ag阴极沉积速率对顶发射有机发光器件性能的影响

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1、第36卷第6期长春理工大学学报(自然科学版)Vo1．36No．62013年12月JournalofChangchunUniversityofScienceandTechnology(NaturalScienceEdition)Dec．2013Ag阴极沉积速率对顶发射有机发光器件性能的影响侯建华，罗劲松，李颜涛，刘星元(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，发光学及应用国家重点实验室，长春130033)摘要：通过在阴极钐(sm)上面沉积银(Ag)得到具有半透明阴极的顶发射有机电致发光器件。实验发现Ag的沉积速率对器件性能起着重要的作

2、用。通过优化AgvX~Alqs匹配层的厚度，使器件的电流效率提高了2．3倍。关键词：有机电致发光器件；顶发射；沉积速率中图分类号：TM2文献标识码：A文章编号：1672—9870(2013)O6—01O1一o3EfectofDepositionRateofAgCathodeonPerformanceofTop‘_-‘emittingOrganicLight-emittingDiodesHoUJianhua，LUOJinsong，LIYantao，LIUXingyuan(StateKeyLaboratoryofLuminescence

3、sandApplications，ChangchunInstituteofOptics，FineMechanicsandPhysics，ChineseAcademyofSciences，Changchtm130033)Abstract：ThesemitransparentSamarium(Sm)／Agbilayercathodehasbeenusedinthetop～emittingorganiclightemittingdevices．ThedepositionrateofAgdepositedonSmplaysacrucialr

4、oleindeterminingtheelectricalproperties．oftheSm／Agcathode．AfterthicknessoptimizationofAgandAlq3layers，maximumcurrentefficiencyofthedevicehasbeenincreasedbyafactorof2．3．Keywords：Organiclight—emittingdiodes；Top—emitting；Depositionrate有机电致发光器件(OLED)以其亮度高、视角对器件性能起到非常重要的作用。

5、一个理想的半透宽、功耗小、响应快和成本低等优点引起全球范围内明阴极应该有高的导电性和透明性，然而这两种性的研究热潮]，被业界公认为是取代液晶显示器的质又很难统一。近几年，有人已经制备出各种透明新'一代显示技术。按光从器件出射方向的不同，将或者半透明阴极，如透明铟锡氧化物(ITO)阴极]，有机电致发光器件分为两种不同的类型：一是光从Ca／Ag双层阴极]。然而，这些阴极都存在一些问器件基底方向出射，称之为底发射器件；另一种是光题。ITO在沉积过程中会破坏有机层，导致器件性从器件的顶部出射，称之为顶发射器件。与底发射能下降。而在Ca／Ag

6、双层阴极中，Ca的沉积需要较结构相比，顶发射OLED具有提高器件效率、窄化光高的真空条件((2．78x10Pa)，否则将导致器件性能谱和提高色纯度等优点t。特别是在有源驱动有降低]。因稀土金属钐具有低的功函数2．6eV和高机电致发光器件(AM—oLED)中，顶发射器件与薄的透明度，所以钐经常用来做半透明阴极材料。虽膜晶体管(TFT)的集成是高效显示技术发展的必然Sm阴极到电子传输层的电子注入势垒较小，但然趋势。是受制于其高的表面电阻，器件性能的进一步改善通常，顶发射OLED是由高反射底阳极、有机发将会受到限制。本文为了补偿Sm的电导

7、率的不光层和半透明顶阴极构成。Ag具有高反射率和高足，在Sm#b表面继续制备银薄膜，形成Sm／AglXI层导电性，所以常被用来充当高反射阳极。而半透明阴极。通过对Sm／Ag阴极的光学和电学性能的优的阴极要充当导电和出射光的作用，因此它的选择化，使得顶发射OLED的电流效率得以大幅提高。收稿日期：2013-08-17作者简介：侯建华(1977一)，男，博士，讲师，E—mail：houjh163@163．corn。长春理工大学学报(自然科学版)阴极的厚度相同，所以器件亮度的变化趋势是与器1实验部分件的电流密度一致的。然而器件的效率却没有

8、表现将玻璃衬底用去离子水洗净，在真空烘箱中出相同的变化趋势。从电流效率一电压特性曲线图100。C干燥30rain。然后，放入高真空蒸发台中，沉2(b)中可以看出，器件A，C的电流效率基本重合，积一定厚度的银作为阳极。再沉积l~2nm厚