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时间:2020-05-01
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1、ApplicationofIntegratedCircuits一种全CMOS低功耗基准电压源的设计池上升,胡炜,许育森(福州大学物理与信息工程学院福建省集成电路设计中心,福建福州350003)摘要:基于MOSFET亚阈值的特性,通过两个MOSFET闽值电压差与热电压相互补偿的原理,提出了一种全CMOS基准电压源电路。与传统带隙基准电路相比,该电路采用全CMOS器件,无需电阻和传统分立电容,具有电路结构简单、功耗低、温度系数小和面积小的特点。通过对电路的理论分析,采用SMIC0.18IxmCMOS工艺模型,利用Cadence工具对电路进行仿真验证,在电源电压为1.8V的条件下
2、,输出电压为364.3mV(T=27℃1,温度系数为6.7ppm/~C(一40℃~十125℃),电源抑制比达到-68dB@10kHz,功耗为1.3IxW。关键词:全CMOS;低功耗;基准电压源中图分类号:TN433文献标识码:A文章编号:0258—7998f2014)05—0042一o3AdesignoffullCMOSlowpowervoltagereferencesourceChiShangsheng,HuWei,XuYusen(FujianIntegratedCircuitDesignCenter,CollegeofPhysicsandInformationEngin
3、eering,FuzhouUniversity,Fuzhou350003,China)Abstract:BasedonthecharacteristicsofMOSFETatsubthresholdregion,thispaperproposesafullCMOSvoltagerefe—rencesourcecircuitwiththemutualcompensationprinciplebetweentwoMOSFETthresholdvoltagedifferenceandthermalvohage.Comparedwiththetraditionalbandgapvo
4、ltage,theproposedcircuitisfullycomposedofCMOSdeviceswithoutresistanceandtradi—tionalcapacity,whichhasfeaturesofsimplecircuit,lowpower,smalltemperaturecoeficientandsmallchiparea.Throughthetheo—reticalanalysisofthecircuitandCadencesimulationwithSMIC0.18Ixmprocess,undertheconditionofthepowers
5、upplyvoltageof1.8V,theoutputreferencevoltageis364.3mV(T=27℃)andtemperaturecoeficientis6.7ppm/"C(一40℃~+125℃),whilePSRRcanreach-68dB@10kHzandthepowerdissipationis1.3LLW.Keywords:fullCMOS:lowpower;voltagereferencesource基准电压源是集成电路中重要的单元模块,广泛应具有正温度特性和PM0SFET的阈值电压具有负温度特用于各种模拟集成电路、数字集成电路和数模混合集成性的
6、原理,提出了一种利用两者相互补偿原理的基准电电路中,如A/D、D/A转换器、LDO稳压器和锁相环压源。然而该电路较为复杂,同时需要两个启动电路,且(PLL)等系统⋯,一般要求它具有功耗低、温度系数低、电路中存在电阻,导致面积较大,功耗较高。本文基于电源抑制比高、输出噪声小等特点。传统基准电压源通MOSFET亚阈值的特性,利用两个不同阈值电压的常采用“带隙”技术,由于双极晶体管的基极一发射极电NMOSFET串接产生具有负温度特性的电压△h与具有压(V)具有负温度特性,以及两个双极晶体管工作在正温度特性的热电压进行相互补偿,提出一种全不同的电流密度下,其基极一发射极电压差值具有
7、正温CMOS的基准电压源。该基准电压源具有无需电阻、无度特性,对两者进行相互补偿,即可得到零温度系数。但需传统的分立电容、电路结构简单、温度系数小和功耗是,这种方法需要引入运放,同时为了得到更好的温度低等特点。特性,还需对电路进行高阶补偿[2--41,这会造成电路设计1电路设计复杂和电路功耗增加等问题。1.1△产生电路为解决上述问题,近年很多文献又提出了非带隙CMOS利用两个不同阈值电压的NMOSFET产生具有负温基准电压源[5-91。参考文献[6]基于NMOSFET的阈值电压度特性的电压【l0],如图1所示。42
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