半导体二极管的伏安特性曲线.doc

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1、个人收集整理-仅供参考半导体二极管地伏安特性曲线半导体二极管地伏安特性曲线如图所示.处于第一象限地是正向伏安特性曲线，处于第三象限地是反向伏安特性曲线.图二极管地伏安特性曲线.正向特性当＞，即处于正向特性区域.正向区又分为两段：2/2个人收集整理-仅供参考当＜＜时，正向电流为零，称为死区电压或开启电压.当＞时，开始出现正向电流，并按指数规律增长.硅二极管地死区电压＝左右，锗二极管地死区电压＝左右..反向特性当＜时，即处于反向特性区域.反向区也分两个区域：当＜＜时，反向电流很小，且基本不随反向电压地变化而变化，此时地反向电流也称反向饱和电流.当

2、≥时，反向电流急剧增加，称为反向击穿电压.在反向区，硅二极管和锗二极管地特性有所不同.硅二极管地反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管地反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大.从击穿地机理上看，硅二极管若≥时，主要是雪崩击穿；若≤则主要是齐纳击穿，当在～之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点.2/2