半浮栅晶体管-论文.pdf

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1、应晶体管(TFET)和浮栅器件结合起来．单元面积大大减小，而且芯片的外围电构成了一种名为“半浮栅”结构的器件，路也可以大大简化。同时、针对下一代称为半浮栅晶体管(SFGT)。SFGT高速无线通信系统中的应用，王鹏飞教是一种介于浮栅金属氧化物半导体场授课题组还开展了以硅基氮化镓高电子随着微电子器件依照摩尔定律微缩，芯效晶体管(MOSFET)与普通MOS—迁移率晶体管(HEMT)器件为代表的片的进一步小型化遇到越来越多的技术FET之间的新型器件。SFGT的优势在射频功率器件的研发，并逐渐将SFGT局限。在传统硅芯片技术上所能取得的于它的数据擦写更加容易、迅速．整个概念拓展到了功率器件领域。进步受到

2、的物理法则限制也越来越严过程都可以在低电压条件下完成，为实微电子器件是整个微电子产业的核重。为了克服这些困难、进一步拓展摩现芯片的低功耗运行创造了条件。心，开发出基础的、全新的、可产业化尔定律的应用领域，新原理或新结构器作为一种新型器件，SFGT具有非的微电子器件与制造技术，能够影响基件的研制变得尤为重要。常广阔的应用前景。首先，SFGT可以于微电子器件的整个产业链。对于一个复旦大学微电子学院教授王鹏飞取代部分SRAM。目前SRAM的存储工科研究团队来说，开发出自主知识产建立了近20人的研究团队，致力于多单元由6个MOSFET构成，集成度较低，权的高新器件技术，对其进行专利保护，种新型器件的研

3、究。研究领域包括功率占用面积较大：相比之下，单个半浮栅并实现技术产品转化。才能够体现团队器件、射频器件、存储器件和逻辑器晶体管就可以构成一个存储单元，其1．3的存在价值。课题组在关键技术论文公件。在逻辑器件研发方面，提出适合未纳秒的写速度也接近了6管SRAM器开之前，必须用专利对知识产权进行保来10纳米以下技术节点的U沟道鳍式件的写速度．而面积还不到SRAM的护。近几年来该课题组还申请了100场效晶体管(FinFET)器件，当把Fin—十分之一。SFGT还可以应用于图像传余项专利，对多种器件进行了技术保护，FET的形状做成马鞍状时，器件的有效感器．可以在晶体管内部直接将微弱的多项发明被国内外大

4、公司的专利引用。沟道长度得到增长，可以实现超低漏电，光致电流信号转换成较大的漏极电流的目前，该课题组已依托多项专有技术和由它做成的静态随机存储器(SRAM)变化，从而将现有的3T一1D互补金属产业界展开了密切的合作。可以在0．5伏低供电电压下工作。在存氧化物半导体(CMOS)图像传感器简作者：马爱平储器方面，研究团队还将一个隧穿场效化为单个器件。这不仅使主动感光器件(马爱平．本刊特约撰稿人)科技纵览fEEESPECTRUMl2O14年8月I67