网络安全专利检索分析报告.pdf

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1、网络安全技术现状及发展唐跃强赵强易红春甘文珍乔凌云（国家知识产权局专利局电学发明审查部）一、硬件结构在国内外的技术现状分析（一）芯片技术现状及其技术发展阶段和特点芯片技术可以分为芯片结构（CPU、专用芯片、SOC芯片、生物芯片）（分类号包括：H01L27、H01L25、GO6F、G01N、C12Q）、驱动和接口技术（分类号包括：G06F15）、散热技术（分类号包括：H01L23、G06F9）、布线技术（分类号包括：H01L21）和封装技术（分类号包括：H01L23）。1.芯片结构的中外专利数量对比芯片结构主要体现在半导体器件芯片、集成电路布图设计等。1985—2006年年底，“半导体器

2、件”类下公开的发明专利申请15969件，4624件来自国内申请人，不足总量的1/3（29％）；其中，我国中国台湾地区提出了2904件，占国内申请总量的62.8％。在1995年以前的十年里，国内仅仅提出236件，只占国外的40％。2000年以后，国内开始缩短了与国外的差距，内地和中国台湾地区的年申请量高速增长，2003年年申请量分别达到543件和755件。截至2006年，我国共授予“半导体器件”类发明专利3999件，国内获得838件，约占21％；其中，我国中国台湾地区拥有417件，占国内总量的49.7％（图1）。“半导体器件”类下的发明专利申请和授权都呈现了向跨国企业集中的现象。1985

3、—2006年，累计排名前10的申请人包括日本企业6家，分别是日本电气株式会社（1）、松下株式会社（2）、东芝株式会社（3）、三菱株式会社（4）、精工电子有限图1“半导体器件”发明专利公司（7）和株式会社半导体能源研究所（9）。韩分布（1985—2006年）国三星电子株式会社、我国中国台湾地区的旺宏电子股份有限公司和美国的国际商业机器公司（IBM）分别排在第5、6和8位，如果将中国科学院（以下简称“中科院”）下属的研究院所和高校申报的专利全部纳入中科院名下，则其排名为第10名；这前10名的申请量之和占此类发明专利申请总量的27.3％。从表1、表2中可以看出，发明专利授权主要掌握在领先企业

4、手中，总量的43.7％为前10名的机构拥有。其中日本企业5家，日本电气株式会社（1）、松下株式会社（4）、株式会社半导体能源研究所（5）、佳能株式会社（8）和三菱电机株式会社（9）；韩国企业2家，现代电子产业株式会社（2）和三星电子株式会社（6）；美国的IBM和德国的西门子公司分别排在第3和第7位；中科院仍居10名之末。但如果将中科院各下属单位视为独立的申请和专利权人，则中芯国际成为中国国内发明专利申请量最多的企业（101件），排在30名以外；而中国科学院半导体研究所和清华大学分别是国内拥有发明专利最多的前两名机构，仅仅获得21和19件。表1涉及半导体芯片的专利授权量分布表2涉及半导体

5、芯片的发明专利申请量前十名2.半导体芯片专利的技术现状在半导体芯片领域，已申请的专利数量达到几十万件，涉及半导体芯片的设计、制造工艺、材料、元器件结构、测试以及制造设备。集成电路芯片供应商英特尔公司的重要专利申请包括：在硅衬底上形成隔离硅区和场效应器件的工艺过程（19851045510）、金属-氧化物半导体后部工艺（19851046509）、利用氟化气体混合物进行硅的等离子体蚀刻（19861032330）、具有缓变源漏区的金属氧化物半导体场效应集成电路的制造方法（19871076772）、具有超浅端区的晶体管及其制造方法（19951976214）、用于最大化每一布线层的信号线数目的具有

6、可变间距触点阵列的集成电路模和/或组件（20008097852）、具有无凸块的叠片互联层的微电子组件（20018207138）、互联结构和无电镀引入互联结构的方法（20018215777）、多层相变存储器（20028169379）、掺杂碳和硅的铜互联（20038005840）。美国IBM公司的主要专利申请包括：用于亚0.05μmMOS器件的可处理的隔离层镶栅工艺（20001294857）、设置在载体上的超大规模集成芯片的设计系统以及由该系统设计的模块（1990106999X）、在晶片阶段内测试集成电路的方法和系统（19991188837）、用于容纳越过宏的芯片级连线电路放置的宏设计技术

7、（20011114754）和半导体芯片设计方法（20011385367）。中国台湾地区积体电路制造股份有限公司（简称台积电）的主要申请包括：动态随机存取存储器及金属连线的制造方法（19981152201）、晶片缺陷检查及特性分析的方法（19991179196）、铜导线的无电镀方法（20031B42618）和球门阵列封装及其封装方法（20041496836）。作为仅次于美、日的世界第三大半导体芯片消费国，我国半导体芯片市场的80％依赖进口。从上述