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时间:2020-04-07
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1、.NandFlash详述1. 硬件特性:【Flash的硬件实现机制】Flash全名叫做FlashMemory,属于非易失性存储设备(Non-volatileMemoryDevice),与此相对应的是易失性存储设备(VolatileMemoryDevice)。这类设备,除了Flash,还有其他比较常见的如硬盘,ROM等,与此相对的,易失性就是断电了,数据就丢失了,比如大家常用的内存,不论是以前的SDRAM,DDRSDRAM,还是现在的DDR2,DDR3等,都是断电后,数据就没了。Flash的内部存储是MOSFET,
2、里面有个悬浮门(FloatingGate),是真正存储数据的单元。-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效
3、晶体管(field-effecttransistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOSFET、PMOSFET、nMOSFET、pMOSFET等。-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------在Flash
4、之前,紫外线可擦除(uv-erasable)的EPROM,就已经采用用FloatingGate存储数据这一技术了。图1.典型的Flash内存单元的物理结构数据在Flash内存单元中是的。存储电荷的多少,取决于图中的外部门(externalgate)所被施加的电压,其控制了是向存储单元中冲入电荷还是使其释放电荷。数据的表示,以所存储的电荷的电压是否超过一个特定的阈值Vth来表示。【SLC和MLC的实现机制】..NandFlash按照内部存储数据单元的电压的不同层次,也就是单个内存单元中,是存储1位数据,还是多位数据
5、,可以分为SLC和MLC:1. SLC,SingleLevelCell:单个存储单元,只存储一位数据,表示成1或0.就是上面介绍的,对于数据的表示,单个存储单元中内部所存储电荷的电压,和某个特定的阈值电压Vth,相比,如果大于此Vth值,就是表示1,反之,小于Vth,就表示0.对于nandFlash的数据的写入1,就是控制ExternalGate去充电,使得存储的电荷够多,超过阈值Vth,就表示1了。而对于写入0,就是将其放电,电荷减少到小于Vth,就表示0了。关于为何NandFlash不能从0变成1,我的理解是
6、,物理上来说,是可以实现每一位的,从0变成1的,但是实际上,对于实际的物理实现,出于效率的考虑,如果对于,每一个存储单元都能单独控制,即,0变成1就是,对每一个存储单元单独去充电,所需要的硬件实现就很复杂和昂贵,同时,所进行对块擦除的操作,也就无法实现之前的,一闪而过的速度了,也就失去了Flash的众多特性了。//也就是放电的思路还是容易些。1->02. MLC,MultiLevelCell:与SLC相对应,就是单个存储单元,可以存储多个位,比如2位,4位等。其实现机制,说起来比较简单,就是,通过控制内部电荷的多
7、少,分成多个阈值,通过控制里面的电荷多少,而达到我们所需要的存储成不同的数据。比如,假设输入电压是Vin=4V(实际没有这样的电压,此处只是为了举例方便),那么,可以设计出2的2次方=4个阈值,1/4的Vin=1V,2/4的Vin=2V,3/4的Vin=3V,Vin=4V,分别表示2位数据00,01,10,11,对于写入数据,就是充电,通过控制内部的电荷的多少,对应表示不同的数据。对于读取,则是通过对应的内部的电流(与Vth成反比),然后通过一系列解码电路完成读取,解析出所存储的数据。这些具体的物理实现,都是有足
8、够精确的设备和技术,才能实现精确的数据写入和读出的。单个存储单元可以存储2位数据的,称作2的2次方=4LevelCell,而不是2LevelCell;同理,对于新出的单个存储单元可以存储4位数据的,称作2的4次方=16LevelCell。【关于如何识别SLC还是MLC】NandFlash设计中,有个命令叫做ReadID,读取ID,意思是读取芯片的ID,就像大家的身份证一样
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