半导体器件物理第2章

《半导体器件物理第2章》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、半导体器件物理第二章P-N结引言•PN结是几乎所有半导体器件的基本单元。除金属－半导体接触器件外，所有结型器件都由PN结构成。PN结本身也是一种器件－整流器。PN结含有丰富的物理知识，掌握PN结的物理原理是学习其它半导体器件器件物理的基础。正因为如此，PN结一章在半导体器件物理课的64学时的教学中占有16学时，为总学时的四分之一。•由P型半导体和N型半导体实现冶金学接触（原子级接触）所形成的结构叫做PN结。•任何两种物质（绝缘体除外）的冶金学接触都称为结（junction）,有时也叫做接触（contact）.引言•由同种物质

2、构成的结叫做同质结（如硅），由不同种物质构成的结叫做异质结（如硅和锗）。由同种导电类型的物质构成的结叫做同型结（如P-硅和P-型硅、P-硅和P-型锗），由不同种导电类型的物质构成的结叫做异型结（如P-硅和N-硅、P-硅和N－锗）。因此PN结有同型同质结、同型异质结、异型同质结和异型异质结之分。广义地说，金属和半导体接触也是异质结，不过为了意义更明确，把它们叫做金属－半导体接触或金属－半导体结（M-S结）。引言•70年代以来，制备结的主要技术是硅平面工艺。硅平面工艺包括以下主要的工艺技术：•1950年美国人奥尔（R.Ohl）和

3、肖克莱(Shockley)发明的离子注入工艺。•1956年美国人富勒（C.S.Fuller）发明的扩散工艺。•1960年卢尔（H.H.Loor）和克里斯坦森(Christenson)发明的外延工艺。•1970年斯皮勒（E.Spiller）和卡斯特兰尼(E.Castellani)发明的光刻工艺。正是光刻工艺的出现才使硅器件制造技术进入平面工艺技术时代，才有大规模集成电路和微电子学飞速发展的今天。•上述工艺和真空镀膜技术，氧化技术加上测试，封装工艺等构成了硅平面工艺的主体。氧化工艺：1957年人们发现硅表面的二氧化硅层具有阻止杂

4、质向硅内扩散的作用。这一发现直接导致了硅平面工艺技术的出现。在集成电路中二氧化硅薄膜的作用主要有以下五条：（1）对杂质扩散的掩蔽作用；（2）作为MOS器件的绝缘栅材料；（3）器件表面钝化作用；（4）集成电路中的隔离介质和绝缘介质；（5）集成电路中电容器元件的绝缘介质。硅表面二氧化硅薄膜的生长方法：热氧化和化学气相沉积方法。扩散工艺：由于热运动，任何物质都有一种从浓度高处向浓度低处运动，使其趋于均匀的趋势，这种现象称为扩散。常用扩散工艺：液态源扩散、片状源扩散、固-固扩散、双温区锑扩散。液态源扩散工艺：使保护气体（如氮气）通过

5、含有扩散杂质的液态源，从而携带杂质蒸汽进入高温扩散炉中。在高温下杂质蒸汽分解，在硅片四周形成饱和蒸汽压，杂质原子通过硅片表面向内部扩散。离子注入技术：将杂质元素的原子离化变成带电的杂质离子，在强电场下加速，获得较高的能量（1万-100万eV）后直接轰击到半导体基片（靶片）中，再经过退火使杂质激活，在半导体片中形成一定的杂质分布。离子注入技术的特点：（1）低温；（2）可精确控制浓度和结深；（3）可选出一种元素注入，避免混入其它杂质；（4）可在较大面积上形成薄而均匀的掺杂层；（5）控制离子束的扫描区域，可实现选择注入，不需掩膜技

6、术；（6）设备昂贵。外延工艺：外延是一种薄膜生长工艺，外延生长是在单晶衬底上沿晶体原来晶向向外延伸生长一层薄膜单晶层。外延工艺可以在一种单晶材料上生长另一种单晶材料薄膜。外延工艺可以方便地可以方便地形成不同导电类型，不同杂质浓度，杂质分布陡峭的外延层。外延技术：汽相外延、液相外延、分子束外延（MBE）、热壁外延（HWE）、原子层外延技术。光刻工艺：光刻工艺是为实现选择掺杂、形成金属电极和布线，表面钝化等工艺而使用的一种工艺技术。光刻工艺的基本原理是把一种称为光刻胶的高分子有机化合物（由光敏化合物、树脂和有机溶剂组成）涂敷在半

7、导体晶片表面上。受特定波长光线的照射后，光刻胶的化学结构发生变化。如果光刻胶受光照（曝光）的区域在显影时能够除去，称之为正性胶；反之如果光刻胶受光照的区域在显影时被保留，未曝光的胶被除去称之为负性胶；引言•采用硅平面工艺制备PN结的主要工艺过程光刻胶SiO2NSiN+NSi+NN+(a)抛光处理后的型硅晶片(b)采用干法或湿法氧化(c)光刻胶层匀胶及坚膜工艺的晶片氧化层制作紫外光掩模板SiO2光刻胶光刻胶SiO2NSiSiO2+nSiNNSi+N+N(e)曝光后去掉扩散窗口（f)腐蚀SiO后的晶片（d)图形掩膜、曝

8、光2胶膜的晶片引言•采用硅平面工艺制备结的主要工艺过程金属SiO2SiO2PSiNSiNSi++NN(g)完成光刻后去胶的晶片(h)通过扩散（或离子注入）形成P-N结金属SiO2PSiSiO2NSiPSi+NNSi金属+N(i)蒸发/溅射金属（j）P-N结制作完成引言突变结与