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1、36电瓷避雷器2000年第5期(总第177期)文章编号:1003-8337(2000)05-0036-04漏电监测器电阻片的研究邹晨(西安电瓷研究所,陕西西安710077)摘要:介绍了通过调整电阻片配方及制造工艺来获取压比性能及通流容量满足避雷器漏电监测器要求的电阻片研究过程O并为改善电阻片的电气性能提供了一种新的途径O关键词:高通流容量电阻片;配方;工艺中图分类号:TM283文献标识码:AStudyonZnOVaristorforLeakageCurrentMonitorZOUChen(Xi/anElectroceramicResearchinstitute,Xi/an710077,Chin
2、a)Abstract:StudyonZnOvaristorWithsatisfiedresidualvoltageratioandenergyabsorptioncapabilityforleakagecurrentmonitorWasmadebyadjustingcompositionandimprovingprocessingtechnologies.AneWapproachingWasdescribedtoimprovetheelectricalpropertiesofvaristors.Keywords:varistorsWithhighenergeabsorpsion;composi
3、tion;processing意味着相同电压等级的避雷器电阻片用量1引言少;压比低则意味着避雷器保护性能优良O为氧化锌压敏电阻以其优异的保护性能及此国内外已经展开了对ZnO压敏电阻用新良好的通流能力而广泛用于电力电子线路的型添加剂[1]及新工艺的研究[2]O过电压保护O随着对ZnO压敏电阻研究的不在一些特殊用途中如保护旋转电机用励断深入,其应用领域越来越广,人们对其性磁电阻(用G表示),对电阻片在2ms方波耐能的要求也越来越高OZnO压敏电阻的主要受要求很高,而对电阻片梯度未有过多要电气参数有:1mA下参考电压~非线性系数~求[3],这使我们可以采用低电位梯度的电阻泄漏电流~方波通流容量~残压
4、比等O通常,片以满足大通流容量的要求O电阻片G与常在保证常规生产电阻片通流容量的前提下,规生产用电阻片(用S表示)的性能指标比较避雷器用户及制造厂家总是希望ZnO电阻见表1(本文中电阻片试品直径均为70mm)O片具有更高的梯度及更低的压比O梯度高则漏电监测器用电阻片要求具有较大的通收稿日期:2000-07-11作者简介:邹晨(1977-),男,四川绵阳人,工学学士,现从事氧化锌电阻片制造技术研究O2000年第5期(总第177期D电瓷避雷器37流容量~压比好~U1mA低(300~400VD~考80V/mm~K(U10kA/U1mAD<3.0~2mS方波虑到电阻片的机械强度不能太差~因此电阻通流容
5、量2800A[4]从表1中可知电阻片S片的厚度应在5mm以上~由此得出漏电监的电位梯度太高~约高2.5倍~G的压比太高测器用电阻片电位梯度应不大于80V/mm且大电流冲击稳定性差~即8/20~10kA电流如规格为70mm>5mm的漏电监测器用电冲击后残压变化过大~不能满足要求因此阻片(用J表示D性能要求为,电位梯度<需要开发研究一种适用的电阻片表1电阻片S~G~J性能比较方波容量电位梯度U5kA/U1mA冲击前后U1mA泄漏电流电阻片代号U10kA/U1mA(AD(V/mmD(AD变化率(%D(MADS8001871.71.650.510G2000455.22.573080J2800<80<3
6、.0<2.5<15<80满足要求2实验及分析表2调整电阻片S后的性能结果我们从三个方面进行了试验D调整电方波容量电位梯度电阻片代号U10kA/U1mA阻片S工艺参数烧成曲线~并改变S配(AD(V/mmD方中添加剂总量及减少Sb用量@对电S18001871.702O3S28001731.84阻片G进行配方和工艺的调整根据阀片S38001672.21S~G的调整结果进行综合性试验S46002121.632.1对电阻片S配方和工艺的调整S58001332.13在电阻片S配方的基础上~采用添加剂S68001302.40煅烧工艺(添加剂按比例球磨混合~在800CS78001841.71煅烧~粉碎D按下列
7、工艺及配方进行降低电S88001321.97阻片S电压梯度的试验2.2对电阻片G性能的调整S1烧成温度1220C;显然由表1可知将电阻片G压比降低S2烧成温度1230C;并保持大电流冲击后的稳定性就可以满足要S3烧成温度1235C;求虽然G的电位梯度足够低~可以满足要S4添加两倍于基量的添加剂求~但其压比过高~大电流冲击前后的稳定S5添加1/2倍于基量的添加剂性差~因此希望通过调整配方和工艺改善其
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