磁控溅射系统基本技术要求.doc

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1、磁控溅射镀膜机技术规格1.货物名称、数量磁控溅射镀膜机1套2.工作条件及用途2.1工作条件2.1.1能在电源电压380±10%V、50±2%Hz、室温0℃~40℃的环境下连续正常工作。2.1.2连续工作时间能力不应少于168小时，设备服役期限15年。2.2用途主要用于镀制多层金属及金属化合物薄膜。3.技术规格卖方所提供的磁控溅射镀膜机必须是技术先进，经济合理，成熟可靠的产品。本条中带*技术指标为关键指标，不允许有超标。3.1基本要求磁控溅射镀膜机由无油真空系统、溅射系统、气体压强控制装置、气体流量控制

2、装置以及烘烤旋转系统等组成。可满足样品尺寸为f50mm，多片（4片以上）同时镀制要求，可满足三靶共溅射要求；溅射室采用1Cr18Ni9Ti不锈钢制造；气体管路采用不锈钢硬管；所有设备要求为集装式。溅射室的观察窗不少于2个；备用接口不少于2个，溅射室内部应有照明装置。3.1.1样品尺寸：≥f50mm，*3.1.2膜厚不均匀性：≤±5%；*3.1.3膜厚重复性≤±3%；3.2真空系统3.2.1真空室直径≥φ500mm。3.2.2极限真空度：≤6.0´10-5Pa*3.2.3恢复抽真空时间：从大气~4×10

3、-3Pa小于15分钟*3.2.4真空测量装置范围：大气~1×10-5Pa3.2.5系统漏率：停泵关机12小时后真空度≤5Pa。3.2.6-4-真空测量：宽量程真空计（用于真空监测）和精度优于1.5%的薄膜规（用于工艺真空控制，建议采用美国MKS产品）；3.3溅射系统3.3.1溅射材料：Ti，Pt，Au，钛酸锶钡等；还可溅射其它金属、氧化物等；*3.3.2溅射靶：溅射靶的数量不少于4个，可满足三靶共溅射要求；要求共溅射和单靶溅射模式转换调节方便；预留一个靶的空位和接口，作为离子源安装备用接口；3个直流靶

4、为高真空型、1个射频靶，其中一个直流靶为磁场增强靶；靶位置：向上溅射；溅射靶与基片距离可调节，每只溅射靶分别配有挡板；4个永磁靶均为摆头靶，可分别实现多层镀膜和掺杂镀膜。其中有二个外加非平衡线圈，形成非平衡溅射。3.3.3电源：直流：1500W；（3台）射频：600W，自动匹配；（一套，）偏压：0~200V负偏压，连续可调；3.4烘烤旋转系统*3.4.1样品加热温度：室温~650oC可调，自动控温，控温精度优于±1%；温度均匀性优于±5oC；3.4.2工件架：工件架加0~200V负偏压，连续可调（精度

5、1V）；工件架应有旋转装置，其旋转速度应连续可调。3.5气体压强控制装置压强自动控制范围：10Pa~1×10-5Pa3.6气体流量控制装置工作气体为三路。流量控制：Ar-200sccm；O2-50sccm；N2-50sccm，精度优于1%；3.7整机自动控制系统：3.7.1工作压强自动控制范围（通过薄膜规控制）：10Pa～1×10-1Pa；工作压强自动控制精度：1%；*3.7.2可实现多层膜溅射、掺杂溅射；3.7.3镀膜时间可控制；*3.7.4具有样品转盘旋转控制功能；样品转盘复位、靶位确认功能；3.

6、7.5具有水、电、气监控报警功能；-4-3.7.6整机全自动工作控制系统（此部分可单独报价）。请给出控制功能、精度等指标参数。3.8其它特殊要求3.8.1预留一个靶的安装位置、不少于4个标准备用孔。3.8.2卖方应提供易损、易耗件的加工配件说明和全部技术资料。1.配置和选件1.1基本配置设备主机应包括满足技术规格中第3条要求的真空系统、溅射系统、整机自动控制系统、气体压强控制装置、气体流量控制装置、烘烤旋转系统以及相关软件和满足成套性要求的其它装置等，所有装置要求为集装式。1.2附件及专用工具卖方应提

7、供用于操作、保养、维修所必要的专用工具及附件。1.3备件及易损件卖方应向买方提供在设备服役期间需要更换的零部件的名称及预期的使用寿命，并提供安装、调整、运行和维护所需的最低限度备品备件。2.技术服务2.1技术文件卖方所提供的各种技术资料(文件和图纸中均采用国际单位)应满足买方对安装调试、运行、维护和维修的要求，如果买方认为所提供的技术资料不能满足要求时，买方有权提出补充要求，卖方应免费提供所需的补充技术资料。2.2培训卖方应在买方现场（西安工业大学）对三人以上人员进行安装、操作使用、维护和维修人员的培

8、训，培训所需费用（不含学员的食宿费）均由卖方支付。2.3安装调试卖方应派人到买方现场（西安工业大学）进行安装调试。买方为卖方提供必需的安装场地、水、电、气等相关要求，为安装调试提供便利条件。2.4保质期内保质期内设备发生故障，所产生的全部费用由卖方支付。3.验收标准和验收程序-4-验收标准根据合同签定的技术指标和镀膜机生产厂家提供的产品技术指标验收。在西安工业大学安装调试后最终验收。1.质量保证期一年2.到货地点最终到货地点为陕西省西安市西安工业大学。3