欢迎来到天天文库
浏览记录
ID:5312616
大小:260.07 KB
页数:5页
时间:2017-12-07
《spm光电探测技术及应用》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、电子质量(2013第12期)SPM光电探溅技术及应用SPM光电探测技术及应用ThePhotoelectricDetectionTechnologyandApplicationoftheSPM李岩峰1_z,郝晓剑,周汉昌。(1.中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西太原030051;2.中北大学电子测试技术重点实验室,山西太原030051)LiYan-feng’2-HaoXiao-jian’~ZhouHan-chang’(1.KeyLaboratoryofInstmmentationSci—
2、enee&DynamicMeasurementMinistryofEducation.NoahUniversityofChina,ShanxiTaiyuan030051;2.NationalKeyLaboratoryforElectronicMeasurementTechnology,NorthUniversityofChina,ShanxiTaiyuan030051)摘要:硅光电倍增管SPM具有增益高(10s)、体积小、工作电压低(一30V)、电磁干扰小等优点,特别适合应用予微光探测和体积要求小的
3、光电探测领域。SPM具有的高灵敏度和微元结构,使其在单光子探测和计数领域得到了很好的应用。该文介绍了硅光电倍增管的基本原理、基本结构,研究了其主要的特性参数一动态范围和偏置电压。并应用SPM构建了蓝宝石光纤黑体腔高温测试系统,对系统的响应时间进行了测试,得到其平均响应时间为36.67ms。关键词:硅光电倍增管;动态范围;偏置电压;蓝宝石光纤黑体腔温度传感器中图分类号:TN29文献标识码:A文章编号:1003—0107(2013)12—0041—05Abstract:Thesiliconphotomu
4、ltiplier(SPM)hashighgain(1),smallvolume,lowworkingvoltage(-3OV),lowelectromagneticdisturbance,anditisparticularlysuitableforweaklightdetectionandtherequire-mentsofsmalvolume.SPMhashighsensitivityandmicro-cellstructure.anditisidealyappliedtosin-gle—phot
5、ondetectionandcountingfields.Theworkingprincipleandbasicstructureofsiliconphotomulti-plierwereintroduced,andthemaincharacteristicparameters,dynamicrangeandbiasvoltage,werestud-ies.Thesapphirefiberblackbodycavityhigh-temperaturemeasurementsystemwasbuilt
6、withSPM,andtheresponsetimeofthesystemwasmeasured.Theaverageresponsetimeis36.67ms.Keywords:siliconphotomultiplier;dynamicrange;biasvOltage:sapphi『efiberblackbodycavitytem—peraturesensorCLCnumber:TN29Documentcode:AArticleID:1003—0107f2013)12—0041—050引言件。
7、硅光电倍增管具有和PMT同样的高增益(106)、低温度灵敏度和快速响应,同时具有和PIN光电二极管同样在现代科学技术中,光电探测技术是重要的科学分支,在国民经济和国防建设中占有十分重要的地位。利的低偏置电压(~30V),并具有适当的光子探测率PDE(~20%)、低噪声和低电磁干扰等特点。SPM的这些优点,用光电探测技术,能将人眼不易或不能看见的射线、紫外辐射、红外辐射等真实地再现或记录下来,从而弥使其非常适合微光探测和光子计数领域,在生物传感器、DNA检测,核辐射探测和高能物理等领域有着重要补人眼在
8、空问、时间能量和光谱分辨力上的局限性。光的应用l。电探测器件是其重要组成部分。目前,光电探测技术探测的光信号已达到单光子水平,这对光电倍增器件提出了很高的要求】。1SPM基本原理光电倍增管(PMT)、雪崩光电二极管(APD),PIN光电硅光电倍增管SPM南许多工作于盖革模式的APD二极管和硅光电倍增管(SPM)等是主要的光电倍增器f即雪崩光电二极管APD上所加的反向偏压超过雪崩电作者简介:李岩~(1988一),男,硕士研究生,研究方向为光电探测与动态测试技术;郝晓~,
此文档下载收益归作者所有