Al原位复合材料力学性能的影响.pdf

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1、保温时间对Al—Fe—Si/Al原位复合材料力学性能的影响35保温时间对AI-Fe-Si/AI原位复合材料力学性能的影响EffectofHoldingTimeonMechanicalPropertiesofA1一Fe—Si/A1In—situComposites赵龙志,焦宇,赵明娟,张坚,胡勇,熊光耀,姜羡(1华东交通大学机电工程学院,南昌330013;2哈尔滨工程大学超轻材料与表面技术教育部重点实验室,哈尔滨150001)ZHAOLong—zhi,JIAOYu,ZHAOMing—juan,ZHANGJi

2、an,HUYong,XIONGGuang—yao,JIANGXian(1SchoolofMechatronicsEngineering,EastChinaJiaotongUniversity,Nanchang330013,China;2KeyLaboratoryofSuperlightMaterials&SurfaceTechnology(MinistryofEducation),HarbinEngineeringUniversity。Harbin150001。China)摘要:采用粉末冶金瞬时液相烧结法

3、制备了AI—Fe-Si/A1原位复合材料,应用x射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)研究了保温时间对瞬时液相烧结制备A1一Fe—Si/Al原位自生复合材料微观组织及力学性能的影响。结果表明:随着保温时间的延长,原位自生A1FeSi相晶粒逐渐长大,材料表面孔隙尺寸减小;保温时间为4h时,粒状、短棒状增强相弥散分布在基体上;复合材料的压缩强度、最大弯曲挠度和弯曲强度随着保温时间的延长呈先上升后下降的趋势,但保温时间的延长对复合材料的弹性变形量和塑性变形量影响不大;随着保温时间的延长复合

4、材料的界面结合增强。关键词:瞬时液相烧结;原位自生;微观组织;力学性能doi:10.3969/j.issn.1001—4381.2014.01.007中图分类号:TB331文献标识码:A文章编号:1001—4381(2014)01—0035—06Abstract:A1一Fe—Si/A1—situcompositewaspreparedbyusingpowdermetallurgytransientliquidphasesinteringmethod.Theinfluenceofholdingtimeonm

5、icrostructureandmechanicalpropertyofAl—Fe—Si/A1in—situcompositeswasinvestigatedbymeansofX—raydiffraction(XRD),scanningelec—tronmicroscopy(SEM)andenergydispersivespectroscopy(EDS).Theresultsshowthatthegrainsizeofin—situsynthesizedA1o5FeSioincreasesandthepo

6、resizeofmaterialssurfacedecreaseswhen.5prolongingtheholdingtime.Thegranularandshort—rodreinforcedphasesgetadiffusedistributiononthesuhstratewhentheholdingtimeis4h.Withholdingtime,thecompressivestrength,themaxi—mumbendingflexibilityandthebendingstrengthhav

7、eatrendofrisingfirstthenfalling.Moreover,theinterfacebondinthecompositesisenhanced.However,theholdingtimehasnoinfluenceonthecompositeelasticdeformationandplasticdeformation.Keywords:transientliquidphasesintering;in—situsynthesized;microstructure;mechanica

8、lproperty过共晶Al—si合金由于其硬度高、质量轻、低膨胀性能。制备原位金属基复合材料的方法通常包括铸造以及高耐磨等性能,广泛应用于航空航天、交通运输行法和粉末冶金法,但铸造法容易引起成分偏聚,从而引业[1]。但是粗大初晶硅割裂了合金连续性,增加了起组织不均匀¨1,相比之下,粉末冶金法可以精确地合金的脆性,这极大地限制了其在高速载运工具上的控制材料的微观结构、成分比例以及晶粒尺寸,并且可应用[4]。在合金中引入Fe,N

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