我国成功研制陶瓷太阳能吸热膜制备技术-论文.pdf

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1、第4期山东陶瓷23·行业动态·日本KND开发出陶瓷新材料近日，日本可乐丽集团旗下的KurarayNoritakeDental(以下简称KND)宣布，开发出了弯曲强度、断裂韧性及耐热水性俱佳的氧化锆类陶瓷的新材料。据介绍，该材料在制造时无需进行加热、等静压等特殊处理，可用于牙科材料、人造关节及普通工业品等。新材料的三点弯曲强度和断裂韧性均比普通氧化锆材料高。KND使用厚0．2ram、宽4mm的新材料的板状试样实施了三点弯曲试验，普通氧化锆试样在按下4mm时即发生破损，而新材料即使按下6mm仍可保持弯曲状态。．另外，据KND介绍，新材料“在热水条件下也几乎不

2、会向单斜晶相转变”。一般而言，氧化锆在热水条件下结晶相会从正方晶相向单斜晶相转变，导致强度降低。实际上，在KND实施的耐热水性试验(ISO13356—2008)中，普通的氧化锆在试验开始5小时后，单斜晶相的比例增至12左右，并且在试验延长至15小时后，进一步增加到了8O％左右。而新材料即使将试验时间延长至200小时，单斜晶相的比例也基本为零。该公司表示，“与普通的氧化锆相比，新材料的耐久性更为出色”。我国成功研制陶瓷太阳能吸热膜制备技术太阳能光热利用需要通过太阳能集热器来实现，随着太阳能建筑一体化和太阳能光热工业化应用技术的发展，太阳能平板集热器的使用量

3、正在不断增加。据有关报道，目前国内太阳能平板集热器的年产能已超过3880万平米。太阳能吸热膜(涂层)是集热器的核心部件。然而，目前制备太阳能吸热膜(涂层)的主要方法，包括涂料涂覆法、电镀法、溶胶一凝胶法、磁控溅射法等，均存在一定缺陷，如污染环境、应用范围窄、工艺条件苛刻、生产成本高和耐候性较差等。因此，发展绿色技术，生产高性能、低成本的太阳能吸热膜，成为平板集热器领域急需解决的技术瓶颈。中国科学院兰州化学物理研究所研究人员经过多年研究，采用两种以上半导体尖晶石型过渡金属氧化物，通过溶胶凝胶法将溶胶液浸涂或辊涂在金属基材上，在催化作用下快速烧结，成功制备出

4、具有明显尖晶石结构的耐高温陶瓷纳米吸热膜，实现了理论和工艺技术上的重大突破。尖晶石型陶瓷吸热膜的晶化温度降低至460℃左右、晶化时间缩短到10min以内，使得工业化制备尖晶石型陶瓷太阳能吸热膜成为可能。然后在吸热膜上加覆一层干涉型纳米减反射层，其太阳能吸收率可达0．95、发射比达0．05，与目前流行的德国磁控溅射太阳能吸热膜一致。而且，吸热膜耐高温(>1000℃)，抗氧化性和耐候性也更好。由于陶瓷吸热膜厚度控制在200纳米以下，因此，可以有效地消除金属基底与陶瓷膜之间的应力变化，使其与金属基底结合牢固。相对于磁控溅射镀膜技术来说，其制备条件更加温和，无需

5、高真空苛刻条件，装备与生产成本低，色彩变化丰富，有着良好的市场发展前景。京瓷开发出全球最高Q值的0402尺寸多层陶瓷电容器京瓷近日宣布，开发出了在高频段拥有全球最高Q值的0402尺寸片式多层陶瓷电容器(MLCC)“CU02系列”。在该公司的鹿儿岛国分工厂正式量产。据京瓷介绍，Q值高的多层陶瓷电容器不仅内部的能量损耗小，还可有效改善收发信使用的高频电路等的匹配损耗(电信号的传输损耗)。因此，京瓷这次将多层陶瓷电容器的内部电极材料由原来的镍(Ni)换成了铜(Cu)，并优化了内部结构设计，将高频段的Q值提高到了原来的约3倍。比如，在1GHz频率下测量静电容量为

6、4pF的产品时，Q值达到约290，是该公司原产品的约3倍。在0402尺寸多层陶瓷电容器中，该Q值达到全球最高值。CUO2系列包含了电容为0．2～22pF的多种型号。尤其在匹配电路的微调中使用较多的0．2～10pF范围内，推出了电容间隔0．1pF的多款产品。CUO2系列电容器的尺寸为0．4mmX0．2mm×0．2mm。特性为CH。静电容量值公差方面，在0．2～9．9pF范围内为B(4-0．1pF)或C(±0．25pF)，在10~22pF范围内为G(±2)或J(±5)。额定电压为16V(直流)。用过热水蒸汽为陶瓷高速脱脂，JFCC发表基础研究成果日本精细陶瓷

7、中心(JFCC，名古屋市)在东京都文京区举行的“2014年度JFCC研究成果发表会”上宣布，该公司通过研究发现，在陶瓷的成形加工中，通过在去除成型辅助剂的“脱脂”工序中使用过热水蒸汽，可将脱脂工序的时间缩短至原来的1／10。