电子材料导论复习.doc

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1、第一章1、电子材料的重要性；电子材料对元器件的促进2、根据物理性质：导电，电阻，半导体，超导体，电介质，光电了，磁性，敏感电了材料3、电子材料的彫响因素4、同构晶体、同形晶体、固溶体、相变（分类■位移型、重构型）、缺陷的分类■电缺陷、儿何缺陷5、分类（热致性液晶,溶致性液晶）、结构（向列相、胆當相、近晶相）;表面原子的排列方式（弛豫，重构，超结构）；表面成分（偏析，耗尽，平衡偏析，非平衡偏析）；相界分类第二、三章1、厚膜导电材料：玻璃键合、氧化物键合，混合型，2、电阻产生的原因（纯金属，合金材料，薄膜电阻材料，合成型电阻材料，半导体电阻材料）、电阻温度系数3、

2、线绕电阻材料、薄膜电阻材料、厚膜电阻材料第四章1、1986年LaBaCuO,35k,1987年，YBaCuO.90K,液氨到液氮温度2、迈斯纳效应、约瑟夫森效应；临界温度（Tc）■测量方法：电阻法，磁化率方法；相干长度、平均自由稈、同位素效应，能隙，BCS理论第五章1、木征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象称为木征激发。N型半导体：在纯净的硅晶体屮掺入五价元索（如磷），使Z取代晶格屮硅原了的位置，就形成了N型半导体。P型半导体：在纯净的硅晶体屮掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半导体。施主杂质，受主杂质，多了，少了2、P・N

3、结（形成，接触势垒伏安特性■单向导电、整流）3、半导体的光吸收（木征吸收，激子吸收，H由载流子吸收，杂质吸收，晶格振动吸收）半导体的光电导（光电导率，定态光电导及弛豫过程，光谱分布，复合和陷阱作用，杂质光电导），半导体的光伏效应4、半导体的霍尔效应（霍尔系数，霍尔角，霍尔迁移率）5、半导体的热电效应（塞贝克效应，珀耳帖效应，汤姆逊效应）6、元索半导体晶体（硅，緒）；化合物半导体及固溶体半导体（GaAs,InSb）第八章1、电偶极矩；极化强度；电极化的微观机制（电了云位移极化、离了•位移极化、偶极了极化）2、铁电材料的特点（自发极化，随外加电场改向，电场撤去仍保

4、留部分极化）；顺电相；电畴；电滞冋线3、典型BaTiO3铁电性・1、钙钛矿结构；极化的形成（居里温度，以种铁电性晶系，三个极化轴；介电常数的温度特性•居里外斯定律；介电常数的居里点的突变；各向异性；热滞现彖；改姓■移峰效应，压峰效应（展宽效应）4、压电效应（正压电效应、逆压电效应）；两元系（PbTiO3-PbZrO3）掺杂改性5、压电陶瓷性能表征（预极化、影响因素■温度、极化时问、极化电场大小）6、热释电效应、产生机理第七章1、光电效应的定义、光电了2、半导体发光机制■发光机理；辐射性复合（电子与空穴碰撞复合、通过杂质能级复合、激子复合）；非辐射性复合（阶段性

5、放出声子，俄歇过程，表面复合）3、激光产生原理•（受激吸收跃迁，受激辐射跃迁（同频率，同方向，同位相，同偏振方向）,自发性辐射跃迁，粒了数翻转，激光器纟R成；激光的特点■单色性、方向性、相干性4、光导纤维的原理（全反射、受光角、数值孔径，光损耗）；光导纤维的损耗（吸收损耗、散射损耗和辐射损耗）；光导纤维的色散（模式色散，材料色散、波导色散和极化色散）第八章1、磁矩，磁偶极子；磁畴;磁化机制2、磁性的分类■抗磁性（特点，磁化率为负值）、顺磁性（居里定律，居里外斯定律）、铁磁性（磁畴，畴壁，H发磁化，饱和磁化强度与饱、磁感应强度与温度的关系、

6、11

7、线）、反铁磁性

8、（奈尔温度对应最高的磁化率）、亚铁磁性；材料磁性的来源（电子轨道磁矩、电子白旋磁矩、原子核磁矩）3、磁滞冋线（概念、剩磁、侨顽力；软磁材料、硬磁材料、半硬磁材料）；铁氧体；磁记录用薄膜永磁材料磁记录原理；写操作、读操作；4、铁电性与铁磁性的区别正负电荷屮心的相对移动、原了轨道的取向；非对称性晶体结构、具有非饱和磁性电子売层；居里点的转变对应了结构相变，爛的增加、居里点意咪着电子磁矩取向的改变，即交换作用的破坏。5、磁晶各向异性（定义，产生的原因）；磁致伸缩（定义，磁致伸缩产生的原因）；巨磁阻效应6、软瓷与永磁材料的代表。7、稳定性处理：人T时效处理；交流退磁处

9、理：磁接触处理；温度循环稳定处理8、旋磁性；磁致伸缩；磁共振；9、法拉第旋转效应、科顿■莫顿效应、克尔效应、塞曼效应10、技术磁化的两种机制：畴壁的迁移磁化（壁移磁化）；磁畴的旋转磁化（畴转磁化）第九章1、敏感电子材料的分类（按照功能）■力敏、光敏、磁敏、热敏、湿敏、气敏等；敏感电子材料的技术要求。2、电阻应变效应；热敏电阻材料及分类；物理磁阻效应；几何磁阻效应