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时间:2020-04-30
《分步法电镀制备的Au-Sn共晶凸点的微观组织.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、第22卷第7期中国有色金属学报2012年7月、bl22NO.7TheChineseJournalofNonferrousMetalsJuly20l2文章编号:1004-0609(2012)07-2016—07分步法电镀制备的Au.Sn共晶凸点的微观组织潘剑灵1,2黄明亮1,2赵宁,(1.大连理工大学材料科学与工程学院,大连116024;2.大连理工大学辽宁省先进连接技术重点实验室,大连116024)摘要:研究金属离子与络合剂摩尔浓度比、pH值及电镀温度对A_u、Sn镀层表面形貌及其镀速的影响。通过分步法电镀Au/
2、Sn/Au三层结构薄膜,并回流制备Au.Sn共晶凸点。结果表明:镀A_u过程中,随着Au离子与亚硫酸钠摩尔浓度比的增加,Au镀层晶粒细化,并在摩尔浓度比为1:6时获得了最快的沉积速度;当电镀温度较低时,镀Au层表面呈多孔状,随着温度的升高,镀层致密性增加,晶粒也趋于圆滑。镀sn过程中,随着sn离子与焦磷酸钾摩尔浓度比的增大,镀层表面起伏加剧,镀层孔洞增多。当pH值为8.0时,镀层平整致密,随着pH值的增高,析氢反应加剧,Sn离子水解,导致镀层质量下降。运用分步法电镀制备的Au/Sn/Au三层结构薄膜均匀,回流得到
3、了具有典型共晶组织的Au.Sn凸点。关键词:金;锡;分步法电镀;回流;共晶组织;凸点中图分类号:TQ153.1文献标志码:AMicrostructureofAu—SneutecticbumpspreparedbysequentialelectroplatingPANJian.1ing一,HUANGMing.1iang一,ZHAONing,。(1.SchoolofMaterialsScienceandEngineering,DalianUniversityofTechnology,Dalian116024,Chin
4、a;2.KeyLaboratoryofLiaoningAdvancedWeldingandJoiningTechnology,DalianUniversityofTechnology,Dalian116024,China)Abstract:Theefectsofmolarconcentrationratioofmetaliontocomplexingagent,pHvalueandelectroplatingtemperatureonthemorphologyandtheplyingrateofgoldandti
5、nfilmswereinvestigated.TheAu/Sn/Autriple-layerfilmswerepreparedbysequentialelectroplating,andtheAu—Sneutecticbumpswereobtainedbyreflowingthetriple-layerfilms.Theresultsshowthatthegrainsizeofgoldfilmsbecomesfinewithincreasingmolarratioofgoldiontosodiumsulfite,
6、andthefastestplatingrateisobtainedwhenthemolarconcentrationratiois1:6.Thegoldfilmsareporousatalowtemperature,butbecomedenseandsmoothwithincreasingtemperature.Thetinfilmsbecomecoarseningwithmorevoidswithincreasingmolarratio.WhenthepHvalueis8.0.thetinfilmsareev
7、enandcompact.WhenthepHvalueisfurtherincreased,thequalityoftinfilmsgetsworseduetothehydrogenrevolutionreactionandthehydrolysisoftinions.TheAu/Sn/Autriple-layerfilmspreparedbysequentialelectroplatingareuniform.andtheAu·Snbumpswithtypicaleutecticstructureareobta
8、inedbyreflowingthetriple—layerfilm.Keywords:Au;Sn;sequentialelectroplating;reflow;eutecticstructure;bump随着封装技术的发展和材料性能的不断改善,固有的出光率低和散热能力羞的缺点。倒装芯片的导LED的输出功率将不断提高”。相对于传统的正装工热和导电均要通过焊点来完成,因此
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