γ-TiAl基复合材料的基体微观组织.pdf

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1、、中国体视学与图像分析2012年第17卷第1期CHINESEJOURNALOFSTEREOLOGYANDIMAGEANALYSISVo1.17No.1March2012文章编号:1007—1482(2012)01—0039—0042·材料科学·涂层法制备SiC/~/-TiAI基复合材料的基体微观组织郭秀乔,杨延清,张伟,赵光明(西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安710072)摘要:采用金相显微镜、x射线衍射仪、扫描电镜及能谱仪对纤维涂层法结合真空热压工艺制备的SiC/Ti一43A1—9V复合材料基体微观组织的形成进行研究。结果表明,磁控溅射法制备的一TiAI涂层

2、与纤维结合良好,与靶材成分基本一致,涂层呈柱状晶生长并且在生长过程中没有发生明显粗化;SiCf/Ti一43A1—9V复合材料基体是由_y相、d2/片层组织和B相组成,与原始靶材合金的相组成一样。复合材料基体中的B:相在离纤维较远处出现,其V含量比原始靶材合金中B,相的低。B相的分布与热压过程中纤维中c的扩散密切相关。关键词:复合材料;^y—TiAI;微观组织;热压中图分类号:TB331文献标识码:AThematrixmicrostructureinSiCf/Ti-43AI-9VcompositespreparedbymatrixcoatedfiberGUOXiuqia

3、o,YANGYanqing,ZHANGWei,ZHAOGuangming(StateKeyLaboratoryofSolidificationProcessing,NorthwesternPolytechnicalUniversity,Xi’an710072,China)Abstract:ThemicrostructureofT-TiA1alloyinSiCf/Ti-43A1-9Vcompositesfabricatedbymatrixcoatedfiberandvacuumhot—pressingisinvestigatedbyopticalmicroscopy,X

4、-raydiffraction,scanningelectronmicroscopyandenergydispersiveX-rayspectroscopy。Itisindicatedthatthecompositionof一TiA1coat-ingpreparedbymagnetronsputteringisthesameastargetmaterialsandhasagoodbondingwiththeSiCfiber.ThecoatingdepositedontotheSiCfibergrowsascolumnarcrystalswithoutobviousco

5、arsening.ThematrixinSiCf/Ti-43A1—9Vcompositesiscomposedof.yphase,仅2/lamellaeandB2phase,whichisthesameastheoriginalsputteringtarget.B2phaseappearsinthematrixfarawayfromtheSiCfibers.Howev—er,thevanadiumcontentinB2phaseofthecompositeislessthanthatoftheoriginalsputteringtarget.Thisphenomeno

6、nisrelatedtothecarbondiffusionduringvacuumhot—pressing.Keywords:composites;一TiA1;microstructure;hot-pressing收稿日期:2012-02.20基金项目:国家自然科学基金(50871086;51071122)作者简介:郭秀乔(1985一),女(汉),内蒙古赤峰市人,硕士研究生。研究方向:金属基复合材料。通信作者:杨延清,西北工业大学教授,博士生导师。E-mail:vqyang@nwpu.edu.Crl中国体视学与图像分析2012年第17卷第1期形成元素,C的扩散会促使

7、纤维附近的基体转变为miniumcomposites:acomparison[J].MaterialsScienceor.相,所以B:相在距离纤维稍远处开始出现。在随andEngineeringA,1999,263(2):305—313.KimYW.Intermetallicalloysbasedongammatitanium后冷却过程中,d相转变为仪/片层组织,和aluminide[J].JournalofMetals,1989,41(7):B相则保留下来。24—30.此外,由于磁控溅射是以原子的形式将^,-TiAIDimidukDM.Gammat

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