测量硅光电池伏安特性曲线的改进研究

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1、2013年第32期NO.32.2013n(总第275期)中阖高新技术企l业I£H}.^t.1HT£cH£Nt##Is£I(CumulativetyNO.275)测量硅光电池伏安特性曲线的改进研究喻秋山方超曹江涛鲁杉杉(长江大学1.物理科学与技术学院;2.电子信息与技术学院,湖北荆州434023)摘要:文章基于伏安法测电阻的基本原理,对现有硅光电池的伏安特性测量方法进行改进,利用交流电压信号和双通道示波器的X-Y信道输入实现硅光电池的伏安特性曲线快速测量与显示关键词:硅电池;伏安特性;示波器中图分类号:TM914文献标识码:A文章编号:1009-2374(2013)32-0021-

2、02硅光电池产生的光伏效应由于具有光谱响应范围宽、I——二极管反向漏电流速度快、寿命长、使用方便、性能稳定等优点而在光强辐e——电子电量射探测有着重要的应用。然而,由于硅光电池的光伏效应k——玻耳兹曼常量和内阻之间的伏安特性变化呈现非线性变化,使得其曲线T——_P—N结的工作热力学温度的数据测定存在较大困难,限制了其在光电信号强度探测v——结偏置电压中的应用。因而对光电池的伏安特性研究也引起人们的重视。本文为解决这一需要提出一种使用交流信号和示波器2硅光电池的伏安特性曲线的改进测量进行硅光电池伏安特性曲线的快速、准确测量方法。2.1硅光电池的伏安特性曲线测量原理如图l(a)中所示

3、,硅光电池可视为一纯电阻和恒流l硅光电池的工作原理源的复合体,改变负载R就可得到不同的电压和电流值,硅光电池的工作原理是基于光伏效应。硅光电池是一这些电流与电压的关系曲线称为硅光电池的伏安特性曲个大面积的光电二极管,可视为一个半导体P_N结二极管与线。这种方法对于内阻变化的硅光电池测量存在着不利因一个光生电流源的组合体。电路中电流关系式为:素:(1)费时较长,需要使用电压表和电流表连续多点旦测量,然后在记录纸上通过描点、连线来获得特性曲线。1=一Is(e一1)(2)因硅光电池内阻与负载、光照强度等均有关,参数式中:复杂,伏安特性曲线只能近似获得某种情况下的曲线。为I——入射光产生

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