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时间:2020-04-10
《InGaN多量子阱中载流子传输和复合发光机制.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、山东科学第26卷第5期2013年10月出版SHANDONGSCIENCEVol.26No.5Oct.2013DOI:10.3976/j.issn.1002-4026.2013.05.005InGaN多量子阱中载流子的传输和复合发光机制12111王梦琦,栾梦恺,孙虎,王绘凝,冀子武(1.山东大学物理学院,山东济南250100;2.北京师范大学数学科学学院,北京100875)摘要:利用金属有机化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上生长了多量子阱结构的InGaN/GaN薄膜,并对其光致发光(PL)特性进行了研究。结果显示该样品的PL谱中有两个主
2、要发光成分,这两个发光成分被认为是分别来自InGaN阱层中的两个分离的相:低In的InGaN母体和富In的量子点,并且它们的积分强度强烈地依赖测试温度和激发功率。这个行为被解释为GaN和InN之间较低的互溶隙导致了InGaN阱层的相分离,并且在这两个相之间存在着光生载流子的传输过程。关键词:光致发光;InGaN母体;量子点;相分离中图分类号:O469文献标识码:A文章编号:10024026(2013)05001804Transferandcompositephotoluminescencemechanismofthecarri
3、ersinInGaNmultiplequantumwells12111WANGMengqi,LUANMengkai,SUNHu,WANGHuining,JIZiwu(1.SchoolofPhysics,ShandongUniversity,Jinan250100,China;2.DepartmentofMathematics,BeijingNormalUniversity,Beijing100875,China)Abstract∶WegrewInGaN/GaNmultiplequantumwellstructure(MQW
4、s)onacplanesapphiresubstratewithmetalorganicchemicalvapordeposition,andinvestigateditsphotoluminescence(PL)property.ResultsshowthattwomainemissioncomponentsexistinitsPLspectrum.TheyareconsideredtobegeneratedfromtwoseparatephaseslowIncontentInGaNmatrixandhighInconten
5、tquasiquantumdots(QDs)inInGaNwelllayers.TheirintegralPLintensitieslargelydependonmeasurementtemperatureandexcitationpower.LowermiscibilitybetweenGaNandInNisbelievedtoresultinthephaseseparationofInGaNwelllayers.Transportprocessofphotogeneratedcarriersexistsbetweenthet
6、wophases.Keywords∶photoluminescence;InGaNmatrix;quantumdot;phaseseparation近年来,随着蓝绿色超高亮度发光二极管(LED)和蓝紫光激光二极管(LD)等器件的广泛应用,对其中有源区(发光层)InGaN材料发光特性的研究也越来越受到重视。通过适当调节InGaN合金中铟(In)组分[1-4]的大小,可覆盖从红外到紫外的整个光谱范围。然而,由于In和Ga的原子体积存在着较大的差异,同时InN和GaN间也存在着较大的晶格失配(11%),因此在InGaN外延层中容易产生相
7、的分离或者轻微的In收稿日期:20130710基金项目:高等学校博士学科点专项科研基金(博导类)(20120131110006)作者简介:王梦琦(1992-),男,学士,研究方向为半导体物理研究。Email:wmq0008@163.com通讯作者,冀子武(1962-),男,博士,教授,研究方向为凝聚态物理研究。Email:jiziwu@sdu.edu.cn第5期王梦琦,等:InGaN多量子阱中载流子的传输和复合发光机制19[5-6][7-8]组分起伏。此外,由于缺乏可供选择的晶格匹配的衬底,InGaN外延层中也会存在高密度的位
8、错。尽管如此,基于InGaN合金的器件却经常显示非常高的量子产率,人们已经将这个现象归因于InGaN层中[56]自组装形成(selfformed)的富In团簇。在这个结构里,这些富In区作为准量子点(QDs)提供了较强的局域势来抑
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