模拟电路复习试题及答案.doc

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1、系(部)：专业：年级：学生姓名：学号：密封线得分评卷人一.填空题(本大题共20个空，每空1分，共20分)1.N型半导体的多数载流子是自由电子。2.二极管的典型特性是单向导电性。3.三极管是电流控制元件，场效应管是电压控制元件。4.测得放大电路中某三极管的各电极电位分别为VA=5V,VB=2.2V,VC=2.9V,则A极为集电极极，B极为发射极极，C极为基极极，该三极管（按结构分类）为NPN。5.差动放大电路的共模抑制比KCMRR越大，表明差动放大电路对差模信号的放大能力越强（强/弱），对共模信号的抑制能力越强（强/弱）。6.多级放大电路的输入电阻等于第一级放大电路的输入电阻

2、，输出电阻等于最后一级放大电路的输出电阻。7.引入电压串联负反馈可增大（增大/减小）输入电阻，稳定输出电压（电压/电流）。8.多级放大电路的带宽BW一定比构成它的任何一级电路的带宽都窄（宽/窄）。9.已类互补对称功率放大电路存在交越失真，克服该失真的方法是采用甲已类互补对称功率放大电路。10.正弦波振荡电路可以产生振荡的相位平衡条件是φA+φF=2nπ（n=0，±1，±2，…）。11.如果把高通滤波电路和低通滤波电路串联起来使用，则可构成带通滤波电路。12.三端固定输出线性集成稳压器CW78××（正输出）和CW79××（负输出）系列。其型号后两位××所标数字代表输出电压值。

3、得分评卷人二.单项选择题(本大题共10小题，每小题2分，共20分)1.本征半导体温度升高后，（C）A.自由电子数目增多，空穴数目基本不变。B.空穴数目增多，自由电子数目基本不变。C.自由电子数目和空穴数目都增多，且增量相同。D.自由电子数目和空穴数目都不变。2.在图2-2所示电路中，D1、D2为理想二极管，则电压UO为（A）A.3VB.5VC.2VD.1V图2-2图2-43.某三极管的三个电极电位分别为VC=0V，VE=－6V，VB=－5.3V，该三极管的工作区为A.放大区B.截止区C.饱和区D.击穿区（A）4.放大电路如图2-4所示，因静态工作点不合适而使UO出现严重截止

4、失真，通过调整偏置电阻RB，可以改善UO的波形。调整过程应是RB（B）A.增加B.减小C.不变D.等于零5.在场效应管的微变等效电路中，将场效应管等效为（B）A.电压控制电压源B.电压控制电流源C.电流控制电压源D.电流控制电流源6.两级共射极阻容耦合放大电路，若将第二级改成射极跟随器，则第一级的电压放大倍数将（A）A.提高B.降低C.不变D.等于17.多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带BW（B）A.变宽B.变窄C.不变D.与各单级放大电路无关8.图2-8所示电路是一种滤波器，其类型是（B）-7-系(部)：专业：年级：学生姓名：学号：密封线9.某仪表放大电

5、路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（A）A.电流串联负反馈B.电流并联负反馈C.电压串联负反馈D.电压并联负反馈10.某RC振荡电路的振荡频率为f0=10KHZ,如将RC选频网络中的电容增大一倍，则振荡频率为（D）A.20KHZB.14KHZC.7KHZD.5KHZ得分评卷人三.判断题（本大题共3小题，每小题各4分，共12分）1.判断下列图3-1（a）、图3-1（b）电路能否正常放大?图3-1（a）图3-1（b）图3-1（a）电路不能正常放大，因为三极管发射结被反向偏置。图3-1（b）电路不能正常放大，因为三极管发射结无偏置，且输出端被交流短路。2.判断图3-2（a）、

6、图3-2（b）电路中引入的是何种反馈类型？图3-2（a）图3-2（b）.图3-2（a）电路中R1、R2引入的是电压串联负反馈。图3-2（b）电路中R2引入的是电压并联负反馈。3.判断图3-3电路能否发生自激振荡？如不能振荡将电路改正过来，写出振荡频率。3.图3-3电路是RC串、并联网络（文氏桥式）振荡电路，故能产生自激振荡。振荡频率为图3-3得分评卷人四.分析题（本大题共2小题，每小题各6分，共12分）1.已知电路如图4-1（a）所示，ui=10sintV,E=5V,二极管正向导通电压忽略不计，试画出输出电压uo的波形。2.电路如图4-2所示,ui=10sintV(与上题相

7、同),若UZ=6V，画出输出电压uo的波形。1.由电路图可知，当uI为负半周时，D2导通，uo=0；当uI为正半周时，D2截止。若uI＜E，则D1截止，uo=uI；若uI＞E，则D1导通uo=E。波形图见图D4-1。-7-系(部)：专业：年级：学生姓名：学号：密封线图D4-1图D4-22.该电路为一过零电压比较器。输出电压uo波形见图D4-2。图4-1（a）图4-2五.计算题（本大题共3小题，第1题16分；其余两小题各10分，共36分）1.图5-1所示电路中,已知:VCC＝12V,RB1＝33KΩ,RB2＝10KΩ