电磁屏蔽-第三章emi吸收材料

《电磁屏蔽-第三章emi吸收材料》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在应用文档-天天文库。

1、第三章EMIEMI吸收材料•EMI吸收材料…………………..2-6页•(磁珠磁环安装夹端子贴装磁片扁平磁环)•片状滤波器……………………….7页•馈通滤波器………………...…8-20页1第二章EMI元器件EMI吸收磁性材料采用在高频段具有良好阻抗特性的铁氧体材料烧结而成，专用于抑制信号线、电源线上的高频噪声和尖峰干扰，它还具有吸收静电脉冲的能力，使电子设备达到电磁兼容(EMI，EMC，EMS)和静电放电(ESD)的相应国家标准。EMI吸收磁性材料在阻带内吸收高频噪音，并将能量转为热能散发，

2、达到衰减干扰的目的。吸收磁性材料的吸收干扰能力是用其阻抗特性来表征的。它的阻抗特性基本形态见图2-1。当导线穿过EMI磁性材料时，在低频段没有感性阻抗．不影响数据或信号线上有用信号的传输。在高频段，约在10MHz左右开始，阻抗增大，其感抗分量保持很小，电阻性分量却迅速增加，当有高频能量穿过磁性材料时，电阻性分量就会把这些能量转化为热能耗散掉。吸收磁性材料正是利用这一特性有效地吸收了EMI高频干扰。吸收磁性材料的性能，通常是比较25MHz和100MHz的初阻抗值。EMI吸收磁珠EMI吸收磁珠专用于单根导线

3、上干扰抑制，它具有两种常用形式：单孔珠和多孔珠。从干扰抑制效果上看，长单孔珠B62优于短单孔珠A62，多孔珠S62效果最好，尤其在低频端，双单孔珠R62次之。规格尺寸见图及下表。单位mmABCD(φ)电阻值（Ω）型号25MHz50MHz100MHzSG-A623.5±0.2636.0±0.30.8506090SG-B623.5±0.2639.0±0.30.87080120SG-R623.5±0.2-7.5±0.30.8100110130SG-S626.0±0.23.510.0±0.40.85407105

4、10注：线径φ0.57，S62为多孔珠R62为双珠2EMI吸收磁环专用于多股线缆上的干扰抑制，使用时可将一根多芯电缆或一束多股线缆穿于其中，多穿几次可加强其效果，但应注意防止饱和。规格尺寸见图2-4及下表。尺寸规格：单位：mm型号A（φ）B（φ）C阻抗值（Ω）25MHz100MHzSG-Z623.50±0.201.30±0.103.00±0.302030SG-Z646.00±0.303.00±0.202.00±0.201220SG-Z695.00±0.202.39±0.155.00±0.301832SG

5、-M2459.50±0.305.20±0.209.50±0.304562SG-M24614.20±0.306.35±0.2028.50±0.50170220SG-M24817.50±0.309.50±0.3028.50±0.50105120SG-M24919.00±0.4010.00±0.3010.00±0.505096SG-A62525.00±0.5015.00±0.3012.00±0.4085110SG-A63728.50±0.5014.00±0.3028.60±0.50450600用同一种吸收磁性

6、材料制成不同型号的磁环／磁珠具有类似的特性，在条件许可的情况下，体积大的阻抗值会大。使用方法及注意事项1)吸收磁环在使用中要注意固定，避免碰撞而使磁体破碎。可以用热塑材料或热溶胶固定。2)磁环实际体积越大吸收效果越好。3)磁环使用中应使环的内径与线径相接近为佳，这样可使靠近线的弱干扰信号都可有效吸收。4）磁环反复多穿几次，可改善其性能，但圈数太多易引起饱和，也会影响性能。在直流系统上防止饱和的另一个有效方法是将+、一极两根线穿过同一个磁环。5)注意磁环的有效频段应是5MHz以上，效果较好频段为5MHz-

7、300MHz。3带安装夹EMI吸收环用于定型生产后设备EMI性能改进。可方便拆卸，在测试样机和售后补救中非常方便适用。由于磁环体本身不封闭，所以性能与同体积磁环比较略有下降。外形见图。单位mmABC（φ）D阻抗值（Ω）型号25MHz100MHzSG-F06519.5±0.519.0±0.56.50±0.432.0±1.0170350SG-F10022.5±0.523.5±0.510.0±0.333.0±1.0140224SG-F13031.5±1.030.0±1.013.00±0.533.0±1.015

8、0300EMl磁性端子为了便于线路连接处的干扰能够被有效抑制，接线端子型吸收磁环不仅解决了导线连接的问题，而且高效吸收导线上的高频串扰。这种形式的磁环一般使用在PCB板上的电源入口处或者信号线出、入口(应考虑信号频率与磁性材料的吸收频率的关系)。干扰抑制效果明显，特别是对于多组线路出入的情况能够有效节省PCB板上的空间，非常适用于目前小型化和功能复杂的电子设备。性能参数ABDP1P2E(φ)F插入损耗（Ω）型号25MHz100MHzSG-S