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1、.,,,院四川成都(61。。54))刘俊刚杨家德(重庆光电技..,术所重庆(4。。。61))李昆(新加坡材料工程研究院新光学薄膜参数测试,加坡(119260))/激光与红外200030(4)238一一一.239048452001010482,nalsan研究了膜厚减薄工艺对薄膜连续性的影响用半导体光电薄膜的分析和检测~Ayisd,、,XRD观察物相SEMTEM研究薄膜连续性并给出理insPeetionofsemieonduetoroPtoeleetronie。31.),论解释图表参7(李瑞琴s(iflm【刊中」/罗江
2、财重庆光电技术研究所重庆,(400060))/半导体光电200021(增刊)81一83;一一TN304055200101047,,半导体光电薄膜的制备是半导体光电器件最重要asas短周期IAGAG/A超晶格的M(X二VD生长及X射.和最基本的工艺过程半导体光电薄膜的分析和检测是growthandX一ray线衍射研究~MOCVD。器件开发中必须首先要解决的重要间题之一介绍了半raetonstuesosortperioasdiffidifhdAIGA/导体光电薄膜的分析和检测以及分析技术和仪器设备,,assuperatt
3、ees.GAli[刊中〕/王向武程棋祥(南京电的发展现状图3表2(任延同).,子器件研究所江苏南京(210016))/固体电子学研究,200020(2)212一215.与进展一一048452001010483as,tsieasureento通过生长短周期IAGAs/aGA超晶格并通过X用x射线衍射仪测试P膜二Mmf,a:、a,射线衍射对MOCVD超薄层IAGAGsA生长进PtsifilmsbyX一raydiffraetometers的[刊中〕/杨..22),行了研究图表参2(李瑞琴晓波罗江财(重庆光电技术研究所重庆(
4、4o。。6的)/,半导体光电20021(增刊)87一8一一.,、TN3040552001010480PhilipMRD371ox射线衍射仪由于其灵敏度高柔性衬底IT0导电膜的低温制备及特性研究-、,.可靠性好操作方便常常用于薄膜测试分析采用X射reParatonanearaeterstesos,PidhiifITOfilm线衍射仪对在(100)iS表面溅射tP并通过退火处理形,depositionpolyesteratlowsubstrateiS的化is膜成的tP和合物进行了测试分析从而对tP·。,,,,etmper
5、ature田茂华的研制提供了可靠的数据图2表1(任延同)〔刊中卫马瑾赵俊卿叶丽娜.,马洪磊(山东大学光电材料与器件研究所山东济南.,048452001010484(250100))/半导体光电200021(1)46一49一一xpeo软射线光学系统曲面被膜膜厚测且方法~Aird用真空反应燕发技术在有机薄膜衬底上制备出easurnanaeeuraeanaznetoor,、migdylyigmhdfro透明导电薄膜对薄膜的低温制备(8。℃一240℃),,。,sotrayopeasstes结构和光电特性进行了研究制备的薄膜为
6、多晶膜具fX一tilym[刊中〕/刘毅楠马月,,,,有纯三氧化二锢的立方铁锰矿结构最佳取向为(111)英裴舒胡卫兵曹健林(中科院长春光机所应用光学..。一`,方向薄膜在可见光区的最低电阻率为663xlo几国家重点实验室吉林长春(13。。21”/光学精密工c,。.m,透过率达到82%图5参4(任延同)程一20008(2)一124一127软X射线光学系统需要在超光滑曲面上均匀镀.。,TN3040552001010481膜将超光滑曲面看作由若干个小平面拼接而成通过cVD510:eposition,直接光膜的沉积动力学=D小
7、角衍射仪测量出各个小平面的周期膜厚并拟和出整:,kinetiesofdireetphoto一CVD5s。,10film[刊个曲面的镀膜速率为提高控制精度对同一片多层膜.,、,,,中〕/张明高谢茂浓(四川大学物理系四川成都进行等精度多次测量去除其中的粗大误差系统误差..,11(610064))郑光平(重庆工业管理学院重庆最后得到多层膜厚度的最佳估计值图表参8(任延,(4000501))/半导体光电200021(1)62一65同)一一`:讨论了SIH+O混合气体在真空紫外光辐照下的·.:.光化学反应和510膜的沉积过程根
8、据光吸收定律和附04845//TQ5942001010485:age面层理论推导出了直接光CVD510膜的沉积速率方花菩化合物薄膜的光存储性能~OtPicalstor,.Peroraneeoeyanineeoountns程这个方程与大量实验结果符合较好图l表1参20fmfmPdhifilm.(),,,任延同[刊中〕/唐晓东顾冬红干福熹(中科院上