-2】在图1-2的各电路图中，E=5V，ui=10

2、sinωtV，二极管D视为理想二极管，试分别画出输出电压uo的波形。RDDRuiuouiuoEE(a)(b)图1-2题1-2电路图解：波形如图1-2（a）（b）u/Vu/Vii1010u/Vu/Voo55图1-2(a)(b)【1-3】在图1-3中，试求下列几种情况下输出端对地的电压UY及各元件中通过的电流。（1）UA=10V，UB=0V；（2）UA=6V，UB=5V；（3）UA=UB=5V。设二极管为理想二极管。图1-3题1-3电路图解：（1）VD导通，VD截止AB10VI=0,I=I==1mADBDAR(19)(k)+ΩU=I⋅R=9VYR（2）VD导通，VD截止AB6V

3、I=0,I=I==0.6mADBDAR10kΩU=I⋅R=5.4VYR（3）VDVD均导通AB5VIRI=≈0.53mAI=I≈=0.26mARDADB9.5kΩ2U=I⋅R=4.74VYR【1-4】设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V和10V，正向压降均为0.7V。求图1-4中各电路的输出电压UO。1kΩ1kΩDDZ1Z125VU25VUOODDZ2Z2()a()b1kΩ1kΩ25VU25VUOODDDDZ1Z2Z1Z2()c()d图1-4题1-4电路图解：图(a)15V;图(b)1.4V;图(c)5V;图(d)0.7V.【1-5】有两个稳压管DZ1和DZ2，其稳

4、定电压值分别为5.5V和8.5V，正向压降都是0.5V。如果要得到3V的稳定电压，应如何连接？解：连接方法如图1-5。1kΩDZ1UIDZ2UO图1-5【1-6】有两个晶体管分别接在电路中，已知它们均工作在放大区，测得各管脚的对地电压分别如下表所列。试判别管子的三个电极，并说明是硅管还是锗管?是NPN型还是PNP型?晶体管Ⅰ晶体管Ⅱ管脚号123管脚123电压(V)43.49电压(V)-6-2.3-2解：晶体管Ⅰ为NPN型硅管，1、2、3管脚依次是B、E、C；晶体管Ⅱ为PNP型锗管，1、2、3管脚依次是C、B、E。【1-7】如何用指针式万用表判断出一个晶体管是NPN型还是PN

5、P型？如何判断出管子的三个管脚？锗管硅管又如何通过实验区别出来？解：(1)先确定基极：万用表调至欧姆×100或×1k挡，随意指定一个管脚为基极，把任一个表笔固定与之连接，用另一表笔先后测出剩下两个电极的电阻，若两次测得电阻都很大（或很小）。把表笔调换一下再测一次，若测得电阻都很小（或很大），则假定的管脚是基极。若基极接红表笔时两次测得的电阻都很大，为NPN型，反之为PNP型。(2)判断集电极：在确定了基极和三极管的类型之后，可用电流放大倍数β的大小来确定集电极和发射极。现以NPN型三极管为例说明判断的方法。先把万用表的黑笔与假定的集电极接在一起，并用一只手的中指和姆指捏住，

6、红表笔与假定的发射极接在一起，再用捏集电极的手的食指接触基极，记下表针偏转的角度，然后两只管脚对调再测一次。这两次测量中，假设表针偏转角度大的一次是对的。【1-8】在某放大电路中，晶体管三个电极的电流如图1-8所示，试确定晶体管各电极的名称；说明它是NPN，还是PNP型；计算晶体管的共射直流电流放大系数β。1I=−1.2mA12I3=1.23mAI=0.03mA2图1-8题1-8晶体管电极电流图3解：图中I3＝0.03mA应改为I2＝0.03mA，箭头向右。①－c，②－b，③－e；PNP型；1.2mAβ＝＝400.03mA【1-9】用万用表直流电压挡测得电路中晶体管各极对地

7、电压如图1-9所示，试判断晶体管分别处于哪种工作状态(饱和、截止、放大)？−3V+6V−12V+6V−18V+5.6V−9.3V+0.1V−12.3V+5.3V−8.5V−0.2V图1-9题1-9晶体管对地电压图解：晶体管从左到右，工作状态依次为放大、饱和、截止、放大。【1-10】两个场效应管的转移特性曲线分别如图1-10(a)和(b)所示，分别确定这两个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压，低频跨导）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。(a)(b)图1-10题1-10转移特性曲线解：（a）