推挽模式与开漏模式的个人见解.doc

推挽模式与开漏模式的个人见解.doc

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时间:2020-04-20

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1、首先看以下STM32的GPIO的原理图如下:当端口配置为输出时:开漏模式:输出0时,N-MOS导通,P-MOS不被激活,输出0。输出1时,N-MOS高阻,P-MOS不被激活,输出1(需要外部上拉);此模式可以把端口作为双向IO使用。个人解释:开漏模式的意思是上图的“输出控制”并不控制标注为“1”的线,让P-MOS不被激活(相当于没有这个器件),只有N-MOS。此时,我们反推的话:当输出即“3”线为0时,说明N-MOS导通了,也就是当某一条件下“输出控制”控制2线,让N-MOS导通,结果就可以得到“3”出输出为0。当输出“3”为1时,说明N-MOS

2、在“输出控制”的控制下没有工作,呈高阻态,那么“3”线则是N-MOS的漏脚悬空,若想输出1,必须要外部上拉。与51单片机的P0口类似,使用0的时候没问题,使用1的话需要外部加上拉。推挽模式:输出0时,N-MOS导通,P-MOS高阻,输出0。输出1时,N-MOS高阻,P-MOS导通,输出1(不需要外部上拉)。个人解释:此种模式即在“输出控制”的条件下,N-MOS和P-MOS都是存在的,但是同时只有一个工作,具体可以百度。当输出即“3”线为0的时,反推,说明P-MOS是没有工作的(高阻),可以把此时的P-MOS当做一个大电阻,并且上拉了,所以这里对比

3、开漏模式的话不需要外部上拉。N-MOS是导通的。当输出即“3”线为1时,反推,此时P-MOS是没有导通的,而N-MOS是没有工作的(高阻)。

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