上房沟钼矿辉钼矿俄歇能谱分析-论文.pdf

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1、第32卷第4期矿物学报Vb1.32.No.42012年12月ACTAMIERALoGICASINICADec.,2012文章编号:1000—4734(2012)04.0543.05上房沟钼矿辉钼矿俄歇能谱分析王守敬,卫敏,赵平,卞孝东,马驰(中国地质科学院郑州矿产综合利用研究所国家非金属矿资源综合利用工程技术研究中心,河南郑州450006)摘要:通过扫描电镜分析和俄歇能谱分析对上房沟钼矿原矿、浮选精矿和浮选尾矿以及三道庄钼矿(易选矿)中辉钼矿进行了表面元素组成和微形貌研究。结果显示上房沟钼矿中辉钼矿表面呈陡峭阶梯状,且氧化强烈,而三道庄钼矿中辉钼矿表面平整,氧化较弱。综合分析认为上房沟钼矿中辉

2、钼矿陡峭阶梯状表面会增加其表面极性面的比重;表面氧化会增加辉钼矿表面非极胜面的表面能,改变其表面疏水性。两者都会降低辉钼矿的可浮性。因此上房沟钼矿中辉钼矿表面氧化程度高、表面不平整是影响其浮选效果的主要因素之一。关键词:上房沟钼矿;辉钼矿;表面元素组成和微形貌;俄歇能谱分析;扫描电镜分析中图分类号:P578.2;P579;TD913文献标识码:A作者简介:王守敬,男,1982年生,硕士,研究实习员,矿物学、岩石学、矿床学专业,工艺矿物学方向.E.mail:shj_wang@163.corn上房沟钼矿位于河南省栾川县,Mo平均品的成果。位0.187%,金属储量70.5万t(2004年资源储本次研

3、究采用俄歇电子能谱分析和扫描电量核实报告),是我国特大型钼矿床之一,但也镜分析等方法研究上房沟钼矿中辉钼矿表面特是世界著名的难利用钼矿之一。其难利用的症结征,分析其对辉钼矿浮选效果的影响,对于探索是辉铝矿浮选效果较差J。上房沟钼矿辉铝矿难选原因,指导其选矿工艺革众所周知,浮选是根据矿物颗粒表面物理化新具有重要意义。学性质的不同,从矿石中分离有用矿物的技术方法,其实质是在固一液气三相界面上发生的复杂1样品采集与制备表面化学物理过程L3J,即利用矿物原料自身具有本次研究采取了上房沟钼矿花岗斑岩型、夕的表面活性或经药剂处理后获得的疏水、亲气卡岩型、角岩型及辉长岩型4种类型的矿石。同(或亲油)特性,在

4、相界面聚集,或发生气泡吸时,还采取了栾川地区三道庄钼矿(易选矿)样附,进而进行分选【4J。矿物表面元素分布,尤其是最外层l~3个原子层区问内的元素分布及化品进行对比研究。学键直接影响矿物表面性质l4J。因此矿物表面性将上房沟钼矿各类型样品破碎至2mm以质研究对于指导选矿具有重要意义。目前已有人下,按各类型矿石储量配矿。把配好的矿缩分后用量子化学讨论矿物表面原子层与浮选剂作用,细磨,并进行辉钼矿浮选,制备浮选精矿样品和从微观上很好地说明了浮选试验事实和浮选机尾矿样品。理[。-刚。分别挑选上房沟钼矿原矿样品、浮选精矿和随着物质表面科学的发展,各种表面分析仪尾矿样品以及三道庄钼矿原矿中的辉钼矿单矿器

5、的诞生,矿物表面的研究也随之成为矿物学的物进行扫描电镜照相和俄歇能谱分析。热点之一。国内外很多专家、学者利用俄歇电子能谱分析(AES)等方法,在矿物表面元素分布2扫描电镜结果与讨论特征和微形貌]和矿物表面性质与矿物浮选关系[4,6,15-17等方面进行了深入的研究,取得了瞩目本次扫描电镜分析主要研究辉钼矿0001解理面的形貌特征。结果显示上房沟钼矿中辉钼矿收稿日期:20l2—03—18晶形较差(图1A,B,C),表面多呈陡峭的阶梯状基金项目:地质调查项目(编号1212010816038):国家“十一五”科技支撑计划课题(编号:2008BAB32B11)(图lE,F)。三道庄钼矿中辉钼矿晶形较好

6、,多第4期王守敬,等.上房沟钼矿辉钼矿俄歇能谱分析上房沟钼矿中辉钼矿表面多呈陡峭的阶梯的对比,这里主要讨论C、0、S和Mo等元素的状,其实际作用增加了辉钼矿表面的棱面比,提分布特征。高了辉钼矿表面亲水性的极性面比重,降低了辉2个矿床的辉钼矿表面C、S和Mo等元素含钼矿的可浮性,对辉钼矿浮选具有一定的影响。量随剥蚀深度的变化趋势基本一致,即表面C含量很高,S和Mo含量较低,随着剥蚀深入,C3俄歇能谱分析结果与讨论含量迅速降低,S和Mo含量迅速升高(图2)。一般来说,样品在空气中由于吸附或吸收,俄歇能谱分析点位见图1,剥蚀方向基本垂其表面污染层常达0.5nnl左右,成分以C、O、直解理面,分析结果

7、见表1,图2。分析结果显H为主。AES的取样深度为0.1~2.0nlTl,所以示上房沟辉钼矿表面主要组成元素为c、O、Mg、其分析结果中总显示有C和O(AES不能分析H)Mo和S,其中C含量最高。x(C)为44.61%~的存在。因此辉钼矿表面c可能是表面污染。随82.34%,x(S)为7.65%~24.83%,x(O)2.43%着碳污染层被剥蚀掉,S和Mo含量快速升高。16.72%,x(Mo13.

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