电子类专利撰写模板地大.doc

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1、（填写说明：如申请发明或由代理机构申请实用新型，只需填写第四部分-说明书即可；如需知识产权与技术转移中心做实用新型电子申请，请将各个部分填写完整。）电子领域专利申请的基本特点：1、电子领域的专利涉及的技术较广，从电子产品的材料到结构到控制方法，都可能产生专利点。如一台DVD机上便涉及6C、3C、汤姆逊、杜比、MPEGLA等5家专利联盟的上千项专利，从电路、芯片、编解码技术到外形设计，中国每生产一台DVD要交纳专利费30美元。其中仅DVD使用的视频图像压缩技术MPEG-2就包含795项专利，由美国MPEG专业技术管理公司（MPEGLA）代表57个国家

2、的24家专利人进行管理。由此可见，在一个电子产品（系统）上，往往可产生多项专利。电子产品的更新换代快，新技术的不断研发也促进了电子领域专利的增长。2、电子领域内，可以申请专利的发明创造包括：（1）新的电子元件或电子元件的改进，可能涉及元件材料及结构；（2）新的功能模块或功能模块的改进，包括电路设计、模块物理结构设计等；（3）新的设备、装置或设备、装置的改进，最常见的是通过增减模块或者改变模块的连接关系来实现新的功能或者改进呢性能；（4）新的系统或系统的改进，包括系统构架设计、系统中设备的增减、设备连接关系的改变等；（5）针对主设备或者主系统的配套设

3、备或配套系统，出于一些专用目的，如散热、除尘等；（6）针对具体电子设备或系统的新的控制方法或控制方法的改进；（7）电子产品的新生产工艺或生产工艺的改进，包括新的制造设备或制造设备的改进；（8）电子产品的新测试设备、新测试方法或测试设备、测试方法的改进。（9）……一、说明书摘要本发明（实用新型）公开了一种XXXl简要写明发明（实用新型）的名称、技术方案的要点以及主要用途，尤其是写明发明内容主要的技术特征（构造和/或电连接关系），获得的有益效果。注意：字数不超过300字。二、摘要附图指定一幅最能从整体上反映本发明的图。三、权利要求书1、一种（主题名称）

4、，其特征在于：（其特征是：）。（独立权利要求：前序部分+特征部分，前序部分=本发明主题名称+与现有（或接近）技术共有的必要技术特征【必要：是指缺少了就不能够解决技术问题】，特征部分=区别于现有现有技术的必要特征）2、根据权利要求1所述的（主题名称），其特征在于：。（从属权利要求：引用部分+特征部分，对引用的权利要求作进一步要求）权利要求书由一组权利要求（权项）组成，一份权利要求书至少有一项权利要求，权利要求中所描述技术特征的总和是该发明的技术方案。一、说明书名称1、发明或实用新型申请的名称应当采用本领域通用的技术术语，清楚、简短、全面地反映要求保护

5、的主题和类型；2、一般不得超过25个字。示范性举例：“一种二氧化锡基压敏电阻材料及制备方法”技术领域本发明涉及……，属……领域。1、该部分应当写明发明或实用新型所属或者直接应用的具体技术领域。示范性举例：“本发明涉及一种二氧化锡基压敏电阻材料及制备方法，属于电子陶瓷制备及应用技术领域。”背景技术写明本专利要解决的技术问题。写明对本发明的理解、检索有用的背景技术，并引证反映这些背景技术的专利或期刊等文献，有引用文献的，需要说明文献出处；简要介绍与本发明的内容最接近的技术/产品，同时指出该已有技术/产品相对于本发明来说存在的缺点或不足之处。该部分不需要

6、写入针对现有技术作出改进的技术手段或技术方案。示范性举例：“SnO2基压敏电阻材料是一种多功能新型陶瓷材料，它是以SnO2为主相，添加若干其它氧化物改性后的烧结体材料。与目前应用最广泛的ZnO基压敏陶瓷相比，SnO2基压敏陶瓷具有掺杂量相对较少、由氧化物挥发导致的掺杂损失小以及热导率高等优点，其在结构均匀性、晶界有效性、热稳定性和抗老化特性方面表现更好，在电子、电力系统中应用前景很好。SnO2基压敏电阻材料的非线性特性源于晶界效应。其中，Nb2O5、Ta2O小5等施主掺杂产生自由电子，是SnO2基压敏电阻的压敏特性形成氧化物；同时，由于SnO2基压

7、敏电阻难于烧结，常加入一些烧结助剂，如Bi2O3等，通常掺杂量不超过1％。在此三元体系的基础上，还常常需要添加一些压敏特性增强剂以改善SnO2基压敏电阻材料的非线性特性，如Cr2O3以及部分稀土元素的氧化物等。它们或是改善材料微观结构的均匀性、晶粒大小、气孔率等，或是参与形成耗尽层，提高晶界势垒，亦或是充分进入晶格，改善了晶粒电阻，从而改善材料的电学性能。但是，由于掺杂元素种类繁多，作用机制各不相同，如何控制SnO2基压敏电阻材料的组成和微观结构、提高其非线性和综合性能是近年来的研究热点。”发明内容为了克服上述现有技术的不足，本发明提供了一种……。

8、本发明所采用的技术方案是……。与现有技术相比，本发明的有益效果是……。说明本专利达到目的或解决问题的技术手段。包括产品的组