内存储器接口的基本技术

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1、第4章内存储器接口的基本技术4.1半导体存储器4.1.1概述4.1.2RAM芯片的结构、工作原理及典型产品4.1.3ROM芯片的结构、工作原理及典型产品4.2半导体存储器接口的基本技术4.2.18位微机系统中的存储器接口4.2.2动态存储器的连接*（超出大纲范围，自学）4.316位32位系统中的内存储器接口4.3.116位系统中的内存储器接口4.3.232位系统中的内存储器接口4.1半导体存储器4.1.1概述存储器是信息存放的载体，是计算机系统的重要组成部分。有了它，计算机才能有记忆功能，才能把要计算和处理的数据以及程序存入

2、计算机，使计算机能脱离人的直接干预，自动地工作。存储器就是用来存储程序和数据的，程序和数据都是信息的表现形式。按照存取速度和用途可把存储器分为两大类：内存储器（简称内存，又称主存储器）和外存储器。存储器的容量越大，记忆的信息也就越多，计算机的功能也就越强。一、内存储器的基本结构图4-1存储器的逻辑结构示意图0000H0001H0002HXXXXH读写控制总线N位数据总线地址译码器地址内容M位地址总线存储体MB数据寄存器MDR地址寄存器MAR2M二、存储器中的数据组织在计算机系统中，作为一个整体一次存放或取出内存储器的数据称为

3、“存储字”（8位机的存储字是8位一个字节；16位位机的存储字是16位两个字节；32位机的存储字是32位四个字节等等）在现代计算机系统中，特别是微机系统中，内存储器一般都是字节编址的。一个8位存储字对应一个8位的字节单元；一个16位存储字对应两个8位的字节单元；一个32位存储字对应四个8位的字节单元；存储字地址是以1、2、4个存储单元中最低端的单元地址作为存储字地址。三、半导体存储器的重要性能、技术指标（1）存储容量（2）存储速度（3）可靠性（4）性能/价格比存储容量是指存储器可以容纳的二进制信息量。通常用2M*N表示，单位为

4、b或bit，即位。M为存储器的地址线的位数，N为存储器的数据线的位数。四、半导体存储器的分类半导体存储器按工作特点可分为随机存储器(RAM)和只读存储器(ROM)，如图5-21．RAM的种类：在RAM中，按工艺可分为双极型和MOS型两大类。用MOS器件构成的RAM，可分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM)两种。2．ROM的种类：1）掩膜ROM；2）可编程的只读存储器PROM；3）可擦除的EPROM；4）电擦除的E2PROM；5）快速擦写存储器FlashMemory又称快闪存储器图4-2半导体存储器的分类图4.1.

5、2RAM芯片的结构、工作原理及典型产品一、RAM芯片的内部结构图4-3典型的RAM的示意图123132123132读/写选片数据输入A5A6A7A8A912313212313232×32﹦1024存储单元Ｘ译码器地址反相器A0A1A2A3A4驱动器I/O电路Y译码器地址反相器控制电路输出驱动数据输出1.SRAM(静态)的存储器单元基本存储电路单元（六管静态存储电路）ABVCC（+5V）T3T4T1T2图4-4基本存储电路单元（位）X地址译码线D0DO(I/O)接Y地址译码器(I/O)T6T5VCC（+5V）ABT3T4T1T

6、2T7T8SRAM的特点：（p119)只要电源不撤除，写入SRAM的信息就不会消失，不需要刷新电路，再读出时不破坏原存信息，一经写入可多次读出。SRAM的功耗较大、容量较小、存取速度较快。2.动态RAM的存储单元（单管动态存储电路）CD数据线CS0.2V字选线TS图4-5单管动态存储电路DRAM的特点：(p119)DRAM的集成度较高，功耗也低。但保存在DRAM中的信息，保存时间只有2ms左右，必须配置刷新电路。DRAM的存取速度较慢，容量较大。一般微机系统中的内存都采用DRAM。二、RAM典型芯片举例1.常用典型的(静态)

7、SRAM芯片有6116、6264、62256等。A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GND————————————————————————VCCA8A9WEOEA10CSD7D6D5D4D3124223322421520619718817916101511141213图4-66116引脚6264引脚NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GND————————————————————————————VCCWECS2A8A9A11OEA10CSD7D6D5D4D3128227326425524623722

8、82192010191118121713161415容量：2K*8bit容量：8K*8bit2．动态RAM实例NCDINWERASA0A2A1GND————————VCCCASDOUTA6A3A4A5A7————————11621531441351261171089图4-72164引脚行地