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时间：2017-11-12
《微电子工艺作图2010-pmos-al简化版》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、PMOS-1P+（100）衬底n阱形成多晶硅淀积n阱形成，大能量P离子注入，RTP退火P-外延层P+（100）衬底P-外延层超薄栅氧生长，干氧P+（100）衬底P-外延层LPCVD多晶硅淀积n阱P+（100）衬底P-外延层n阱PMOS-2去胶第一次光刻（正胶）以及干法刻蚀P+（100）衬底P-外延层n阱去除光刻胶P+（100）衬底P-外延层n阱SiO2淀积、反刻LDD低能注入（注B，低能，低剂量）P+（100）衬底P-外延层n阱依次CVDSiO2淀积、反刻（注意不用光刻掩膜）P+（100）衬底P-外延层n阱PMOS-3源漏注入工艺P+（100）衬底P-外延层n阱侧墙形成源
2、漏注入工艺（中等能量B离子注入，多晶硅栅同步注入），RTP退火P+（100）衬底P-外延层n阱自对准工艺低温RTP，Ti湿法化学腐蚀，高温RTPTiPVD淀积P+（100）衬底P-外延层n阱P+P+P+（100）衬底P-外延层n阱P+P+PMOS-4Al互连光刻、显影、刻蚀依次SiO2CVD淀积，CMP，涂胶P+（100）衬底P-外延层n阱P+P+第二次光刻（正胶）以及干法刻蚀P+（100）衬底P-外延层n阱P+P+去除光刻胶P+（100）衬底P-外延层n阱P+P+淀积金属Ti，TiN以及W，接着CMPP+（100）衬底P-外延层n阱P+P+金属淀积、CMPPMOS-5A
3、l互连光刻以及刻蚀淀积金属Al，涂光刻胶P+（100）衬底P-外延层n阱P+P+第三次光刻（正胶）以及干法刻蚀P+（100）衬底P-外延层n阱P+P+去胶，烧结P+（100）衬底P-外延层n阱P+P+
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