LDO 环路稳定性及其对射频频综相噪的影响.pdf

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1、ApplicationReportZHCA530–April2013LDO环路稳定性及其对射频频综相噪的影响李俊明,龙云摘要相位噪声是时钟、射频频综最为关注的技术指标之一。影响锁相环相噪的因素有很多，比如电源、参考源相噪、VCO自身的相噪、环路滤波器的设置等。其中，电源引入的低频噪声往往对锁相环的近端相噪有着很大的影响。对于高性能的时钟和射频频综产品，为了获得极低的相噪性能，往往采用低噪声的LDO供电。然而，采用不同的LDO给频综供电，取得的相噪性能往往会有很大差别，同时，LDO外围电路设计也会影响到频综的相噪性能。本文首先简要地介

2、绍了LDO的噪声来源及环路稳定性对输出噪声的影响；其次，根据调频理论推导出VCO的相位噪声与LDO的噪声频谱密度的理论计算关系。在此基础上，为了验证LDO噪声对射频频综输出相噪的影响，分别采用TPS7A8101和TPS74401LDO评估板给TRF3765射频频综评估板供电，对比测试这两种情况下的TRF3765相噪曲线；同时，为了验证LDO环路稳定性对频综相噪的影响，针对TPS7A8101评估板的参考电路做出部分修改，并对比测试了电路修改前后的TRF3765输出相噪。目录1LDO噪声来源及环路稳定性对输出噪声影响..........

3、...............................................................................21.1LDO噪声来源...........................................................................................................................21.2LDO噪声抑制方法...........................................

4、.........................................................................31.3LDO环路稳定性与输出噪声的关系...........................................................................................42LDO噪声与VCO输出相噪的关系...................................................................

5、.................................53采用不同LDO进行射频频综供电对比测试........................................................................................63.1TPS7A8101/TPS74401频综供电对比测试...............................................................................63.2TPS7A8101输出电路优

6、化及其对频综相噪的影响.....................................................................84结论..................................................................................................................................................105参考文献................................

7、...........................................................................................................10图表图1LDO的PSRR与噪声.....................................................................................................................2图2LDO内部框图（噪声源）.............

8、..................................................................................................3图3LDO内部框图（增加噪声抑制电容