EDA仿真在CMOS射频功放设计教学中的应用.pdf

EDA仿真在CMOS射频功放设计教学中的应用.pdf

ID:54594360

大小:180.46 KB

页数:4页

时间:2020-05-02

EDA仿真在CMOS射频功放设计教学中的应用.pdf_第1页
EDA仿真在CMOS射频功放设计教学中的应用.pdf_第2页
EDA仿真在CMOS射频功放设计教学中的应用.pdf_第3页
EDA仿真在CMOS射频功放设计教学中的应用.pdf_第4页
资源描述:

《EDA仿真在CMOS射频功放设计教学中的应用.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库

1、第28卷第1期南通职业大学学报VO1.28NO.12014年3月JOURNALOFNANTONGVOCATIONALUNⅣERSITYMar.2014doi:10.39696.issn.1008-5327.2014.01.020EDA仿真在CMOS射频功放设计教学中的应用彭艳军1,邢飞燕1,彭湃2,夏峻(1.南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室,江苏南通226019;2.南通职业大学电子信息工程学院,江苏南通226007)摘要:EDA仿真是射频集成电路课程教学的重要教学手段。文章以设计一种应用于交通专用短程通信的5.8GH射

2、频功率放大器为例,对EDA工具在射频集成电路课程教学中的应用进行了探讨;通过EDA仿真,形象地演示出了电路性能的变化,加深了学生对有源电感补偿的CMOS射频功放的理解和认识。关键词:EDA;射频功放;CMOS;教学应用中图分类号:TP319:U46文献标志码:A文章编号:1008—5327(2014)01—0080—04EDASimulationinTeachingDesignofCMOSRFPowerAmplifierPENGYan-jun,XINGFei-yan,PENGPai,XIAJun(1.JiangsuKeyLabo

3、ratoryofASICDesign,NantongUniversity,Nantong210096,China;2.SchoolofElectronicsandInformationEngineering,NantongVocationalUniversity,Nantong226007,China)Abstract:EDAsimulationisanimportanttoolforteachingthecourseofRFintegratedCircuits.Thispapermakesaresearchonteaching

4、coursesofthedesignofCMOSRFpoweramplifierusingEDAtoolswiththeexampleof5.8GHzRFpoweramplifier.ThroughEDAsimulation.thispaperdemonstratesthechangeincir—cuitfunction,whichalsodeepensstudents’understandingandrecognitioninactiveinductorcompensationCMOSRFpoweramplifier.Keyw

5、ords:EDA;RFPowerAmplifier;CMOS;teachingapplication0引言通信的射频功率放大器为例,对EDA工具在射频集成电路课程教学中的应用进行研究。CMOS射频集成电路课程的教学中,学生在学习如电路特性、工作曲线等较为抽象的内容时,l目标设计往往力不从心⋯1。因此,教学过程中除了提高理论交通专用短程通信(DSRC:DedicatedShort—教学水平外,还须高度重视以EDA工具和设计流rangecommunicati0ns)是一种支持点对点、点对多程为核心的实践教学环节,使得课堂教学和实际点

6、通信的短距离无线传输新兴技术,通过信息双设计应用紧密结合在一起,进而培养学生的实际设计能力,开阔视野,同时也可大幅提高学习的主向传输的功能将“车”与“路”有机地联系起来,其有观能动性。本文以设计一种应用于交通专用短程效通信范围一般在30m内,增加发射功率后最大收稿日期:2013—12-09基金项目:国家自然科学基金项目(61001022);东南大学毫米波国家重点实验室开放课题(K201320);南通大学教学研究课题(2010B04)作者简介:彭艳军(1975一),男,江苏邳州人,讲师,主要研究方向为射频集成电路。第1期彭艳军,等

7、:EDA仿真在CMOS射频功放设计教学中的应用可达100m。DSRC技术出现过三个主要的工作频截止频率达到48GHz,具备设计5.8GHz射频功段:800~900MHz、2.4GHz和5.8GHz频段【2_3__。率放大器的可能性。本文采用标准CMOS工艺设计一种具有有源电3电路设计感补偿结构的5.8GHz射频功率放大器。3.1传统差分结构功率放大器的设计2工艺选择由于CMOS工艺的电源电压和击穿电压较本设计采用SMIC公司的0.18mRFCMOS低,而射频功率放大器中的信号摆幅较大,为克服工艺。该1P6M(一层多晶硅六层金属)

8、工艺提供CMOS工艺对射频功放设计的局限,如图1所示的器件包括了N/PMOS管、可变二极管、螺旋电的差分Cascode结构经常被用于CMOS射频功放感、MIM电容及电阻等。其中,MOS器件又分为的设计⋯。为了能够提供足够的增益,电路采用两1.8V和3.3V两种电

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。