MaximIntegrated推出最快采样速率超高精度寄存器模数转换器.pdf

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1、张青竹等：超薄Ni。Pt。，金属硅化物薄膜特性[13]OZCANAS，WAILD，SWEETJ，eta1．Effectsof[18]LWAIH，OHGUROT，OHMIS，eta1．NiSisalicidetemperaturedependentpre—amorphizationimplantationtechnologyforscaledCMOS[J]．MicroelectronicEngi—onNiPt[J]．AppliedPhysicsLetters，2013，102neering，2002，60(1)：157—169．(17)：172107—

2、1—172107—3．(收稿日期：2014-01-03)[14]ADUSUMILLP，SEIDMANDN，MURRYC，eta1．Silicide—phaseevolutionandplatinumredistributionduringsilicidationofNio95Pt005／Si(100)specimens[J]．JounalofAppliedPhysics，2012，112(6)：06430l—l一064301—11．[15]AKRVARDARK，MARTINRM．KAUSHIKM．eta1．_作士术研者；张究简青生介竹，：主(要19研

3、87究一金)，属男硅，化山物东工菏艺泽与人集成，硕技ImpactofNiPtthicknessscalingoncontactresistancefromthin—bodyFDSOItotrigateFETs[J]．IEEEElec—tronDeviceLetters，2012，33(5)：631—633．闰江(1960一)，男，山西大同人，博士生导师，研究员，从[16]LUOJ，QIUZJ，ZHANGDW，eta1．Ondifferent事集成电路先导工艺研发研究，以第一发明人和合作发明人申请并processschemesforMOSFETswit

4、hacontrollableNiSi—已获授权的国家发明专利共22项，其中17项为美国专利，5项为basedmetallicsource／drain『J]．IEEETransactionon中国专利；ElectronDevices，2011，58(7)：1029—1031．吴次南(1962一)，男，江西余干人，教授，主要从事光电子[17]uL，JIANGYL，LIBZ，eta1．UltrathinNi(Pt)学、光谱学研究和教学工作，在《光学学报》、《低温物理学报》、Sifilmformationinducedbylaserannealing[J]．

5、IEEE《物理实验》、《科学通报》、《光谱学与光谱分析》和《OPT．COM．》ElectronDevicesLetters，2013，34(7)：912—914．等国内外权威学术刊物发表有多篇学术论文。MaximIntegrated推出最快采样速率超高精度寄存器模数转换器20l4年4月23日，MaximIntegrated公司推出数转换器的功耗仅为9mw，降幅达91％。除有效20bit，1．6MS／s逐次逼近寄存器模数转换器降低功耗外，器件还具有超高(20bit)精度和最MAX11905，使设计人员能够以最低功耗实现最高快的采样速率(1．6MS／s)

6、。MAX11905还集成内的分辨率和最快的采样速率。部基准缓冲器，有效降低成本，与分立竞争方案相工程师在高精度数据转换设计中通常会选取比可节省高达50％的空间。MAX11905功能丰富，∑一△模数转换器，为实现高精度和宽动态范围，其是过程控制、自动检测设备、医疗仪表和电池供电功耗通常在100mw以上。而MAX11905寄存器模设备等多种应用的理想选择。微构龙科技生产氢氟酸气相腐蚀工艺配套装置微构龙科技(MST)致力于氢氟酸气相腐蚀工置的专利，推出了MHFF系列氢氟酸腐蚀设备，艺配套装置的研发和生产。氢氟酸气相腐蚀是介于用于4～8英寸(1英寸=2．54

7、cm)硅片的批量生干法腐蚀和湿法腐蚀之间的一种腐蚀薄二氧化硅的产。该设备采用内置MST-MHFF-CONTROL专用程工艺手段，其原理是通过N：携带的方式，将一定序集成控制和多项专利设计和工艺集成，保证工艺配比的氢氟酸溶液转化成气态，对二氧化硅进行腐的稳定和品质。设备主要作用于集成电路生产中的蚀，而反应的副产物，由N带离腐蚀环境，使得金属沉积前硅片表面自然氧化层的去除，以完全杜腐蚀后的硅片表面保持洁净，不再需要任何清洗处绝传统湿法腐蚀带来的自然氧化层再生的问题，降理。微构龙科技有限公司取得了氢氟酸气相腐蚀装低工艺时间，节约工艺物料和工艺硬件成本。37

8、6半导体技术第39卷第5期2014年5月