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《c_v法测量pn结杂质浓度分布的基本原理及应用》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、一文章编号压一法测量结杂质浓度分布的基本原理及应用何波‘,,史衍“,徐静“丽昆明理工大学光电子新材料研究所,云南昆明昆明物理研究所,云南昆明!济南大学材料学院,山东济南一、。摘要全面地介绍了结测量法的基本原理测试设备及条件利用结反向偏压时的电容特性推导了有效杂质浓度随深度分布的计算公式及突变结和线性缓变·结的一和一关”图、击击应用该原理计算分析了整流二极管结的特性及杂质浓度的纵向分布一
2、关链词测量法杂质浓度分布结势垒电容离子注入中图分类号文献标识码一日,,一,,宜〔七曰亡,,了侧介、筋口,二刀
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5、teeteristiesotenjunetionalyzed.latdhmethdandhharacfh卜alcareanKeyrds:C一Vuree;iPurityeoneerondistribution:njunetion;Potentialbarrlerasmntmntati卜womeeaPonacity;IonimPlantati.pn结二极管中低1引言掺杂区的杂质浓度剖面分布.一一,大量晶体管和集成电路是在外延片上制造的用电容电压(Cv)法测量杂质浓度分布n一准确检测外延层掺杂浓度及其分布是制造合格就是利用p结或金属半
6、导体肖特基势垒在反.向偏压时的电容特性(其势垒电容随所加电压而晶体管和集成电路的必要条件C一测量法比发生变化),通过电容一电压变化关系找到肖特通常采用的四探针法和三探针法等具有更大的.,基势垒二极管中半导体一侧的掺杂浓度分布或优点虽然扩散电阻法也能测量纵向分布但它收稿:26刁57日期0刁:11),,,昆明理工大学2004级硕士研究生,主要研究方向为半导体光电作者简介何波(98男广西南宁人一.子材料及器件INFRAREDMONTHoL.27,No.lo,OcT2006(Ly)/V.、需对样品进行磨角Gv测量法具有测量简单方便、快速
7、、经济、稳定可靠等优点,而且对样,,品是非破坏性的所以应用比较广泛[l是一.种重要的半导体器件检测手段以下对其基本.原理及具体检测实例作一介绍2测试基本原理0!V。.21对突变结根据Pn结电容理论,若假设耗尽,层成立:存在下列关系图:线性缓变结的一v曲线兴.七,势垒电容‘一A一N*由直线斜率(等于竺一)和截距可求了斋蕴e一八‘气￡。￡s)-N。,.“心为约化浓度A为结区面积lz]出杂质浓度梯度G和冷+万D.心pn结电容等于势垒电容和扩散电容之和2(一VVD),,一2*冷一eZ:。:s正向偏压时由于正向电流而较大扩散电容AN.,c
8、D二二而大于势垒电容反偏时流过Pn燕一一‘.’’,‘“犷~,1一kT~一~一~一一一即对突变结来说2与V呈线性关系(见图”,C结的是很小的反向饱和电流扩散电容也就很.,.,一l)小这时势垒电容起主要作用15所以cv测量法须加反向偏压,巧v通过外推延长线与.轴的交
