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《Ce掺杂Na0.25K0.25Bi2.5Nb2O9-0.4wt%Cr2O3高温无铅压电陶瓷的研究.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、第33卷第7期硅酸盐通报Vo1.33No.72014年7月BULLETINOFTHECHINESECERAMICSOCIETYJuly,2014Ce掺杂Na0.25.25Bi2.5Nb2O9-0.4wt%Cr2O3古日同,皿无铅压电陶瓷的研究陈云婧,江向平,陈超,涂娜,李小红(景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院,江西省先进陶瓷重点实验室,景德镇333001)摘要:采用固相法制备了NaoKo25Bi2.5Nb209-0.4wt%Cr2O3-xwt%CeO2(=0.O0—1.00)高温无铅压电陶瓷,研究了c
2、e掺杂对该系列陶瓷微观结构及电性能的影响。结果表明所有样品均为单一的铋层状结构陶瓷,适量的ce掺杂明显改善了陶瓷的压电与铁电性能,降低了陶瓷的电导率和介电损耗。当掺杂量=0.50时,样品具有最佳性能:d∞=27pC/N,tan6=0.09%,=7.97%,Q=2637,Tc:656℃,E=46kV/cm和P,=4.4~C/cm,表明该材料在高温领域内具有良好的应用前景。关键词:铋层状;压电陶瓷;微观结构;电性能中图分类号:TQ174文献标识码:A文章编号:1001—1625(2014)07—1594-
3、05StudyonCeDopedNa0K0Bi2Nb2O9-0.4wt%Cr2O3HighTemperature.25.25.5Lead.freePiezoelectricCeramicsCHENYun-jing,JIANGXiang-ping,CHENChao,71UNa,LIXiao—hong(JiangxiKeyLaboratoryofAdvancedCeramicMaterials,DepartmentofMaterialScienceandEngineeringJingdezhenCeram
4、icInstitute,Jingdezhen333001,China)Abstract:Hightemperaturelead—freepiezoelectricceramicsofNa0K025Bi2Nb209-0.4wt%Cr203一.25.5xwt%CeO2(:0.00—1.00)werefabricatedbysolid—statereactionmethod.TheeffectsofCeadditiononthemicrostructureandelectricalpropertiesofc
5、eramicswereinvestigated.Itwasfoundthatalltheceramicsampleshadasinglephaseofbismuthoxidelayeredstructure.ThepiezoelectricactivityandferroelectricpropertiesoftheceramicsweresignificantlyimprovedbyanappropriateamountofCeaddition.Theelectricalconductivityan
6、ddielectriclossdecreasedafterCedoping.Theceramicexhibitedtheoptimumelectricalpropertieswiththedopingcontent=0.50,d33=27pC/N,tant~=0.09%,k。=7.97%,Q=2637,rc=656℃,E=46kV/cmandP=4.4txC/cm,whichdemonstratedthattheceramichadagoodprospectonhigh—temperatureappl
7、ications.Keywords:bismuthlayer—structured;piezoelectricceramics;microstructure;electricalproperty引言铋层状结构铁电体(简称BLSFs)是一种无铅压电陶瓷材料,其化学通式为(BiO)(A基金项目:国家自然科学基金(51262009);江西省自然科学基金(20132BAB202002,20122BAB202001);江西省主要学科学术和技术带头人培养对象计划项目(201ODD00800)作者简介:陈云婧(19
8、90-),女,硕士研究生.主要从事功能陶瓷及器件的研究.通讯作者:江向平,教授.第7期陈云婧等:ce掺杂Na0:KBi2_5Nb:O-0.4wt%Cr20,高温无铅压电陶瓷的研究1595BO,+),其中A为K、Na、Ba¨、La¨等适合于12配位的一、二、三价离子或这些离子的复合离子,B为cr¨、Ti“、Nb¨、Ta¨、w”等适合于八面体配位的离子或它们的复合离子,m为每两个(BiO)层之间八面体的层数,其值可为1~5_lJ。典型的铋层状化合物有SrBi
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